《科创板日报》4日讯，TechInsights表示，每台ASML 0.33 NA EUV光刻机的功耗就已经达到了1170kW，而0.55NA (High NA) 光刻机的功耗预计将进一步增长至1400kW。
《科创板日报》1日讯，当地时间周四，拜登政府宣布将在纽约州奥尔巴尼市投资8.25亿美元，建造国家半导体技术中心（NSTC）的关键设施。美国商务部表示，纽约州奥尔巴尼的场地将专注于极紫外（EUV）光刻技术。
《科创板日报》30日讯，据报道援引消息人士称，三星电子将从ASML引进首台High-NA EUV光刻机EXE:5000，预计2025年初到货。半导体设备安装通常需要较长测试时间，该光刻机预计最快2025年中旬开始运行。High-NA EUV为2纳米以下先进制程所需设备，韩国业界预期，三星也将正式启动1纳米芯片的商用化进程。
财联社10月16日电，在关键设备供应商ASML控股公司（ASML Holding NV）不温不火的前景引发全球芯片板块暴跌后，芯片股投资者正面临新一轮的严峻考验。美国上市的芯片制造商加上亚洲最大股票的指数市值损失超过4200亿美元。ASML股价周三继续下跌，跌幅达5.0%。荷兰ASML发出的警告终结了此前推动美国上市股票指标达到三个月高点的涨势。在制造世界上最先进的芯片制造设备的ASML因人工智能领域以外的疲软而下调前景后，其股价在欧洲创下自1998年以来最大跌幅。ASML将其2025年总净销售额预测区间的上限从400亿欧元下调至350亿欧元（380亿美元）。
①由于财测下调，阿斯麦美股ADR遭遇暴跌，周二收跌16.26%并创下了1998年以来的最大单日跌幅； ②研究公司TechInsights的副董事长Dan Hutcheson表示，英特尔、台积电和三星正在减少对阿斯麦设备的订单，因为它们已经意识到有充足的产能。
《科创板日报》10日讯，台积电将于9月底前引进其首台高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻机，据悉，此次购入价格远低于原定3.5亿欧元（约27.47亿人民币）的单台报价。
《科创板日报》9日讯，业界传出，台积电首台ASML High NA EUV光刻系统设备传本月将进机，由于该款逾4亿欧元设备且因光镜头镜片无法分拆入厂，高度比一间会议室还高且长度也远超前一代设备，因规格特殊且精密，恐须机场或港口联通的高速公路交管或特定深夜运送入厂避免交通不顺。对于业界传闻，ASML今日提到不评论单一客户。台积电则表示不回应市场传闻。
《科创板日报》6日讯，荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）在官网发布声明称，荷兰政府今日公布了浸润式DUV光刻机出口新规，自9月7日起生效。这意味着，ASML需要向荷兰政府申请出口许可证才能发运TWINSCAN NXT:1970i和1980i DUV光刻机。此前，ASML最先进的浸润式DUV光刻机（即TWINSCAN NXT:2000i及后续推出的浸润式DUV光刻机）已被限制，需要荷兰许可证才能发运。此外，ASML EUV光刻机的销售也需要许可证。
财联社9月5日电，荷兰计算机芯片设备供应商ASML首席执行官Christophe Fouquet当地时间9月4日在花旗银行的一场会议上表示，美国限制ASML对华出口是出于“经济动机”。他预计该公司应对出口限制的反击措施将会增加。
①三星正在测试由东京电子提供的GCB设备，旨在改进其EUV光刻工艺； ②近年来随着工艺制程不断发展，EUV光刻成本持续攀升； ③在此背景下，包括东京电子、应用材料在内的设备厂商持续推出新技术以实现降本增效。
《科创板日报》19日讯，SK海力士EUV材料技术人员表示，该企业计划于2026年首次导入ASML的High NA EUV光刻机。SK海力士新近成立了一个High NA EUV研发团队，正致力于将High NA EUV光刻技术应用到最先进DRAM内存的生产上。
《科创板日报》16日讯，三星计划在今年年底或2025年第一季度引入其首台High-NA EUV光刻机“EXE:5000”，预计该设备将用于晶圆代工业务。目前，ASML仅制造了8台EXE:5000设备，其中多台已经被英特尔公司预定。
《科创板日报》7日讯，荷兰国家应用科学研究院Stodolna等提出了一种能够产生氢等离子体的实验装置，以便进一步研究改进EUV光刻。之前的等离子体发生器非常复杂，需要大量资源，但该团队的装置非常简单，使用机的是市场上可买到的技术。他们的装置主要依靠高压、大电流电子束枪，该电子束枪可以产生短电子脉冲，通过电子撞击电离产生等离子体。在测试中，它能够再现EUV生成等离子体的关键参数。
财联社8月2日电，据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。
《科创板日报》29日讯，半导体设备行业人士援引台积电制定的路线图指出，台积电A14制程将于2026年上半进行风险试产，最快2027年第3季量产，量产初期仍主要采用ASML第三代标准型EUV设备NXE:3800E。预计在2028年，A14制程的改良升级版A14P，将正式采用High-NA EUV，而在2030年后的A10制程中，将全面导入High-NA EUV。
