财联社9月24日电，存储芯片概念股反复活跃，通富微电涨停，江波龙、赛腾股份、德明利、江丰电子跟涨。消息面上，由于供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至30%。这也使得三星成为继美光和闪迪之后，最新一家上调内存和闪存产品价格的存储巨头。

①周二美股盘后，在AI热潮的推动下，全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期的2025年第四财季营收和利润，并对当前季度业绩给出了强劲的指引。
②这对人工智能（AI）交易和期望美光股票能够维持近期上涨势头的投资者来说是一个积极信号。

《科创板日报》23日讯，东芯股份在最新调研纪要中表示，从市场整体格局来看，存储市场的供需平衡正逐渐向有利于供应商的方向倾斜。而AI浪潮带来的高性能存储需求增长，与消费电子传统旺季催生的终端产品备货需求形成双因素叠加，进一步刺激了近期存储产品的市场需求，成为推动价格上涨的重要动力。公司涉及的利基型存储芯片随着市场需求的逐步好转，销售价格逐步回升，整体趋势向好。代工成本方面，随着下游需求的逐步修复，大陆代工厂稼动率均处于高位，产能趋于紧张，预计今年代工价格会有逐步提升。公司的成本处理是用加权平均，短期不影响公司持续向好的经营态势。

《科创板日报》23日讯，SK海力士已在其位于清州的M15X工厂启动了一条试验生产线，该生产线将生产1b DRAM，以满足日益增长的HBM需求。该公司计划在11月前将设备投入使用，并在第四季度举行工厂落成典礼，初始产量目标为每月1万片晶圆。

《科创板日报》22日讯，根据TrendForce集邦咨询最新研究，未来两年AI基础设施的建置重心将更偏向支持高效能的推理服务，在传统大容量HDD严重供不应求的情况下，CSP业者纷纷转向NAND Flash供应商寻求解方，催生专为AI推理设计的Nearline SSD（近线固态硬盘），以满足市场的迫切需求。随着AI推理应用扩张，预计这股需求热潮将延续到2027年，因此2026年Enterprise SSD（企业级固态硬盘）的供应将呈吃紧状态。

①据周一市场消息，由于供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，提价幅度高至30%；
②这也使得三星成为继美光和闪迪之后，最新一家上调内存和闪存产品价格的存储巨头。

财联社9月22日电，早盘存储芯片概念延续强势，德明利2连板，续创历史新高，江波龙、古鳌科技、佰维存储、万润科技等跟涨。消息面上，继闪迪宣布将存储产品价格上调10%以上之后，美光向渠道通知存储产品即将上涨20%-30%。此外，三星近日通知大客户第四季度DRAM类LPDDR4X、LPDDR5/5X协议价格，预计上涨15%-30%以上。

财联社9月19日电，存储芯片概念股震荡拉升，德明利涨超9%，江波龙、普冉股份、力源信息跟涨。消息面上，隔夜美股存储公司再度大涨，美光科技、闪迪、西部数据均创历史新高。东方证券研报指出，AI算力需求持续增长下，全球DRAM市场规模将持续扩张，利好存储产业链。

《科创板日报》17日讯，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，虽然DDR4供应依然吃紧，但价格飙升导致买家难以跟进，导致价格上涨但交易量有限。NAND方面，现货市场价格上涨，询盘回暖，成交量有所回升，尤其QLC产品表现尤为突出。

①华为报告指出，AGI将是未来十年最具变革性的驱动力量。
②当前，以“星际之门”为代表的大规模算力集群进展顺利，互联网大厂Token放量加速。

《科创板日报》16日讯，据TrendForce报道，西部数据近日通知客户将逐步提高所有HDD（机械硬盘）产品的价格。西部数据声称，其存储产品组合中每种容量的需求都达到了前所未有的水平，并且该公司正在投资先进的创新技术。

《科创板日报》15日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。

①目前NL HDD交期已从原本的数周，急剧延长为52周以上；
②存储产品涨价信号枪已经打响；
③机构称全球AI资本开支持续加码，存储步入全面涨价行情。

①英伟达与铠侠正合作开发一款SSD，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。
②SK海力士宣布，为满足AI智能手机需求，已开始供应一项全新的NAND解决方案。
③CFM闪存市场预计，包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情。

①美光已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4等存储产品全部停止报价，相关产品价格或将调涨20%-30%。
②闪迪继4月全系涨价10%之后，于上周宣布，针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行10%普涨。
③两家厂商本次涨价都不是出于成本压力，而是看到了下游的“强劲需求”

《科创板日报》12日讯，三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。

财联社9月12日电，午后存储芯片概念股涨幅进一步扩大 香农芯创直线拉升触及20cm涨停，精智达、普冉股份、佰维存储涨超10%。消息面上，隔夜美股存储公司集体大涨，闪迪涨超14%，美光科技涨7.55%。近日闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。

财联社9月12日电，早盘存储芯片概念走强，德明利涨停，香农芯创涨超3%续创历史新高，江波龙、普冉股份、朗科科技、佰维存储、万润科技等跟涨。消息面上，9月11日，存储大厂铠侠（Kioxia）宣布与英伟达展开合作，打造读取速度较传统SSD快近百倍的固态硬盘。铠侠SSD表示，公司正依循NVIDIA的提案与要求推进开发，这种新型SSD将达成GPU的直接连接与数据交换。