财联社3月19日电，从2025年四季度开始，内存条价格进入上升通道，进入2026年，涨势不减。广东深圳华强电子世界商户屈先生表示，“我记得最便宜的时候，2025年四月、五月、六月，金士顿的16G普条（基础款内存）是200元左右。现在是800多元近900元，非常吓人的涨势。以前买32G内存条是800元，现在可能需要3800元，涨了300%左右。”内存价格大幅上涨让早已被市场淘汰的DDR3型号内存条近期又重返市场。华强北商户陈先生告诉记者，虽然DDR3型号内存条性能老旧，但因为价格相对低廉，反而成了部分公司和出口订单的过渡选择。

《科创板日报》19日讯，存储短缺影响持续外溢，光碟产业迎来价格反弹。据光碟大厂铼德指出，由于市场需求回温叠加供给收敛，今年首季报价调涨逾10%，预期下一季仍有10%至20%的上涨空间，近10年首现报价调涨。

财联社3月19日电，美东时间周三盘后，美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉在财报电话会上表示，人工智能技术的快速迭代，正大幅提升机器人的性能，机器人行业即将迎来为期20年的增长周期，未来有望成为科技领域最大的产品品类之一，“我们预计，这一极具潜力的新兴增长品类将进一步夯实存储行业长期向好的发展格局。美光科技已做好充分准备，把握机器人领域的发展机遇。”

财联社3月19日电，美东时间周三盘后，美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉在财报电话会上表示，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。为解决供需之间的巨大缺口，美光科技正积极推进全球产能布局，预计2027财年，公司资本支出将大幅增加，主要用于高带宽存储器（HBM）和 DRAM 相关投资。

①美光公司在2026财年第二财季营收增长近两倍，达238.6亿美元，超出分析师预期的200.7亿美元，调整后每股收益为12.20美元，远超预期的9.31美元；
②尽管业绩强劲，美光股价在盘后交易中下跌超4%，因市场预期过高，且公司计划大举增加支出以提高产能。

财联社3月19日电，阿里云、百度智能云等云厂商3月18日同步上调AI算力与存储产品价格，最高涨幅达34%。2025年下半年以来，全球存储芯片进入新一轮涨价周期，如今其连锁反应正持续发酵。近日，OPPO、vivo宣布手机涨价。据报道，韩国三星电子或发生大规模罢工，这为本就紧张的存储产品供需再添压力。业内人士表示，2026年-2027年存储芯片价格将保持坚挺，全产业链正迎来新一轮成本考验。

财联社3月18日电，周三，美股存储概念股逆市上涨，延续近期上涨趋势。截至发稿，闪迪(SNDK.US)涨超3%，美光科技(MU.US)涨超1.5%，西部数据(WDC.US)涨0.6%，齐破新高。

财联社3月18日电，腾讯高管18日晚回应存储芯片涨价问题时表示，人工智能需求激增不仅带动DRAM及高带宽内存（HBM）需求回升，乃至CPU、固态硬盘、机械硬盘等需求全面回升。目前订单已需提前几个月、几个季度甚至数年预定。供应商优先保障规模最大、合作最稳定的客户，比如腾讯云。规模较小的云厂商如今已难以确保获得稳定的供应链支持。腾讯高管表示，在此背景下行业或别无选择，只能将成本上涨转嫁至售价。过去24小时内，已目睹多家中国云厂商在多方面的价格上调。

财联社3月18日电，美股芯片存储板块盘前普涨。美光科技涨近3%，上一交易日收涨4.5%，总市值首次突破5000亿美元。公司即将于美东时间周三盘后公布财报。闪迪涨近4%，西部数据、希捷科技涨超2%。

①三星电子的一位高管周三表示，在全球人工智能浪潮推动下，预计今年芯片需求将保持强劲；
③他同时警告称，存储芯片价格上涨可能会冲击电脑和手机出货量。

①三星半导体业务执行副总裁韩进万表示，明年市场对LPU的需求有望实现进一步增长；
②三星电子已确认正在开发HBM5，其底层芯片或采用2纳米工艺；
③自本周以来，三星电子已累计涨超11%，该公司市值已突破1370万亿韩元。

《科创板日报》18日讯，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

财联社3月17日电，群智咨询发布2026年一季度存储价格风向标。2026年第一季度，全球存储芯片市场在AI算力需求与消费电子供需格局的双重作用下，呈现出价格超预期上涨、结构性分化加剧的显著特征。AI服务器需求持续强劲，叠加消费端需求不确定性增强，存储原厂将产能优先向HBM、DDR5等高利润产品倾斜，导致消费电子用DRAM与NAND供应规模进一步收缩。与此同时，存储厂商与终端厂商的库存水位持续处于低位，补库存需求强烈，进一步放大了市场供应紧张缺口。根据群智咨询数据，2026年第一季度存储价格涨幅超预期，其中消费电子存储价格环比2025年第四季度涨幅超60%，NAND环比涨幅更是突破70%。

《科创板日报》17日讯，近期，随着个别上游供应端释出NAND报价，带动512Gb NAND单GB价格已向上突破$0.35，1Tb则上涨至$0.22左右。不过，当前现货倒挂形势严峻，贸易端wafer价格高位站岗，市场买盘情绪偏弱。成品方面，受近期新采购资源价格上涨影响，LPDDR4X生产成本已涨至$1.6/Gb以上，存储厂商再度上调LPDDR4X价格，大容量产品成交相对更加艰难。行业厂商仍在持续消化资源成本上涨的压力，缓慢推动部分低容量SSD成品价格小幅攀升。而渠道市场虽有部分客户询单，但经过多轮涨价后，存储成品价格过高已明显打击客户的采购意愿，市场实际成交十分有限。整体来看渠道市场以持稳为主 ，仍需时间等待更多的客户接受当前价位水平。

财联社3月17日电，韩国SK集团会长崔泰源16日在美国圣何塞接受记者采访时表示，全球存储芯片短缺现象可能持续至2030年，SK海力士将为稳定价格竭尽全力，并正在考虑发行美国存托凭证（ADR）的方案。

财联社3月17日电，当地时间周二（3月17日），韩国SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030年。与此同时，他预计DRAM、NAND和HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。

财联社3月17日电，韩国三星最大的工会组织“全国三星电子工会（NSEU）”威胁称，公司正就三星史上最大规模的罢工计划进行投票——一旦本周三投票通过，将在5月中断芯片生产，这可能给三星公司带来数百亿美元的损失。三星作为全球最大的存储芯片制造商，如果其发生罢工事件，可能会对三星半导体业务造成重大冲击，并加剧全球半导体供应的瓶颈问题，从而抑制从汽车、电脑到智能手机等行业的半导体供应。

①韩国SK集团董事长崔泰源预测全球内存芯片短缺将持续到2030年，因芯片生产存在系统性瓶颈，且市场对人工智能需求增加；
②崔泰源预计DRAM、NAND和HBM芯片价格将持续上涨，SK海力士正考虑在美上市发行ADR以扩大投资者群体。

财联社3月17日电，AI带动存储市场规模不断扩大，其已成为半导体产业最大的组成部分，且依然供不应求。多位业内人士表示，现货市场，有些存储产品目前价格较2月已经涨价近20%；合约市场，在三星、SK海力士带动下，全球存储二季度涨价已经确立，全年HBM（高带宽内存）产能缺口预计达50%至60%，涨价依然是主旋律。