财联社1月9日电，台积电2025年12月销售额3,350亿元台币，同比增长20.4%。台积电2025年累计销售额3.81万亿元台币，同比增长31.6%。

财联社1月8日电，巴克莱银行将台积电目标价从355美元上调至380美元。

《科创板日报》8日讯，台积电先进制程维持高产能利用率，其中3nm制程持续供不应求。芯片业内人士透露，台积电今年除调高3nm报价外，已暂时停止3nm新案启动。业内人士分析，主因在于订单满载、现有产能已难以负荷，短期内扩产速度亦难以追上客户需求涌入。台积电正鼓励仍处于产品规划初期的客户，直接评估导入2nm制程，以利后续量产与成本配置。

财联社1月6日电，台积电盘前涨超2%。

财联社1月5日电，台积电股价再度大涨3.4%，报330美元/股，再创历史新高，总市值达1.7万亿美元。

财联社1月5日电，台交所加权股价指数收涨2.6%报30,105.04点。半导体股引领市场走高，台积电上涨5.4%。

《科创板日报》5日讯，台积电2nm (N2) 先进制程工艺量产初期的产能约为每月3.5万片晶圆，到今年底有望升至14万片/月，高于此前市场预估的10万片/月。台积电目前的2nm产能来自新竹Fab 20 Phase 1和高雄Fab 22 Phase 1，这两座超级晶圆厂的第二阶段 (Phase 2) 均预计于今年内投产，同样为2nm产线。

财联社1月1日电，台积电声明，美国商务部已向台积电南京公司颁发美国出口管制物项的年度出口许可证。台积电表示，该许可证于现有经验证最终用户(VEU)授权于2025年12月31日到期前签发，可确保晶圆厂运营与产品交付不受影响。

财联社12月31日电，据报道，消息人士表示，台积电预计将于2026年第二季度开始扩大英伟达H200芯片产能。

财联社12月31日电，据环球网，“据消息人士透露，三星和SK海力士已获美国批准，在2026年向中国出口芯片制造设备。”路透社30日报道称，在今年早些时候撤销一些科技公司在美国芯片制造设备出口方面的许可豁免后，美国暂时松绑了对韩国企业的限制。报道称，三星、SK海力士和台积电此前受益于美国对华芯片相关出口全面限制的豁免政策，即“经验证最终用户（VEU）”制度。被列入“VEU”清单的企业，可以从美国进口指定的受管制物项（包括半导体设备和技术），无须再单独申请出口许可证。

财联社12月30日电，费城半导体指数小幅高开，现涨0.4%，阿斯麦涨1.6%，美光科技涨1.1%，台积电涨1%。

财联社12月29日电，台积电2纳米技术已如期于2025年第四季开始量产。

《科创板日报》24日讯，Counterpoint Research报告称，今年三季度全球半导体代工2.0营收达848亿美元，同比增长17%；其中台积电营收同比增长41%，市场份额扩大至39%。

财联社12月23日电，记者从多个渠道求证获悉，中芯国际已经对部分产能实施了涨价，涨幅约为10%。有公司反映，预计涨价会很快执行。但由于之前存储产品价格过低，晶圆厂早已率先对其实施了涨价。“由于手机应用和AI需求持续增长，带动套片需求，从而带动了整体半导体产品需求的增长。”对于中芯国际涨价的原因，有半导体业内人士解读，原材料涨价也是其中因素。此外，台积电确认整合8英寸产能，并计划在2027年末关停部分生产线，或也引发晶圆厂涨价预期。事实上，由于需求旺盛，中芯国际、华虹公司的产能利用率持续增长，并已接近满载或超过满载。

财联社12月18日电，台积电据悉将于明年夏天在美国亚利桑那州工厂安装3纳米制程设备。

《科创板日报》12日讯，台积电正在考虑利用其在日本的第二家工厂生产更先进的4纳米芯片，以应对人工智能相关需求激增。据三位知情人士透露，从原订的6纳米、7纳米向4纳米制程技术的潜在转型可能会导致该工厂的工期延误和设计变更。该工厂于10月下旬才开始建设，位于熊本县，与台积电在日本的首家工厂毗邻，计划于2027年投产。

财联社12月11日电，据一份报告指出，主要供应商台积电目前的先进封装产能已经全部预定完毕，其中英伟达占到超一半的份额。台积电的CoWoS先进封装解决方案一直是行业内最受青睐的技术，然而，供应链消息人士此前指出，台积电无法满足行业不断增长的封装需求，决定将部分订单外包，由中国台湾地区的日月光和矽品精密等企业负责分担。

《科创板日报》10日讯，半导体设备厂商透露，台积电与日月光集团、Amkor与联电等都在加速扩充先进封装CoWoS产能，从订单分布观察，2026~2027年GPU、ASIC客户需求均超出预期。其中，英伟达持续预订台积CoWoS过半产能，博通与AMD分别占据二、三名。