《科创板日报》2日讯，据报道，为应对未来晶圆涨价压力，SK海力士采取提前卡位策略并大幅增加了硅晶圆采购力度，公司2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，采购力度显著超越竞争对手三星电子。

财联社9月1日电，在半年报业绩会上，兆易创新副董事长、总经理何卫分析，DRAM产品方面，公司预计在下半年还会延续上涨的态势，价格会转为温和上行。展望2027年，DRAM行业增量产能释放相对有限，DRAM供应的紧张局面不会明显缓解，行业景气周期相对较长，产品价格会是高位震荡态势。SLC NAND Flash产品方面，公司认为景气周期会比较长，至少会延续2027年全年。

①今年8月全球DRAM与NAND闪存平均价格再创历史新高，但环比涨幅较7月收窄：DRAM环比涨4.2%，NAND环比涨1.4%。
②第三季度PC DRAM合约价环比涨幅预期上调至18%-23%，涨幅较二季度回落。

①HBM抢货情况相当激烈，就连英伟达、微软及谷歌都无法取得合约约定的全部供货量；
②供应压力正从HBM蔓延至一般DRAM。

财联社8月31日电，兆易创新消息，兆易创新正式加入全球主流开源实时操作系统Zephyr®项目。该项目由Linux基金会托管，兆易创新正式成为Zephyr®项目与Linux基金会双银牌会员。此次合作标志着兆易创新全球开源生态布局迈入新阶段。

①围绕韩国存储巨头SK海力士赴日建厂，周一更多消息传出；
②SK集团董事长崔泰源日前表示，SK海力士正考虑日本多个地点，作为共同营运工厂的可能选址。

《科创板日报》31日讯，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）交由英特尔生产，借此减少对台积电晶圆代工的依赖，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始。分析指出，对于HBM4而言，台积电的基础裸片价格比SK海力士采用其10nm级第五代工艺生产的核心芯片高出3到4倍。预计成本负担在向HBM4E过渡时还会进一步增加。鉴于HBM的长期供货合同（LTA）比例很高，公司很难立即将代工成本的增加转嫁到产品价格上，故需建立多供应商体系从而提高价格谈判能力。

财联社8月31日电，SK海力士正在研究在日本合资建厂生产存储芯片的可行性，这是该公司为满足人工智能(AI)需求激增、同时控制生产成本而考虑的多个方案之一。SK集团董事长崔泰源接受媒体采访时表示，公司正在日本各地选址，任何电力和水资源条件良好的地方都可以。他没有进一步透露潜在合作伙伴或具体地点。AI热潮推动存储芯片需求大幅增长，也使SK海力士成为英伟达以及数据中心开发商的重要存储芯片供应商。该公司正在全球寻找潜在生产基地，同时应对美国限制中国科技发展的政策环境。SK海力士计划斥资54万亿韩元（390亿美元）扩大韩国国内芯片制造设施，并正在美国印第安纳州建设先进存储芯片封装工厂。该公司上周为美国工厂举行了奠基仪式。

财联社8月30日电，知名风险投资公司a16z正将重注押向硬件领域，已为旗下首只专注于硬件基础设施的基金筹集11亿美元。这只名为“Machine Age”（机器时代）的基金将重点投资人工智能处理器、存储芯片、网络设备、数据存储、机器人等领域。

财联社8月29日电，长鑫存储发布消息，长鑫LPDDR6内存正式量产，小米18 Fold新折叠旗舰手机首发搭载。

①长鑫科技2026年上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润776.05亿元；
②展望2026年下半年，长鑫科技表示，全球DRAM产品供给紧缺格局将继续延续。

财联社8月28日电，长鑫科技(688825.SH)在2026年半年度报告称，展望2026年下半年，全球DRAM产品供给紧缺格局将继续延续。公司将持续关注宏观经济波动、地缘政治局势等外部影响，直面多重挑战，把握发展机遇，锚定全年业绩增长目标、新应用场景拓展、重点项目落地、产学研深度融合等方向发力，力争在运营效能提升、产品迭代升级、长期发展布局、开放协同创新等方面取得更大突破，进一步强化核心竞争力，扩大市场影响力。

