财联社6月3日电,早盘存储芯片概念拉升,万润科技涨停,佰维存储涨超10%,香农芯创、普冉股份、好上好、德明利等快速跟涨。消息面上,韩国统计厅数据显示,4月份芯片库存同比下降33.7%,为2014年底以来的最大降幅。此外韩国4月份芯片出口同比增长53.9%,其中存储芯片出口额同比大幅增长98.7%。
财联社5月30日电,存储芯片概念拉升,西测测试20CM涨停,万润科技、上海贝岭、华海诚科、佰维存储等快速跟涨。消息面上,高盛分析师公布报告预计,全球HBM(高带宽存储芯片)市场规模将在2023-2026年期间以约100%的复合年增长率增长,并在2026年达到300亿美元,较3月份的预测上调30%以上。
财联社5月24日电,中信证券研报认为,英伟达一季度业绩、指引均超市场预期,良好业绩表现反映全球对AI算力的持续强劲需求,料将对美股硬件&半导体相关企业中短期业绩继续形成有力支撑,但伴随AI算力下游客户结构不断扩散(从云厂商到企业、主权国家客户等),以及英伟达自身产品策略的不断优化等,从AI芯片到硬件&整机、网络设备等环节的产品形态、市场竞争结构、产业投资逻辑亦在快速变化,围绕英伟达技术路线和产业链,持续看好晶圆代工(先进制程)、存储芯片(HBM)、IT设备(AI服务器、高密度闪存)、数通设备(以太网)等环节的中期投资机会。
财联社5月23日电,存储芯片是半导体市场最主要的细分领域,主要分为闪存和内存。数据显示,今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示,从2023年年底开始,半导体存储产业逐步进入上行周期,今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示,存储芯片价格或还将持续上涨,预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。
《科创板日报》22日讯,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
《科创板日报》20日讯,因PC、智能手机需求复苏仍需时间,4月DRAM价格涨势停歇, 2024年4月指标性产品DDR4 4Gb及8Gb批发价(大宗交易价格)连续第二个月环比持平。但业内期待随着HBM需求与产量提升,带动DRAM价格上涨,“HBM产量增加的话,其他DRAM产量就会减少,进而推升价格。”电子产品商社指出,部分大厂已接受存储芯片厂商的涨价要求。某家PC厂商表示,4-6月的DRAM批发价将较1-3月扬升5-10%。
《科创板日报》17日讯,受NAND Flash大厂铠侠拖累,日本代表性的总合电机厂东芝上年度陷入亏损,且东芝宣布最高将在日本国内裁员4,000人。东芝表示,目前在东京都港区和川崎市皆设有总部办公室,之后计划在2025年度上半年内、将总部机能集中至川崎市,且会将营运资源转向功率半导体、量子技术等成长领域。(小K注:东芝持有铠侠约4成股权)
《科创板日报》16日讯,随着三星、SK海力士等公司的存储芯片产量增加,韩国材料企业的开工率维持在较高水平,但公司业绩并未得到相应改善。一位半导体材料行业相关人士表示,尽管开工率较去年有所提高,但销售价格与去年相似,加之能源价格上涨,营业利润率恶化不可避免。此外,之前存储芯片行业状况恶化时,三星、SK海力士要求材料供应商降低价格,目前仍维持这一价格水平,供应商提出提高产品价格,但这些请求尚未得到反馈。
财联社5月14日电,分析师警告称,高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面,因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。
①头部内存大厂全力抢占HBM、DDR5等新兴市场,新产能均投入相关新品,逐渐退出DDR3市场; ②DDR3下半年报价逐季看涨,涨幅有望扩大; ③三大内存厂不仅今年高带宽内存产能全被包走,明年相关产能也已销售一空。
①东芯股份拟以增资形式取得砺算科技40%的股权,投资金额预计不超过2亿元; ②砺算科技创始人曾向媒体表示,正在筹划在2023年实现将国内第一颗6nm GPU推向市场,性能对标国际一线; ③产业人士表示,GPU研发通常需要管理大几百号或千号研发,十多条研发管线,“难度想想就可怕”。
财联社5月9日电,灿芯股份20CM涨停,香农芯创、东芯股份、佰维存储、朗科科技、华海诚科、恒烁股份等跟涨。消息面上,据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。
①SK海力士CEO表示,公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄。 ②集邦咨询预计2023年-2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均将大幅向上。 ③国内方面,机构认为,需求叠加技术创新周期,HBM原厂、先进封装、半导体设备、半导体材料等环节公司均有望持续受益。
财联社5月2日电,在媒体招待会上,韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。
①盘点2023年之“最”:江波龙营收最高,东芯股份研发投入占比最高,澜起科技销售毛利率最高; ②进入2024年,多家公司逐步消化减值影响,去库效果初步显现; ③多家公司提及AI带来新需求。
财联社4月26日电,德明利涨停,深南电路、佰维存储涨超5%,澜起科技、协创数据、香农芯创、江波龙等跟涨。消息面上,近日,存储板块上市公司兆易创新、澜起科技等个股陆续披露了2024年一季度报告或一季度业绩预告,多家公司一季度业绩大幅增长,其中江波龙今年一季度净利润同比增长236.93%。
财联社4月25日电,江丰电子涨近10%。佰维存储、华海诚科涨超5%,香龙芯创、金太阳、盈方微、恒烁股份等跟涨。消息面上,近日SK海力士计划斥资约20万亿韩元(146亿美元)在韩国构建新的存储芯片产能,进行重大的产能升级,以满足快速增长的人工智能开发需求。
财联社4月24日电,SK海力士计划斥资约20万亿韩元(146亿美元)在韩国构建新的存储芯片产能,进行重大的产能升级,以满足快速增长的人工智能开发需求。这家韩国公司将初步拨出5.3万亿韩元,于4月底左右开始建设一家新工厂或晶圆厂,计划在2025年11月完工。根据声明,SK海力士将长期逐步发展该设施,总投资将超过20万亿韩元。
①和西部数据的情况类似,希捷科技目前也面临供不应求的情况; ②希捷科技预计未来几个季度价格将继续上涨; ③机构预计今年第二季度机械硬盘涨幅预计在5%-10%之间。