财联社10月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。展望2026年，预估Server整机出货量年增幅度将扩大至4%左右，且因各CSP积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算，Server单机DRAM搭载容量将随之提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续。由于Server需求维持强劲，预期DDR5合约价于2026全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。对比当前2026年HBM议价情况，随着三大原厂于HBM3e竞争的格局形成，且买方有一定库存水位，预计合约价将转为年减。TrendForce集邦咨询分析，2025年第二季时，HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，且前者能为供应商带来较佳的获利。然随着DDR5价格持续走扬，两者价差将于2026明显收敛，于2026年第一季起，DDR5的获利表现将优于HBM3e。

《科创板日报》29日讯，据长鑫存储官网，2025年10月，长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上分享了LPDDR5X产品的最新进展。目前长鑫存储LPDDR5X的产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点。芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10677Mbps，同时兼容LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10677Mbps速率的产品已经启动客户送样。

财联社10月29日电，存储芯片概念盘中再度走强，佰维存储、江波龙涨超10%，德明利涨超6%，均续创历史新高，云汉芯城、香农芯创、华海诚科、同有科技、开普云等跟涨。消息面上，韩国SK 海力士公布第三季度财报显示，营业利润同比激增 62%，并表示客户已锁定该公司明年全系列存储芯片的供货。

①据悉，8TB SSD产品订单交付时间已经排到了明年下半年。
②SK海力士表示，2026年DRAM和NAND全系列产品的订单已被预订一空。
③今年9月，另一类非易失性存储Nearline HDD的交付周期已从原本的数周急剧延长为52周以上。

①截至目前，三星HBM3E出货时间明显落后于SK海力士、美光等存储厂商；
②早在今年7月，三星被传出将针对部分客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。
③AI驱动下传统存储芯片需求激增，机构人士预测其明年盈利能力或超HBM。

《科创板日报》28日讯，三星电子已确认为英伟达最新的个人AI工作站DGX Spark供应存储解决方案PM9E1 SSD，最高支持4TB容量。DGX Spark 是一款面向研究人员和创作者的桌面AI超级计算机，其计算性能高达每秒1千万亿次浮点运算(PFLOPS)。

财联社10月27日电，午后存储芯片概念涨势扩大，江波龙涨超10%，德明利涨近9%，均创历史新高，此前大为股份、中电港涨停，伟测科技、联瑞新材、普冉股份、兆易创新涨幅靠前。消息面上，上周五美股存储芯片概念再度狂飙，闪迪大涨超11%，美光科技涨近6%，希捷科技、西部数据盘中均一度涨超6%。财联社记者从存储产业链人士处获悉，目前部分原厂的部分Dram和Flash产品已经处于暂停报价状态。

财联社10月27日电，存储芯片概念反复活跃，普冉股份大涨10%创新高，德明利、香农芯创、江波龙均创新高。消息面上，三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。此外，美股Sandisk再度大涨超10%。

财联社10月25日电，财联社记者从存储产业链人士处获悉，目前部分原厂的部分Dram和Flash产品已经处于暂停报价状态，“就算报价，价格有效期也很短，一天一个价。”针对这种情况，国内产业链亦受到不小影响。江波龙证券部人士在接受采访时称，公司有存货，上游涨价对公司毛利率促进作用；普冉股份证券部人士表示，最近四季度开始有一些供给紧张，公司想要和下游商议是否能有价格涨幅；香农芯创证券部人士则称，作为分销商，存储上游涨价对公司毛利率影响较小，影响主要来自量的变化。（财联社记者 王碧微）

《科创板日报》24日讯，《科创板日报》记者从普冉股份证券部获悉，普冉股份四季度有在跟下游客户洽谈NOR Flash存储芯片价格变化，部分产品价格较三季度有所改善。相较于三星电子、SK海力士等主要内存供应商，公司产品主要为Nor Flash，存储容量相对较小，与DRAM存储芯片相比市场空间较小，且公司采取代工的经营模式，而上述厂商采用IDM经营模式，通过控制产能调控价格能力较强；从四季度行业趋势来看，年底相对有好转趋势。（记者 陈俊清）

①据报道，部分存储芯片客户正与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议。
②威刚董事长陈立白认为，第四季度是存储严重缺货的起点，明年将继续处于供货吃紧状态。
③目前三星正在加紧推进HBM4的研发，计划于10月27日至31日进行发布。

《科创板日报》23日讯，人工智能驱动的存储“超级周期”或将比以往的繁荣时期持续时间更长、强度更大。三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。

①香农芯创2025年第三季度营收实现92.76亿元，同比增长6.58%，为单季度收入历史新高；归母净利润为2.02亿元，同比下降3.11%；
②香农芯创表示，与上年同期对比，今年市场需求提升、产品销售价格同比上涨及公司产品结构变化综合影响，导致收入增加。

《科创板日报》22日讯，根据集邦咨询最新内存现货价格趋势报告，DRAM方面，为规避价格进一步上涨的需求，DDR4及DDR5交易量激增，DDR4 1Gx8 3200 MT/s现货均价环比上涨9.86%。与此同时，NAND Flash价格本周持续上涨，受供应商报价上涨带动，各容量Wafer价格平均涨幅达15%-20%。

《科创板日报》22日讯，随着数据中心扩张加速，以及云计算领导者将重点从AI训练转向推理，大容量存储器的需求激增，推动全球NAND闪存市场快速复苏。消息人士称，三星电子已扩大其位于平泽的主要NAND工厂的运营，其第八代（V8）NAND生产线的利用率在第三季度较上一季度提升了10%以上，达到了80%左右。

财联社10月22日电，伴随着存储芯片市场的涨价潮，A股存储芯片相关公司的盈利预期改善、股价一路高涨，存储芯片“超级周期”来临。业内人士认为，这轮“超级周期”由AI驱动，数据中心大容量存储需求高速增长，叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率提升，共同推动本轮存储技术创新与市场扩容。展望后市，分析人士预计AI服务器存储产品的涨价潮或延续至2026年。国内存储公司有望继续受益于“价格回升+国产替代”的双重驱动。叠加消费电子需求提升，国内存储芯片公司开工情况稳中向好。

①有迹象显示，随着芯片制造商竞相投入于人工智能芯片的全球热潮，正导致智能手机、计算机和服务器中广泛使用的普通存储芯片供应趋紧；
②部分客户恐慌性采购，继而进一步推高了价格。

财联社10月21日电，存储芯片概念快速走强，香农芯创涨超10%，云汉芯城涨超9%，普冉股份、江波龙、德明利涨超5%。消息面上，美光科技执行副总裁近日表示，2026年的DRAM内存供应局面将比现在更为严峻。其称这是因为HBM对晶圆的消耗约是传统DRAM产品的三倍，三大内存原厂的大量产能已投入到HBM上；而目前建设新的DRAM晶圆厂所需的时间和金钱成本也在上升，短时间内无法大规模扩产。