财联社8月27日电，SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设；将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。SK海力士CEO预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。

①在HBC制造中，高通负责制造DRAM芯片下方的计算芯片，并提供TSV设计。
②三星电子和SK海力士负责DRAM芯片的堆叠，计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。
③海通国际证券认为，HBC契合当前推理算力需求快速增长、HBM供应紧张及客户关注单位token成本下降的大趋势。

财联社8月27日电，临近尾盘，存储芯片概念持续走高，德明利涨停，此前大普微20cm涨停，恒烁股份、澜起科技、联芸科技、香农芯创、普冉股份、佰维存储等多股涨超6%。消息面上，三星电子与SK海力士计划在今年下半年增加对英伟达的8层HBM4内存供应量。据了解，8层内存极有可能成为下一代HBM4E的旗舰产品。

财联社8月27日电，国家统计局工业司首席统计师于卫宁表示，随着“人工智能+”加快拓展、算力需求持续扩张，相关产品需求增加拉动价格上涨，带动与人工智能生产和应用相关的电子行业利润高速增长。1—7月份，电子行业利润同比增长1.1倍，拉动全部规模以上工业企业利润增长9.3个百分点，是规模以上工业企业利润较快增长的主要支撑。其中，以算力芯片、存储芯片为代表的集成电路行业利润同比增长18.5倍，对全部电子行业利润增长贡献率超过八成。其他相关行业中，与计算机、服务器相关的计算机整机制造、计算机外围设备制造、工业控制计算机及系统制造行业利润分别增长3.3倍、2.5倍、1.6倍；电子器件制造和电子元件制造领域中，电子专用材料制造、半导体分立器件制造、电子电路制造行业利润分别增长226.8%、45.8%、37.1%。

财联社8月27日电，存储芯片概念盘初拉升，大普微20cm涨停，联瑞新材、同有科技、佰维存储、香农芯创、普冉股份跟涨。消息面上，大普微2026年半年报显示，上半年归母净利润13.34亿元，增长477.08%。其中第二季度单季主营收入34.13亿元，同比增长656.4%。

财联社8月27日电，美东时间周三盘后，全球AI芯片龙头英伟达公布了强劲的2027财年第二季度财报并举行财报电话会议。财报会重点内容如下：

①当前无约束真实市场需求可达100%增速，全年增长受限唯一因素是供应链产能不足，而非下游需求疲软。
②服务器CPU业务迎来爆发拐点，预计2028财年营收实现翻倍以上增长，正式切入全球高端CPU赛道，打开全新增长空间。
③形成全栈AI工厂体系，从Blackwell迭代至Vera Rubin，单吉瓦算力对应的市场空间从180亿美元升至400亿美元，单位算力价值持续跃升。
④伴随产品涨价落地与新一代高毛利产品放量，2028财年毛利率将修复至72%-73%，盈利韧性依旧强劲。
⑤AI已抵达产业拐点，彻底告别概念阶段。当前AI生成的Token具备实际生产力与商业盈利性，算力直接等价于收入，行业逻辑从“技术迭代”转向“商业变现”。
⑥AI算力供给短缺格局至少延续至2028财年末，晶圆产能、HBM存储、机房电力均处于全面紧缺状态，行业不存在产能过剩风险。
⑦扩大与亚马逊的合作。在现有庞大英伟达算力部署基础之上，AWS（亚马逊云科技）从本季度直至2029财年第二季度，将额外部署200万颗GPU。
⑧存储芯片价格行情远超此前预期，明年还会继续走高。英伟达和三大存储厂商保持深度长期合作，共同扩产匹配产品路线图需求。

财联社8月27日电，英伟达周三盘后在财报电话会上表示，受全球存储芯片（DRAM/HBM）持续超预期涨价影响，公司毛利率将短期承压。2027财年Q3毛利率预计74%，Q4回落至71%-72%触底；伴随产品涨价落地与新一代高毛利产品放量，2028财年毛利率将修复至72%-73%，盈利韧性依旧强劲。管理层强调，存储涨价是AI算力需求爆发的配套产物，成本上行的同时对应行业整体景气度抬升，属于良性行业通胀。