《科创板日报》15日讯，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

《科创板日报》15日讯，据集邦数据，今日国际DRAM颗粒现货价格整体上涨，仍是DDR4 8Gb (512Mx16) 2666上涨幅度最大，为3.77%，均价18.333美元。此外，DDR4 8Gb (1Gx8) 2666今日上涨2.75%，均价23.375美元。

《科创板日报》15日讯，根据TrendForce最新发布的存储现货价格趋势报告，即便交易表现较为平淡，DRAM现货价格仍持续攀升。由于供应商和贸易商采取惜售策略（保留库存），推动主流DDR4 1Gx8 3200MT/s的平均价格上涨了9.64%。与此同时，NAND闪存方面，尽管部分买家采取了观望态度，但对未来价格走势持乐观态度的现货贸易商拒绝降价刺激销售。

财联社1月15日电，港股半导体尾盘持续拉升，华虹半导体涨超6%，中芯国际涨超3%。

财联社1月15日电，据环球网报道，外交部发言人毛宁主持例行记者会。法新社记者提问称，美国总统特朗普日前表示，美国政府将批准向中国出售H200人工智能芯片。但他同时表示，美国政府将抽取销售总额25%。中方对此有何评论？毛宁对此表示，对于美国输华芯片问题以及关税问题，中方都已经多次表明了立场。

财联社1月15日电，台积电表示，正在加快美国亚利桑那州的产能扩张。

财联社1月15日电，台积电表示，正在台湾地区筹备多个阶段的2纳米晶圆厂。

财联社1月15日电，美股半导体设备股夜盘集体拉升，阿斯麦涨超5%，台积电、应用材料涨超4%。消息面上，台积电表示未来三年资本支出将更高，预计2026年资本支出520亿美元至560亿美元。

财联社1月15日电，台积电预计2026年以美元计销售额增长近30%。

财联社1月15日电，台积电表示，长期毛利率达到56%及以上是可实现的。

财联社1月15日电，台积电表示，未来三年资本支出将显著增加。

财联社1月15日电，台积电预计2026年资本支出520亿美元至560亿美元。小财注：台积电2025年资本支出总计409亿美元。

财联社1月15日电，台积电2025年第四季度净利润5,057亿元台币，同比增长35%，预估4,670亿元台币，销售额1.05万亿台币，预估1.03万亿台币。台积电第四季度毛利率62.3％，预估60.6％。

财联社1月15日电，从中国科学技术大学获悉，中科大张树辰特任教授团队联合美国普渡大学、上海科技大学的研究人员，在新型半导体材料领域取得重要进展——研究团队首次在二维离子型软晶格材料中，实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结的可控构筑，为未来高性能发光和集成器件的研发开辟了全新路径。相关成果于1月15日在线发表于国际权威学术期刊《自然》。