《科创板日报》11日讯，根据TrendForce最新发布的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，随着农历新年临近，DRAM现货交易放缓，大多数交易者暂缓报价和购买。由于现货价格远高于合约价格，TrendForce预计短期涨幅有限。与此同时，NAND方面，随着春节假期临近，各晶圆厂陆续放假停产，加上现货价格相对较高，导致市场购买情绪下降。

①在存储涨价风暴越刮越猛之际，美国存储芯片大厂美光科技的目标价再获上调；
②德银将美光目标价从300美元大幅上调67%至500美元，较最新收盘价高出逾30%；
③该行分析师Melissa Weathers称，她预计DRAM的供应紧张局面将持续至2027年乃至2028年。

《科创板日报》11日讯，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉，传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来，而AIP旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。

①大型科技公司的最新资本支出预测令投资者感到震惊；
②若将内存成本剔除，科技巨头的资本支出图景将截然不同；
③RBC测算，剔除内存成本后，2026年资本支出增速预计将从2025年的约80%大幅回落至40%左右。

财联社2月11日电，中芯国际高管今日在业绩说明会上表示，2025年公司资本开支为81亿美元，高于年初预期，主要是因为应对客户强劲需求、外部环境变化以及设备交付时间加长。近期看到人工智能对于存储的强劲需求，挤压了手机等其他应用领域，特别是中低端领域能拿到的存储芯片供应，使这些领域的终端厂商面临存储芯片供应量不足和价格的压力。即使终端厂商可以通过调整价格的方式来消化成本上涨的压力，也会导致对终端产品需求的下降。综合以上因素，使得晶圆厂收到的中低端订单减少，但与AI、存储、中高端运用相关的订单是增加的。

财联社2月10日电，无锡市委书记杜小刚2月9日与来锡考察的SK中国董事长朴成泽一行会谈，双方围绕不断提升合作层次、拓展合作领域进行深入交流。

①据媒体周一援引业内消息人士报道称，韩国SK集团会长崔泰源已在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面；
②双方就高带宽内存（HBM）供应以及更广泛的人工智能（AI）业务合作事宜进行了商讨。

①2026年第一季度，全球内存价格环比飙升了80%至90%，创下前所未有的涨幅纪录；
③内存芯片盈利能力预计将达到前所未有的水平，DRAM的营业利润率在2025年第四季度已达到60%左右。

《科创板日报》9日讯，三星电子决定最早于本月第三周开始量产HBM4，这批产品将用于英伟达下一代人工智能计算平台Vera Rubin。在已通过英伟达认证测试的情况下，三星电子综合考虑Vera Rubin的上市计划，最终敲定了量产时间。业界预计，英伟达有望在下月举行年度开发者大会（GTC）上首次公开搭载三星电子HBM4的相关产品。

①证券公司运营着数百台大型服务器，因此单台设备价格的上涨会直接影响其整体IT预算；
②过去服务器设备交付只需要2-3周，如今已延迟至2-3个月；
③全球范围内，消费电子终端厂商普遍面临存储成本上涨及缺料问题。

财联社2月6日电，美股期指收复盘中所有跌幅并转涨，道琼斯指数期货涨0.11%，盘中一度跌0.6%。标普500指数期货涨0.28%，盘中一度跌1%。纳斯达克100指数期货涨0.32%，盘中一度跌1.6%。美股存储板块盘前走强。美光科技涨2.6%，闪迪涨4.8%，西部数据涨2.2%，希捷科技涨1.6%。

①该条款允许供货方根据交割后的市场价格而非固定期限价格作出调整；
②存储巨头们正加强审查客户订单，要求披露最终用户和订单量信息，以确保需求真实性。

《科创板日报》6日讯，一种新型的交易模式正在存储巨头和客户之间兴起，三星、SK海力士和美光正在转向短期合同，其中一些合同包含“结算后”条款。即使在供应结束后，付款也会根据市场价格进行调整，从而获取价格上涨带来的收益。据悉，该条款主要针对北美大型科技客户。

《科创板日报》6日讯，游戏公司Valve在Steam硬件博客上发文称，自去年11月宣布要推出Steam控制器、Steam主机等产品以来，原计划此时已能公布具体定价和发售时间。但由于存储芯片陷入短缺，这些关键部件的供应有限且价格不断上涨，现在必须重新审视这些产品的确切出货时间和定价。

财联社2月6日电，据行业媒体《The Information》报道，英伟达很可能计划在2026年不推出任何新游戏显卡。该报道称，英伟达目前已完成了RTX 50 Super系列显卡的设计，但当前存储芯片短缺问题迫使该公司不得不降低该产品的生产优先级。该公司目前正优先保障其AI芯片的存储供应。

财联社2月5日电，美股存储板块盘前反弹。美光科技涨1%，前一交易日跌超9%；闪迪涨近3%，前一交易日跌近16%；希捷科技涨1%，前一交易日跌近6%。

《科创板日报》5日讯，Counterpoint表示，2026年第一季度内存价格环比上涨80%-90%，创下前所未有的历史新高。此次价格上涨的主要驱动因素是通用服务器DRAM价格的急剧上涨。此外，第四季度相对平静的NAND闪存价格在第一季度也出现了80%-90%的同步增长。再加上部分HBM3e产品价格的上涨，整个市场呈现出全面上涨的态势。

财联社2月5日电，索尼表示，正与供应商洽谈，以增加内存供应。索尼补充道，已确保为今年假日销售季备妥PS5专用内存。