①存储原厂2025年HBM产能已被预订一空,订单能见度直达2026年Q1。 ②摆在供应商面前的有两条路:扩产和技术提升——由不得选择,只能“两条腿走两条路”。 ③IC设备和材料供应商已经看到中国企业对HBM等产品的需求强劲。
财联社6月19日电,知情人士透露,美光科技正在美国建设先进的高带宽存储器测试生产线,并考虑首次在马来西亚生产HBM,以抓住人工智能热潮带来的更多需求。知情人士透露,美光科技正在扩建位于爱达荷州博伊西总部的HMB相关研发设施,包括生产和验证线。他们说,该公司还在考虑在马来西亚建立HBM生产能力。
《科创板日报》18日讯,存储芯片供应链透露,上游存储原厂HBM订单2025年预订一空,订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年订单也接近满载,估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能,势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为,DDR5价格持续走扬态势明确,预期到了年底前还有10~20%涨幅,但若DDR5价格太高,反而可能拖延市场渗透率的起飞速度,影响下游客户采用的意愿。
①公司今年年末的产能目标较去年给出的数据高近三成。 ②设备厂商已接获相关订单,订单数量增长超出其最初预期。 ③下单的设备中,这三类是重点>>
财联社6月13日电,好上好3连板,古鳌科技、华虹公司、金太阳、上海贝岭、南大光电、兆易创新等跟涨。消息面上,高盛分析师公布报告预计,全球 HBM(高带宽存储芯片)市场规模将在 2023-2026 年期间以约 100% 的复合年增长率增长,并在 2026 年达到 300 亿美元,较 3 月份的预测上调 30% 以上。
《科创板日报》13日讯,据报道,标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际,DDR3产能不足状况更显严重,由于三星等大厂退出DDR3制造,但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加,单一设备搭载容量直线上升,将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析,随着主要DRAM厂减产效应持续发酵,带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在,且后面涨势依然可期,DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季,对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言,DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。
①存储成为苹果AI的关键与瓶颈。 ②知名分析师郭明錤认为,能否支持Apple Intelligence端侧模型的关键是DRAM大小,而非AI算力。 ③IDC指出,16GB RAM将成新一代AI手机基础配置。
财联社6月5日电,近日,有消息称,碧桂园旗下风险投资部门碧桂园创投正考虑出售存储芯片制造商长鑫存储的股权,筹资约20亿元。对此,碧桂园内部人士6月5日向记者表示,公司致力于积极探索各种策略以优化资产负债结构,包括对资产组合的审慎评估和潜在的资产处置机会。“若有任何实质性进展或具体决策,我们将按照相关规定,及时向市场披露。”该人士称。
《科创板日报》5日讯,据CFM闪存市场分析,对于即将到来的Q3,多家存储原厂释出报价继续上浮讯号。终端厂商普遍表示实在难以接受较大幅度的涨幅。在国内GPU供应受限的情况下,厂商只能通过堆料实现目标性能,接连几个季度大幅涨价使其硬件成本急剧增加,在当前AI尚无实际落地场景,未来商业化仍存在不确定性情况下,零部件成本持续大幅上扬可能会抑制终端投资热情。
财联社6月3日电,早盘存储芯片概念拉升,万润科技涨停,佰维存储涨超10%,香农芯创、普冉股份、好上好、德明利等快速跟涨。消息面上,韩国统计厅数据显示,4月份芯片库存同比下降33.7%,为2014年底以来的最大降幅。此外韩国4月份芯片出口同比增长53.9%,其中存储芯片出口额同比大幅增长98.7%。
财联社5月30日电,存储芯片概念拉升,西测测试20CM涨停,万润科技、上海贝岭、华海诚科、佰维存储等快速跟涨。消息面上,高盛分析师公布报告预计,全球HBM(高带宽存储芯片)市场规模将在2023-2026年期间以约100%的复合年增长率增长,并在2026年达到300亿美元,较3月份的预测上调30%以上。
财联社5月24日电,中信证券研报认为,英伟达一季度业绩、指引均超市场预期,良好业绩表现反映全球对AI算力的持续强劲需求,料将对美股硬件&半导体相关企业中短期业绩继续形成有力支撑,但伴随AI算力下游客户结构不断扩散(从云厂商到企业、主权国家客户等),以及英伟达自身产品策略的不断优化等,从AI芯片到硬件&整机、网络设备等环节的产品形态、市场竞争结构、产业投资逻辑亦在快速变化,围绕英伟达技术路线和产业链,持续看好晶圆代工(先进制程)、存储芯片(HBM)、IT设备(AI服务器、高密度闪存)、数通设备(以太网)等环节的中期投资机会。
财联社5月23日电,存储芯片是半导体市场最主要的细分领域,主要分为闪存和内存。数据显示,今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示,从2023年年底开始,半导体存储产业逐步进入上行周期,今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示,存储芯片价格或还将持续上涨,预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。
《科创板日报》22日讯,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
《科创板日报》20日讯,因PC、智能手机需求复苏仍需时间,4月DRAM价格涨势停歇, 2024年4月指标性产品DDR4 4Gb及8Gb批发价(大宗交易价格)连续第二个月环比持平。但业内期待随着HBM需求与产量提升,带动DRAM价格上涨,“HBM产量增加的话,其他DRAM产量就会减少,进而推升价格。”电子产品商社指出,部分大厂已接受存储芯片厂商的涨价要求。某家PC厂商表示,4-6月的DRAM批发价将较1-3月扬升5-10%。
《科创板日报》17日讯,受NAND Flash大厂铠侠拖累,日本代表性的总合电机厂东芝上年度陷入亏损,且东芝宣布最高将在日本国内裁员4,000人。东芝表示,目前在东京都港区和川崎市皆设有总部办公室,之后计划在2025年度上半年内、将总部机能集中至川崎市,且会将营运资源转向功率半导体、量子技术等成长领域。(小K注:东芝持有铠侠约4成股权)
《科创板日报》16日讯,随着三星、SK海力士等公司的存储芯片产量增加,韩国材料企业的开工率维持在较高水平,但公司业绩并未得到相应改善。一位半导体材料行业相关人士表示,尽管开工率较去年有所提高,但销售价格与去年相似,加之能源价格上涨,营业利润率恶化不可避免。此外,之前存储芯片行业状况恶化时,三星、SK海力士要求材料供应商降低价格,目前仍维持这一价格水平,供应商提出提高产品价格,但这些请求尚未得到反馈。
财联社5月14日电,分析师警告称,高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面,因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。
①头部内存大厂全力抢占HBM、DDR5等新兴市场,新产能均投入相关新品,逐渐退出DDR3市场; ②DDR3下半年报价逐季看涨,涨幅有望扩大; ③三大内存厂不仅今年高带宽内存产能全被包走,明年相关产能也已销售一空。
①东芯股份拟以增资形式取得砺算科技40%的股权,投资金额预计不超过2亿元; ②砺算科技创始人曾向媒体表示,正在筹划在2023年实现将国内第一颗6nm GPU推向市场,性能对标国际一线; ③产业人士表示,GPU研发通常需要管理大几百号或千号研发,十多条研发管线,“难度想想就可怕”。