①多位产业链人士表示，因为AI对市场的促进仍停留在数据中心端，目前存储市场出现“冰火两重天”； ②传统存储产品明年需求分化仍预计延续，消费型产品压力较大； ③HBM预计持续需求高涨，分析称国产HBM2-3年内或面市。
《科创板日报》26日讯，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产光刻工艺中光刻胶的使用量。据消息人士透露，其已制定未来NAND的生产路线图，仅使用目前光刻胶量的一半。
《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2亿美元，季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。平均销售单价部分，三大原厂延续前一季的上涨趋势，加上HBM持续挤压整体DRAM产能，合约价于第三季达成8%至13%的涨幅。 展望2024年第四季，TrendForce集邦咨询预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格则因HBM挤压产能效应可能较预期弱，加上部分供应商扩产将驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，预期一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都将下跌。
财联社11月25日电，据路透社11月22日报道，美国商会21日向会员发电子邮件称，拜登政府最早将于下周（11月25日-12月1日）公布新的对华出口限制。据路透社22日看到的一段内容，这个总部位于华盛顿的强大游说团体在电子邮件中说，新规定可能会将多达200家中国芯片公司列入贸易限制名单，禁止大多数美国供应商向目标公司发货。电子邮件称，负责监管美国出口政策的商务部计划在28日的感恩节假期之前公布新规定。 电子邮件还说，预计下个月将公布另一套限制向中国出口高带宽存储芯片的规定，作为更广泛的人工智能一揽子计划的一部分。知情人士称，第一轮监管规定很可能包括限制向中国出口芯片制造工具。
①存力正在成为金融业数智化转型的卡点； ②随着国内持续推进存力建设，数据存储产业正在成为中国科技的新名片。
《科创板日报》18日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年DRAM价格将转为下跌。其中，制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确，加上部分买卖方库存水位偏高，价格不排除于今年第四季底开始下跌。
财联社11月18日电，服务器市场继续拉动对存储需求的增长，三季度的全球存储市场规模延续二季度的增长趋势。据CFM闪存市场数据显示，2024年三季度全球NAND Flash市场规模环比增长5.7%至190.21亿美元，DRAM市场规模环比增加10.4%至258.5亿美元。全球存储市场规模三季度环比增长8.3%至448.71亿美元。2024年前三季度，全球存储市场规模累计达1202.25亿美元，同比增长96.8%。
《科创板日报》14日讯，SK海力士近日在SK AI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e 16hi内存，每个立方体的容量为48 GB，样品定于2025年上半年推出。TrendForce最新发现显示，该产品内存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用，其有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。
①三星正在为微软和Meta供应量身打造的HBM4内存； ②据悉，公司计划在现有封装设施的基础上兴建服务于HBM内存的半导体封装工厂； ③除此之外，SK海力士也积极应对HBM的定制化趋势。
《科创板日报》8日讯，三星电子已确定韩国平泽第四园区(P4)第一条生产线的投资方向，并已更改了生产线名称为P4H，准备同时量产NAND和DRAM。其中，每月对NAND生产规模为1万片，DRAM产能预计至少每月3万至4万片。
《科创板日报》4日讯，三星电子计划于本月第四周开始在“NRD-K”项目引进设备，预计将加速下一代存储器的开发，特别是1d DRAM和V11、V12 NAND。NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研发综合体，尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。
财联社11月1日电，合肥海恒控股集团有限公司10月25日在上海证券交易所成功发行全国首单科技成果转化债，募集资金7亿元，聚焦科技成果转化，重点投向集成电路领域的新型存储芯片制造技术研发项目及存储芯片自主研发制造的某国家级战略项目，旨在在中试熟化和成果产业化两个阶段加大投入，助力新型存储芯片实现技术产业化，助力DRAM领域技术成果实现产业化转化。
财联社10月31日电，韩国半导体产量一年多来首次同比下降，这是全球人工智能发展推动的繁荣周期可能开始降温的另一个迹象。根据政府统计部门周四发布的数据，9月全国半导体产量下滑3%，此前一个月增长11%。出货量增速也从8月的17%降至0.7%。不过，库存水平显示库存仍在快速消耗，9月同比下降41.5%。这些数字显示，随着存储芯片需求见顶，该行业可能正在逐渐降温。
《科创板日报》29日讯，模组厂预期，第四季度仅eSSD与HBM产品出货量和价格增加，其他存储产品如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于消费性产品如手机及PC将与需求持平，仅服务器相关需求持续走强。
①SK海力士公布第三季度业绩，其中HBM销售同比增超330%； ②美银预计，SK海力士今明两年的HBM销售额将达92亿和158亿美元； ③券商观点，建议关注AI投资主线下算力、存储和先进封装相关的新材料。
《科创板日报》22日讯，三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）量产线，三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片，并计划于明年底发布。
《科创板日报》22日讯，由于PC、智能手机需求不振，用于暂时储存数据的DRAM价格1年5个月来首次下跌，2024年9月指标性产品DDR4 8GB批发价为每个2.04美元左右，容量较小的4GB产品价格为每个1.57美元左右，两者均较前一个月份环比下跌3%。
《科创板日报》15日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，NAND Flash产品受2024年下半年旺季不旺影响，wafer合约价于第三季率先下跌，预期第四季跌幅将扩大至10%以上。模组产品部分，除了Enterprise SSD因订单动能支撑，有望于第四季小涨0%至5%；PC SSD及UFS因买家的终端产品销售不如预期，采购策略更加保守。TrendForce预估，第四季NAND Flash产品整体合约价将出现季减3%至8%的情况。
①韩国统计厅周一公布的数据显示，上个月韩国的半导体库存以2009年以来最快的速度减少，这表明用于AI开发的高性能存储芯片的需求持续增长。 ②数据显示，8月份韩国芯片库存同比下降了42.6%，比7月份同比下滑34.3%的降幅更大。
