财联社9月15日电，台积电表示，在将AI应用于技术开发方面采取“保守”策略。

《科创板日报》15日讯，联发科发布天玑9600Pro旗舰芯片，这是联发科首款基于台积电2nm制程打造的移动SoC，对比前代3nm方案性能提升14%，功耗下降23%，以AI原生架构重新设计整套SoC，将 CPU、GPU、NPU、ISP 等异构计算核心实现软硬融合。

《科创板日报》15日讯，据报道，三星电子为其高带宽内存（HBM）提供基础芯片的战略预计将发生重大变化。在定制化HBM市场需求增长预期之下，该公司将采取“双轨制程”战略，即同时利用内部代工厂和台积电工艺来生产基础芯片。

《科创板日报》15日讯，时序进入第三季下旬，台积电3nm、2nm先进制程与CoWoS先进封装产能持续供不应求。供应链人士透露，英伟达、苹果等持续占有台积电先进制程与封装资源。此外，亚马逊AWS近期放大AI自研芯片投片，旗下Annapurna取得更多3nm产能。联发科除手机芯片外，也因谷歌TPU相关大单，争抢2/3nm制程与CoWoS-S/L产能。

财联社9月14日电，美股芯片股盘前下挫，英伟达下跌2%，AMD跌4.1%，英特尔跌4.9%，台积电跌3.1%。

《科创板日报》14日讯，据报道援引供应链人士消息，台积电近期首度向供应链披露明年2纳米、3纳米扩产规划。其中，2纳米月产能将从今年底的9万片增至明年中的11万片，增幅约22%；3纳米月产能则将从今年底的逾18万片增至明年中的21万片，增幅逾16%。

财联社9月10日电，台积电8月销售额5148.0亿元台币，同比增长53.3％；1-8月累计销售额3.39万亿元台币，同比增长39.3％

财联社9月10日电，市场研究机构集邦科技(TrendForce)称，台积电进一步巩固了在全球晶圆代工市场的领先优势，第二季度市占率升至创纪录的72.5%，高于第一季度的72.3%。集邦科技表示，台积电受益于当前人工智能热潮，先进的3纳米和5纳米制程产能满载，以满足AI芯片需求。出货量增加以及平均价格上升，也帮助巩固了台积电的市场领先地位。三星电子第二季度以5.9%的市占率排名第二，中芯国际以5.4%位居第三。

财联社9月8日电，阿斯麦美股盘前涨超2%，公司新一代EUV光刻机获得台积电和三星电子的使用承诺。

财联社9月8日电，据报道，台积电和三星承诺，将使用阿斯麦新一代EUV光刻机。

财联社9月8日电，台积电表示，目标是在2031年前建成12英寸掩模中试生产线。

财联社9月4日电，费城半导体指数上涨3.01%，英伟达上涨2.47%，台积电上涨2.09%，博通上涨0.45%，SK海力士上涨2.84%，美光科技上涨3.26%，英特尔上涨1.88%，阿斯麦上涨3.97%，泛林集团上涨4.84%，Arm Holdings上涨4.30%，闪迪上涨5.39%，高通上涨0.74%，西部数据上涨5.46%，希捷科技上涨5.84%，迈威尔科技上涨3.40%，Lumentum上涨3.38%，Coherent上涨5.89%，三倍做多半导体ETF-Direxion上涨8.86%。

财联社9月2日电，据报道，台积电的CoWoS订单已排满至2027年，部分客户甚至需要等待一年以上才能拿到订单。在台积电供应瓶颈持续的情况下，英特尔的新技术作为替代方案正受到关注。据悉，联发科在近期财报电话会议上正式宣布，计划同时采用CoWoS和EMIB-T技术，大规模开发人工智能专用集成电路（ASIC）；博通和Meta也在考虑从CoWoS过渡到EMIB以降低成本，而谷歌和英伟达也对EMIB-T表现出浓厚的兴趣。

《科创板日报》2日讯，台积电先进封装研发处长陈燕铭表示，微通道（Microchannel）散热技术通过在晶片或封装结构内设置微型流体通道，让冷却液更接近热源，有助提高热传效率，台积电已开始导入相关技术，并计划与封装架构共同开发。陈燕铭还称，台积电可整合24颗HBM、面积大于14倍光罩尺寸的CoWoS版本预计2029年实现。从2024年至2029年，单一CoWoS封装可整合的AI运算晶体管数量将增长逾48倍，HBM带宽规模则增加34倍，凸显散热技术必须同步升级。

《科创板日报》31日讯，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）交由英特尔生产，借此减少对台积电晶圆代工的依赖，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始。分析指出，对于HBM4而言，台积电的基础裸片价格比SK海力士采用其10nm级第五代工艺生产的核心芯片高出3到4倍。预计成本负担在向HBM4E过渡时还会进一步增加。鉴于HBM的长期供货合同（LTA）比例很高，公司很难立即将代工成本的增加转嫁到产品价格上，故需建立多供应商体系从而提高价格谈判能力。

财联社8月28日电，穆迪确认台积电的Aa3评级，前景展望上调至积极。

财联社8月25日电，台积电供应商日亚化学据悉将在中国台湾地区建厂。

财联社8月20日电，据报道，台积电已完成1.6nm级A16工艺开发与验证，计划今年第四季度量产。该工艺采用背面供电网络技术“超级电源轨（SPR）”，将电源与信号线路分离，从晶圆背面供电，以减少布线瓶颈、提升能效与性能，同时保持与现有设计的兼容性。A16瞄准AI与高性能计算市场。相较增强版2nm工艺N2P，A16在同等功耗下性能提升8%-10%，同等性能下功耗降低15%-20%，芯片密度提升8%-10%。A16被视为向1.4nm级A14过渡的中间节点，后者目标2028年量产。与此同时，台积电持续加码先进工艺与封装产能。11日，台积电董事会批准了总额约294.425亿美元（约合41万亿韩元）的资本支出，用于先进工艺和封装等领域。