财联社6月17日电，阿斯麦CEO表示，人工智能基础设施需求持续攀升。

《科创板日报》17日讯，记者从多个消息源获悉，上海临港将建设一座沐曦GPU万卡集群。目前项目仍处于推进阶段，最终采用曦云C550还是最新一代曦云C600方案，尚未最终确定。

财联社6月17日电，2026陆家嘴论坛6月17日在上海召开。在“全体大会三：建立健全功能完善的资本市场”上，摩根士丹利亚洲首席执行官兼股票部全球联席主管Gokul LAROIA表示，中国市场中人工智能相关投资机遇巨大。他表示，当前，全球人工智能相关投资规模已接近1.5万亿美元。除美国外，中国是唯一拥有完整人工智能生态体系的市场，且这一市场仍在持续演变。从半导体到数据中心，从云服务提供商到大语言模型，无论是数字应用还是物理应用，每家公司都蕴藏着巨大的价值创造潜力。

财联社6月17日电，字节跳动数据中心建设进展再添新消息，行业人士称字节跳动正与天数智芯讨论采购至少5万颗AI芯片，主要用于推理工作。据记者多方了解，本次洽谈供货芯片主要用于大模型推理负载，对应天数智芯智铠系列云端推理GPU，训练场景使用天垓系列。若交易达成，天数智芯将成为华为和寒武纪之后，字节跳动的第三家GPU供应商。截至发稿，字节跳动与天数智芯方面暂未发表回应。

《科创板日报》17日讯，TrendForce最新报告指出，台积电目前聚焦CoPoS，并锁定310×310毫米基板尺寸，预计2026年是相关设备与材料商的关键验证期，2027年进入试产，2028下半年正式量产。此外，台积电下一阶段布局重点预计将转向玻璃基板，量产或将在2030年后实现。

财联社6月17日电，据知情人士透露，由于人工智能基础设施的需求已经远超台积电的先进芯片制造产能，三星电子正收到来自谷歌、AMD、特斯拉等越来越多全球客户的芯片代工订单。据最新财报显示，三星的代工及系统LSI业务一季度合计营收达6.9万亿韩元（约合人民币307.74亿元），同比增长约15%。而未来，随着新订单潮的涌来，三星有望看到其代工业务进一步上涨。

财联社6月17日电，新加坡金融管理局行长谢啇真表示，全球股权投资估值高度依赖人工智能，但AI相关营收回报仍具有很强不确定性，能源和芯片成本也在不断攀升。AI短期内的快速应用，可能带来经济效益不足、安全保障不足等风险。

财联社6月17日电，本月以来，科技主线继续领跑市场，通信，电子板块涨幅居前，并稳居年内行业涨幅榜第一、第二名。细分领域中，电子化学品、小金属、金属新材料、玻璃玻纤、塑料、非金属材料、元件、通信设备等方向表现尤为活跃。从ETF资金流向来看，规模居前的头部宽基ETF（如上证50、沪深300等）以及科创50、创业板相关ETF多数延续净赎回态势，份额持续收缩；与之相对，通信、工业母机、科创新材料等科技主题ETF份额则明显增长。剔除价格波动影响后，月内规模增量超过20亿元的基金包括：通信ETF国泰、工业母机ETF国泰、中证500ETF南方、电力ETF广发、煤炭ETF国泰，其中，目前规模最大的通信主题ETF——通信ETF国泰以92亿元的净流入规模高居首位。（财联社 梓隆）

财联社6月17日电，美股芯片股盘前走强。美光科技涨近5%，阿斯麦涨4.5%，迈威尔科技涨4%，英特尔涨3.5%，台积电涨近2%。

财联社6月17日电，瑞银日前发布亚太科技策略研究报告。该报告就“代理式AI是2026年的关键拐点”“存储器半导体上升周期是否持续”以及“重新审视半导体设备”等话题进行了探讨。瑞银认为，代理式AI正在加速发展，并被日益视为AI采用过程中的重大拐点。这导致CPU需求显著提速，原因是需要顺序计算周期来访问多个资源，随后进行输出编排和优先级排序，进而推动独立通用服务器以及AI服务器中 CPU主节点的增长。预计到2027年，主节点CPU占比将从2025年的29%提升41%。相对于存储器板块，晶圆前端设备股票有望补涨。理由是AI继续推动DRAM资本开支上行，中国市场和NAND存储器领域呈增长势头，另外，设备交付周期应在2027年年中趋于正常化，从而在一定程度上缓解产能部署的瓶颈问题。

《科创板日报》17日讯，瑞华泰在互动平台表示，半导体制程用PI薄膜已通过韩国半导体企业评测，目前已小批量供货，营收占比较小。具体业务情况请关注公司披露的定期报告及相关公告。

《科创板日报》17日讯，近日，三星电子实现了业界最小的3D堆叠晶体管。在最近于美国举行的VLSI 2026上，该公司展示了其在实现栅极间距为42nm的3D堆叠场效应晶体管（3D堆叠FET）方面取得的成果，该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体领域。

《科创板日报》17日讯，三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备。业内人士透露，虽然时间表可能会有所调整 ，但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。1d DRAM的电路线宽为10至11纳米。目前商用的最新一代产品是第六代1c DRAM，其线宽约为11至12纳米。线宽越窄，DRAM的性能和能效越好。知情人士表示，三星电子的1d DRAM预计被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于2029年实现商业化。

财联社6月17日电，据大连理工大学消息，近日，大连理工大学“双擎智译”科研团队自主研发的OSCAR智能编译优化系统，攻克了国产芯片编译优化核心瓶颈，有效提升国产处理器高性能编译水平，为国产芯片性能迭代与生态建设提供了可靠技术方案。在国产处理器向高性能计算升级的过程中，编译优化是充分释放芯片底层算力、保障设备适配性与运行稳定性的关键。长期以来，高端编译优化技术门槛高、壁垒大，成为制约国产芯片性能发挥与生态完善的突出短板。

财联社6月17日电，受全球对人工智能AI相关设备强劲需求的推动，新加坡上个月的电子产品出口额创下历史最大增幅。据新加坡企业发展局周三的数据，5月份出货金额较一年前增长近95%，至71亿新元(55亿美元)。集成电路仍是主要驱动力，增幅近81%。

《科创板日报》17日讯，LG Innotek封装解决方案事业部负责人赵智泰16日表示，将投资1万亿韩元在越南建设半导体基板厂，这是其扩展封装基板业务部门的第一阶段投资；公司还在与客户洽谈第二阶段投资，以扩大用于AI服务器的FCBGA产能，“讨论已经取得了实质性进展，我们很快就能公布规模。” 此外，LG Innotek还计划在韩国庆尚北道龟尾市工厂进一步扩产，除了此前宣布的6000亿韩元投资外，公司还计划根据与客户约定的产量，继续扩大FCBGA生产规模。