《科创板日报》12日讯,根据TrendForce最新内存现货价格走势报告,DRAM方面,现货市场成交持续增加,合约市场对SK海力士DDR5产品需求旺盛,DDR5货源紧俏,价格上涨。整体来看,DDR4产品成交势头弱于DDR5产品,主流芯片现货均价(如DDR4 1Gx8 3200MT/s)由上周的1.445美元上涨至本周的1.454美元,涨幅0.62%。NAND Flash方面,本周Wafer现货市场延续涨价态势,后续Wafer价格有望持续上涨,512Gb TLC晶圆现货价格本周上涨2.33%,报2.5美元。
①NAND Flash控制芯片厂群联估计,NAND供需有望在下半年趋于紧张; ②群联CEO潘健成表示,受备货需求提升和大厂减产影响,NAND Flash涨价已是进行式; ③券商认为,端侧AI百花齐放带动各类存储需求高速增长。
《科创板日报》11日讯,NAND Flash控制芯片厂群联预计,第一季度将是全年低点,随着NAND原厂涨价以及DeepSeek带动AI边缘装置等效应显现,NAND供需有望在下半年趋于紧张,全年营运表现将优于去年。
①今日,全球知名的存储产品供应商闪迪发布涨价函,4月1日起将实施涨价,幅度预计超过10%,并且预计接下来的几个季度还会有额外涨幅; ②一名存储企业高管透露,此前几家存储芯片原厂已经发布15%-25%的减产计划,对国内存储模组厂商而言,涨价会马上跟进。
《科创板日报》6日讯,根据TrendForce集邦咨询最新调查,观察2025年第一季市况,尽管4TB及8TB的Enterprise SSD持续受惠于AI Training需求,但采购量成长仍不敌淡季效应。此外,市场供过于求态势明显,且部分供应商积极消化16TB及30TB产品库存,预计可能导致第一季Enterprise SSD合约价格跌幅在18%至23%间,相关营收将因此大幅下滑近30%,这种情况将于2025年下半年后逐渐改善。
《科创板日报》3日讯,根据TrendForce集邦咨询最新调查,分析2025年第一季市况,尽管供应商已开始积极减产,仍难以避免传统淡季效应,包括Server等各项终端产品备货速度已放缓,预估在订单量、合约价皆大幅衰退的情况下,第一季NAND Flash整体产业营收可能季减高达20%。然而,随着减产加上价格于第一季逐步触底,预期NAND Flash产业下半年可望重回上升轨道。
①AI时代爆发性的算力增长对存力提出了新要求; ②2025年以来各大存储厂商均发布减产计划,有望开启新一轮涨价周期; ③机构称存力有望成为AI浪潮下半场的关键。
《科创板日报》27日讯,根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第四季全球DRAM产业缺口突破280亿美元,较前一季增长9.9%;由于服务器DDR5的合约价格上涨,加上HBM集中出货,前三大业者均持续季增。平均销售单价方面,大部分应用产品的合约价格均下降,美系CSP增加采购大容量因服务器DDR5,成为支撑服务器DRAM价格续涨的主因。展望2025年第一季,随着进入生产淡季,整体原厂出货位元量将季减。价格部分,因PC OEM、手机业者持续去化库存,DRAM供应商将DDR4及部分HBM产能回流至Server DDR5,CSP采购动能放缓,预估第一季一般型DRAM合约价及一般型DRAM及HBM合并的整体合约价皆下跌。
财联社2月26日电,万润科技直线拉升涨停,佰维存储、康强电子、北京君正、西测测试、深科技、香农芯创等跟涨。消息面上,Omdia发文称,下一波人工智能浪潮将重点聚焦在AI代理部署和私人数据增强训练方面,这将引发数据中心存储支出的增加。预计2025年存储增长持续复苏,到2029年,存储设备出货量将以12.5%的CAGR增长。
《科创板日报》25日讯,SK海力士2月25日发布消息称,韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂于昨日正式破土动工。SK海力士去年7月通过董事会决议,决定投资约9.4万亿韩元(约合66亿美元)建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂,一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后将成为高带宽存储器(HBM)等新一代DRAM存储芯片生产基地。
①澜起科技2024年实现归母净利润14.12亿元,同比增长213.10%,创历史新高; ②其DDR5内存接口芯片出货量超过DDR4内存接口芯片,DDR5第二子代内存接口芯片出货量超过第一子代产品。
《科创板日报》24日讯,Omdia发文称,下一波人工智能浪潮将重点聚焦在AI代理部署和私人数据增强训练方面,这将引发数据中心存储支出的增加。预计2025年存储增长持续复苏,到2029年,存储设备出货量将以12.5%的CAGR增长。但传统存储区域网络 (SAN) 和网络附加存储 (NAS) 次级细分市场已然成熟,预计这些领域将经历缓慢增长甚至负增长。
财联社2月24日电,午后香农芯创直线拉升涨超15%,此前德明利涨停,华海诚科、北京君正、普冉股份、同有科技、江波龙等涨超5%。消息面上,CFM闪存市场数据最新显示,2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度,全球存储市场规模环比增长4.2%,达到467.55亿美元。
《科创板日报》17日讯,三星电子正在开发下一代DRAM,以最大限度地提高AI智能手机和PC的计算性能。为确保移动HBM的性能和稳定性,三星电子此前宣布将利用铜柱连接堆叠的DRAM。
财联社2月12日电,韩国十大制造业企业今年投资规模将同比增加7%,为119万亿韩元(约合人民币5990亿元)。具体来看,半导体行业将以尖端存储芯片为中心加大投资力度,迎合全球稳步增加的人工智能(AI)设备需求。汽车行业将加大对电动化转型的投资力度。但受电动汽车需求停滞、全球供应过剩等因素影响,二次电池和钢铁行业的投资恐将减少。
《科创板日报》11日讯,三星电子和SK海力士已开始减少NAND闪存产量。据业内人士透露,为了应对供应过剩的问题,三星电子和SK海力士从去年年底开始将旧的NAND闪存工艺生产线转换为新工艺。目前,三星电子正在用176层、238层、286层等最新产品取代目前占产量大部分的128层产品。SK海力士正在进行技术迁移,以在其NAND生产基地量产最新的238层和321层产品。
财联社2月6日电,芯片股午后持续走强,香农芯创涨超10%,全志科技、拓荆科技、北方华创、聚辰股份、华海清科、气派科技、国科微、恒烁股份、微导纳米等多股涨超5%。华鑫证券认为,算力芯片和存储芯片将成为产业链上的关键节点,此次国家大基金三期除了对半导体设备、材料等的持续投资之外,更有可能将HBM芯片等作为重点投资方向。
财联社1月24日电,德明利午后涨停,协创数据、炬光科技涨超5%,江波龙、长电科技、佰维存储、同有科技、万润科技等跟涨。