财联社8月27日电，英特尔股价涨幅扩大至5%，报92.700美元/股，总市值报4900亿美元。

财联社8月27日电，截至今年6月，我国日均词元调用量已突破500万亿。目前，全球智算资源已经出现供应偏紧的情况，国内多地正加速布局国产词元工厂与智算综合体，推动国产算力产业链从“产品验证”迈向“批量交付”。在广州黄埔综合保税区，一个总投资9.5亿元的智算综合体工程在近日获批，项目建成后，将服务人工智能企业文生视频和代码写作等业务，并推动中国词元出海。广州图灵新智算创始人刘淼表示，需求可能是供给10倍以上，今年大家开始非常坚定地转向国产的生态和体系。中国电力工程顾问集团市场开发事业部副总经理张晨表示，国产的芯片已经爆单了，可能排期会排到一年之后。

《科创板日报》27日讯，三星电子、SK海力士正与高通积极合作，共同推进高带宽计算（HBC）芯片的商业化。当地时间8月26日，高通公司执行副总裁杜尔加·马拉迪（Durga Malladi）在“德意志银行2026科技大会”上透露：“在最近的投资者日活动上，我介绍了HBC的优势以及HBM的不足之处后，立即前往韩国，与两家主要的内存制造商进行了会面。”目前，三星电子、SK海力士正在同步推进HBC的研发，主要负责DRAM芯片的堆叠，并计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。

财联社8月27日电，瑞银证券中国科技行业研究主管俞佳在“瑞银证券A股研讨会”中国半导体行业专场线上媒体分享会上，预计DRAM供应紧张状态至少持续至2028年二季度；NAND至少在明年四季度之前，行业仍将维持相对紧缺状态；预计明年DRAM价格将同比上涨40%或以上；NAND价格将上涨30%以上。

财联社8月27日电，铠侠宣布已开始为日本岩手县北上市工厂新建Fab3厂房进行场地准备等相关工作，以扩大先进3D闪存BiCS FLASH产能。Fab3将建于现有Fab2南侧，目标于2029财年开始运营。铠侠表示，随着智能体AI、物理AI和端侧AI发展，中长期闪存市场预计将持续大幅增长。公司将通过建设Fab3扩大产能并确保先进闪存产品稳定供应。Fab3的具体建设进度和设备投资计划将根据市场趋势确定，相关投资取决于政府支持。

财联社8月27日电，铠侠和闪迪计划在日本投资310亿美元扩建内存制造厂。

财联社8月27日电，铠侠表示，计划在未来6年内对日本工厂扩建投资超过5万亿日元。将投资1.8万亿日元在北上（Kitakami）建设新工厂。

财联社8月27日电，英伟达盘前涨近6%。公司2027财年Q2营收962亿美元，同比增长106%；调整后每股收益2.22美元，同比增长120%。英伟达CFO在财报电话会议上表示2028财年营收将增长约70%，远超市场预估的45%。英伟达CEO黄仁勋表示，以前从未提前一年给出业绩指引。

财联社8月27日电，铠侠（KIOXIA）将在日本建设新的半导体生产设施。

财联社8月27日电，研微（江苏）半导体科技有限公司宣布已完成B轮融资，融资总额近15亿元。本轮融资中，中电科产业基金、中车资本、京东方等相关产业方战略入股；中金资本、沃衍资本、华泰紫金、博华产投、招银AIC、中银AIC、厚纪资本、硬核坚果资本、高信资本、山证创新投资、高粱资本等机构加持。与此同时，锡高投、湖杉资本、欣柯资本、典实资本、泰达科投、临芯投资、新尚资本、襄禾资本等老股东持续追加投资。

财联社8月27日电，福建省人民政府印发《福建省“十五五”新兴产业和未来产业发展规划》。其中提到，以厦门为核心联动泉州、龙岩等，构建全链条化合物半导体产业。提升碳化硅（SiC）等衬底与外延片量产能力，提升高品质氮化镓（GaN）单晶衬底产能与良率。引进核心装备企业，培育单晶生长炉、特种刻蚀机、离子注入机等，发展高纯碳化硅粉体、石墨碳毡等关键耗材本地配套。加快研发提升车规级高功率器件，开发面向5G/6G宏基站及低轨卫星通信的射频芯片与微波组件。

财联社8月27日电，福建省人民政府印发《福建省“十五五”新兴产业和未来产业发展规划》。其中提到，以厦门、泉州、福州、莆田为重点，培育芯片设计、特色工艺芯片制造、封装测试、零部件装备配套能力。研发高性能AI系统级芯片（SoC）、自动驾驶芯片、工业控制芯片等产品，积极融入国家AI芯片布局。稳步扩大12英寸晶圆、功率半导体、模拟芯片等产品制造产能，推动实现规模化、特色化发展。围绕算力、存储、显示、射频等芯片需求，构建覆盖先进封测和传统封测的封测产业体系。提升封装基板、显影设备等配套能力。