财联社7月15日电，记者最新获悉，蔚来成为长鑫科技战略投资方，承诺认购金额为1.58亿元，锁定期限为18个月。双方将就现有车规级LPDDR4X、LPDDR5X产品开展战略合作，致力于构建稳定、互信的战略供应关系。近年来，蔚来持续布局芯片、智能驾驶、能源等底层核心技术，并不断深化与产业链关键伙伴的战略合作。

财联社7月15日电，Wind数据显示，截至7月14日，全市场ETF近一周净流入榜单中，科创半导体ETF华夏排名第一。该ETF近一周由申赎带来的净流入金额达119.61亿元，与排名第二的南方中证2000ETF相比高出27.68亿元，形成断崖领先优势。分主题来看，近一周净流入排名前20的ETF中，半导体及通信主题ETF占据7席。其中，半导体设备ETF国泰、半导体设备ETF易方达近一周由申赎带来的净流入金额分别达55.06亿元和33.89亿元。

财联社7月15日电，国家统计局发布数据显示，6月份规模以上集成电路生产517亿块，同比增长18.8%。

财联社7月15日电，韩国金融投资协会表示，该国10家大型资产管理公司的CEO讨论了推出针对个股杠杆ETF的投资者保护措施，包括提高最低存款要求以及分散再平衡交易时间。根据该协会发布的声明，与会者一致认为，有必要将投资此类杠杆产品的最低存款要求从目前的1000万韩元（6714美元）水平上提高。他们还指出，需要加强流动性提供者的市场稳定器作用。韩国金融投资者协会援引韩国资本市场研究院的数据称，自相关杠杆ETF推出以来，每日再平衡所需的股票交易量估计约为7000亿-2.1万亿韩元。

财联社7月15日电，核心宽基ETF继续净流入。Wind数据显示，昨天净流入超20亿元的5个指数，4个是宽基。中证500的29只ETF昨日净流入最多，合计流入26.07亿元；科创50指数的21只ETF净流入23.2亿元；沪深300指数的30只ETF净流入23.19亿元；中证1000指数的15只ETF净流入21.07亿元。单只产品来看，南方中证500ETF昨天净流入最多，流入了18.73亿元；其次是华夏上证科创板半导体材料设备主题ETF净流入16.82亿元；南方中证1000ETF、易方达沪深300ETF、华夏上证科创板50ETF也净流入超10亿元，分别为16.04亿元、10.73亿元、10.29亿元。本周，宽基ETF整体净流入555.11亿元，其中，中证1000ETF整体净流入最多，已净流入150.46亿元；沪深300ETF合计净流入122.37亿元；中证500ETF合计净流入103.31亿元。

《科创板日报》15日讯，7月14日，力积电总经理朱宪国在业绩说明会上表示，公司自本月起将存储代工报价上调45%，提价效应预计11月起反映在营收上，有望进一步拉动营收、提升盈利，同时提高存储业务在整体营收中的占比。朱宪国介绍，公司自主研发的OneX DRAM工艺已于6月进入小批量试产，现阶段持续推进良率优化与客户认证工作；和美光联合开发的OneP工艺计划明年一季度完成设备进场，目标2028年年中实现量产，持续推进DRAM工艺向更先进节点迭代。

财联社7月15日电，外资机构调研A股公司的积极性不断走高。Wind数据显示，截至7月13日，今年以来已累计有580多家外资机构对A股公司开展3900余次调研，电子设备、半导体设备、集成电路等科技赛道成为外资机构聚焦的重点。频频调研的背后，是外资机构对中国经济和A股市场的集体看好。渣打银行、高盛对A股给出超配评级，摩根士丹利、瑞银等看好中国股票的后市表现。摩根士丹利中国首席股票策略分析师王滢结合近期全球路演反馈表示，国际投资者对中国股票的兴趣持续升温，预计未来数月将出现资金逐步重新配置的趋势。

财联社7月15日电，行云科技最新公告显示，公司今年4月签订的算力服务合同迎来大幅提价，合计上调租金28.79亿元，较原签约金额上调79%。“多重因素共同推动算力服务价格大幅提升，高端算力服务迎来量价齐升。一方面，高端芯片供应持续偏紧，高端算力服务器交付周期大幅拉长；另一方面，‘训练+推理’等高端算力需求呈现指数级增长。”7月14日，一位算力行业人士向记者表示，“目前，高端算力服务仍然延续供不应求格局。”

财联社7月14日电，费城半导体指数开盘涨3.93%。英伟达股价上涨1.35%，台积电股价上涨2.04%，博通股价上涨1.36%，美光科技股价上涨5.18%，超威半导体股价上涨5.92%，阿斯麦股价上涨3.38%。

财联社7月14日电，Quantum X Labs验证了连续数据量子采样工作流，并借助英伟达CUDA-Q实现了显著的GPU加速。

财联社7月14日电，以色列芯片制造商Tower Semiconductor当地时间7月14日宣布，将投资30亿美元加强在日本的芯片制造，其中包括来自日本政府的10亿美元拨款。声明称，第一阶段将大幅增加300毫米硅光子器件产能，预计将于2027年第四季度全面投产。该阶段包括改造原Fab 6工厂，使其具备300毫米硅光子器件产能和先进封装能力。第二阶段将与第一阶段同步启动，包括在Fab 7工厂旁新建一座300毫米晶圆制造厂。