①据悉，大孔径铥激光器或有望取代EUV采用的二氧化碳激光器； ②BAT系统使用掺铥元素的氟化钇锂作为增益介质，从而增加激光束的功率和强度； ③此外，BAT系统中使用的二极管泵浦固态技术可以提供更好的整体电气效率和热管理。
《科创板日报》6日讯，据报道，阿斯麦（ASML）下周将由CEO克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）带领多位高层，与台积电董事长兼总裁魏哲家、共同营运长秦永沛等多位高管会面。供应链认为，ASML将进一步了解台积电未来数年制程技术Roadmap与采购计划，并希望台积电能加速并扩大下单要价近3.8亿美元的High NA EUV光刻机。
《科创板日报》19日讯，Rapidus已开始在位于北海道的在建芯片制造工厂安装日本首台ASML极紫外(EUV)光刻设备。 公司正与IBM合作，计划于2025年春季采用最先进的2nm工艺开发原型芯片，并于2027年实现量产。
财联社12月3日电，国林科技20CM涨停，新莱应材涨超5%，珂玛科技、东方嘉盛、蓝英装备、张江高科、晶方科技、波长光电等跟涨。
《科创板日报》15日讯，日本先进半导体代工企业Rapidus购入的第一台ASML EUV光刻机将于2024年12月中旬抵达北海道新千岁机场，这也将成为日本全国首台EUV光刻设备。根据Rapidus高管以往表态，该光刻机是较早期的0.33 NA型号，而非目前全球总量不足10台的0.55 NA（High NA）款。
《科创板日报》15日讯，SK海力士技术长Seon-yong Cha表示，正考虑引进ASML造价4亿美元的High NA EUV光刻设备，生产下一代存储芯片。
《科创板日报》4日讯，TechInsights表示，每台ASML 0.33 NA EUV光刻机的功耗就已经达到了1170kW，而0.55NA (High NA) 光刻机的功耗预计将进一步增长至1400kW。
《科创板日报》1日讯，当地时间周四，拜登政府宣布将在纽约州奥尔巴尼市投资8.25亿美元，建造国家半导体技术中心（NSTC）的关键设施。美国商务部表示，纽约州奥尔巴尼的场地将专注于极紫外（EUV）光刻技术。
《科创板日报》30日讯，据报道援引消息人士称，三星电子将从ASML引进首台High-NA EUV光刻机EXE:5000，预计2025年初到货。半导体设备安装通常需要较长测试时间，该光刻机预计最快2025年中旬开始运行。High-NA EUV为2纳米以下先进制程所需设备，韩国业界预期，三星也将正式启动1纳米芯片的商用化进程。
财联社10月16日电，在关键设备供应商ASML控股公司（ASML Holding NV）不温不火的前景引发全球芯片板块暴跌后，芯片股投资者正面临新一轮的严峻考验。美国上市的芯片制造商加上亚洲最大股票的指数市值损失超过4200亿美元。ASML股价周三继续下跌，跌幅达5.0%。荷兰ASML发出的警告终结了此前推动美国上市股票指标达到三个月高点的涨势。在制造世界上最先进的芯片制造设备的ASML因人工智能领域以外的疲软而下调前景后，其股价在欧洲创下自1998年以来最大跌幅。ASML将其2025年总净销售额预测区间的上限从400亿欧元下调至350亿欧元（380亿美元）。
①由于财测下调，阿斯麦美股ADR遭遇暴跌，周二收跌16.26%并创下了1998年以来的最大单日跌幅； ②研究公司TechInsights的副董事长Dan Hutcheson表示，英特尔、台积电和三星正在减少对阿斯麦设备的订单，因为它们已经意识到有充足的产能。
《科创板日报》10日讯，台积电将于9月底前引进其首台高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻机，据悉，此次购入价格远低于原定3.5亿欧元（约27.47亿人民币）的单台报价。
