财联社1月19日电，有消息人士称，小米第二代自研SoC玄戒O2或将采用台积电的N3P工艺（第三代3nm工艺），而非台积电最新的2nm制程。消息人士还称，小米正计划将玄戒O2应用到“非智能手机”的产品中，进一步增加自研芯片的应用。小米计划将玄戒O2推广到平板、汽车、电脑等“非智能手机”产品。其中，平板先行，PC和汽车随后。

财联社1月19日电，企查查显示，近日，北京地平线机器人技术研发有限公司申请的“地平线超级智驾”注册成功，国际分类为42类 设计研究，已申请商品/服务包括：他人研究和开发新产品；集成电路设计；软件运营服务（SaaS）；云计算；地图绘制服务等。

财联社1月19日电，马斯克当地时间1月18日在社交媒体平台X发文称，解决AI5芯片问题对特斯拉来说至关重要，“因此我必须让两个团队都专注于这款芯片的研发，而且我本人也连续几个月每周六都投入其中”。马斯克表示，AI5将是一款“性能非常强大”的芯片，其设计进展顺利，特斯拉将重启Dojo3的研发工作。

财联社1月19日电，国家统计局工业统计司副司长王新1月19日在国家统计局官网发文表示，2025年，规模以上高技术制造业增加值比上年增长9.4%，增速较上年加快0.5个百分点，为2022年以来最高点，对全部规模以上工业增速的贡献率达26.1%，较上年提高1.7个百分点。从行业看，集成电路制造、飞机制造、电子专用材料制造、生物药品制品制造等行业增加值分别增长26.7%、24.8%、23.9%、12.1%。从产品看，“人工智能+”高速发展带动存储芯片、服务器等产品产量分别增长22.8%、12.6%；具身智能、人机协作等新经济增长点助力机器人领域快速发展，机器人减速器、工业机器人、服务机器人等产品产量分别增长63.9%、28.0%、16.1%。

财联社1月19日电，美光预计前所未有的存储芯片短缺将持续到2026年之后。

财联社1月19日电，胡润研究院发布的《2025胡润中国人工智能企业50强》显示，AI芯片企业寒武纪以6300亿元的价值位居榜首，比上年增长165%；国产GPU第一股摩尔线程排名第二，价值3100亿元；中国首批实现全流程国产化的高端GPU企业沐曦排名第三，价值2500亿元。

财联社1月19日电，近日，新芯航途（苏州）科技有限公司发生工商变更，新增奇瑞汽车股份有限公司等为股东，同时注册资本增至1871.69万元。该公司成立于2023年，经营范围包含：集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品销售等。公开信息显示，新芯航途是一家自动驾驶芯片设计公司。

财联社1月19日电，通富微电19日在互动平台表示，公司存储芯片封测能力伴随中国存储半导体产业自主发展同步成长，以晶圆减薄与高堆叠封装能力为核心技术，业务范围已全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品封测，能够满足大容量、高速度、高堆叠、高可靠性等多维度要求，并与领军企业建立了长期稳定合作关系，形成了完备的量产验证和产业化经验。同时，公司围绕下游市场与客户的升级需求，持续深耕超厚金属层晶圆处理、高堆叠处理、高可靠性产品解决方案等关键工艺，取得良好的技术积累。

《科创板日报》19日讯，据摩根士丹利研究报告指出，传统存储芯片供需缺口正持续扩大，2025年二季度至2026年行业将迎来新一波超级周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等产品供应紧张态势加剧，市场暂无悲观理由。报告指出，先进制程存储产品（如 DDR5、HBM）产能需求强劲，挤压了成熟制程产能分配。2026年1月，头部企业对DDR4采购态度积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达50%，涨势将延续至二季度；而产能向DDR4转移，也导致高密度DDR3严重短缺，带动相关供应商业绩增长。闪存芯片领域，NOR Flash一季度报价预计上涨20%-30%，涨价趋势或延续至2026年下半年。

财联社1月19日电，A股市场机构调研显著升温。Wind资讯数据显示，截至1月18日，年内累计有1357家机构（包含券商、基金、外资、银行等）调研A股上市公司，调研总次数约4897次。从行业来看，聚焦信息技术、工业机械、医疗保健三大核心赛道，调研重点集中于前沿技术的商业化落地、产能扩张与政策红利兑现，尤其是脑机接口、半导体、机器人、固态电池等方向成为机构布局的核心锚点。

财联社1月17日电，美光科技已签署一份意向书，拟以18亿美元从力晶积成电子制造股份有限公司（力积电）收购其位于中国台湾的一处晶圆厂设施，以扩充其存储芯片产能。美光周六发布公告称，公司将接管位于台湾铜锣的P5厂区，并计划在交易于第二季度完成后分阶段提升DRAM产量。美光预计，该交易将在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出。美光还表示，双方将就美光的晶圆后段封装与组装展开合作，并支持力积电的传统DRAM产品组合。

财联社1月17日电，马斯克在社交平台X上表示，AI5芯片设计已接近完成，AI6尚处于早期阶段。后续将会推出 AI7、AI8、AI9 版本的芯片。芯片设计的目标周期是9个月。

财联社1月17日电，中核集团1月17日透露，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）近日成功出束，核心指标达到国际先进水平。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供强有力技术支撑。