财联社6月11日电，华泰柏瑞基金管理有限公司公告，近期旗下华泰柏瑞中证韩交所中韩半导体交易型开放式指数证券投资基金(QDII）（扩位证券简称：中韩半导体ETF华泰柏瑞，交易代码：513310）二级市场交易价格明显高于基金份额参考净值，出现较大幅度溢价。特此提示投资者关注二级市场交易价格溢价风险，投资者如果盲目投资，可能遭受重大损失。为保护投资者的利益，本基金将于2026年6月11日下午开市起至当日收市停牌。

财联社6月11日电，根据Omdia的最新研究，2026年第一季度的半导体营收较2025年第四季度环比增长27%，达到3190亿美元。存储器营收是推动这一增长的主要动力，其在2026年第一季度的环比增幅超过80%。随着存储器营收继续引领半导体市场向前发展，预计2026年第二季度将延续强劲的增长势头。虽然第二季度的环比增速可能较第一季度有所放缓，但仍足以使半导体市场实现超过20%的环比增长。

财联社6月11日电，在半导体行业创下历史新高的一年之后，新年伊始依然延续了强劲的增长势头。根据Omdia的最新研究，2026年第一季度的半导体营收较2025年第四季度环比增长27%，达到3190亿美元。存储器营收是推动这一增长的主要动力，其在2026年第一季度的环比增幅超过80%。

①SK海力士计划称，公司晶圆产能将在未来5年内翻一番，2034将增加两倍，以满足人工智能发展对先进存储芯片的需求；
②SK集团还计划与英伟达合作，到2028年至2029年间在日本建设一座AI数据中心。

《科创板日报》11日讯，分析师郭明錤发文称，台积电下一代先进封装CoPoS预计将于2028年下半年量产。据研究，玻璃材料不会替代ABF薄膜，芯片互连功能由芯片侧重布线层（RDL）、玻璃基板内的玻璃通孔/铜互连结构，以及ABF积层共同实现。因此玻璃与ABF薄膜为搭配共存结构，不存在替代关系。

①相较2022年底上市后的头两年，佰维存储在过去一年中的产业投资布局，明显更为积极，公司接连出手多个项目；
②除了公司直投+关联方共同投资的模式，佰维存储今年还宣布由全资子公司南佰算参与出资设立产业基金。

《科创板日报》11日讯，SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证，并正准备将其量产线转移至清州M15工厂。该产品计划在今年年底前正式量产。此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线。在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。

财联社6月11日电，据媒体报道，SK集团董事长崔泰源表示，SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高两倍，以满足人工智能推动下不断增长的存储芯片需求，崔泰源还预计晶圆产能将在5年内翻一番。此外，SK集团还计划与英伟达合作，到2028年至2029年间在日本建设一座AI数据中心。

①SK海力士已完成375层3D NAND 闪存的生产验证工作，眼下正推进产线落地；
②此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线；
③随着3D NAND堆叠层数愈多，线路细化后钨的电阻会显著上升，拖慢信号传输速率。

财联社6月10日电，近日有上市公司签订百亿晶圆长约，披露该笔订单“锁量锁价”。随着存储市场持续供不应求，签订长约（LTA）成为下游厂商保障产品供应的重要方法。摩根大通在近期发布的一份研报里介绍了几类LTA合同模型。第一种是纯固定价格，没有预付款，一旦市场剧烈波动，双方都可能毁约；第二种是固定价格+预付款，合同价通常会比第一种低一些；第三种是预付款+价格弹性机制，大部分量采用固定价格，但留出一部分量采取浮动价格机制。存储主控龙头慧荣科技高管此前也在一场活动上表示，2027年供需缺口会放大，因为本轮涨价缺货并非简单的周期性波动，而是由AI带动的结构性变革。在长鑫、长存积极扩产，涨价造成消费电子需求下跌等背景下，雷蒙德·詹姆斯分析师卡尔·阿克曼提出新观点：芯片价格可能在距今不到12个月的时间内提前见顶，动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（NAND）价格明年初或将出现连续季度下跌。

①英伟达决定将SOCAMM2的内存容量从192GB削减至96GB，以避免Vera CPU生产中断；
②英伟达明确将大力推广独立型Vera CPU解决方案，同时扩大其在推理型AI市场的市占；
③黄仁勋在日前举办的Computex大会上指出，Vera CPU将比其GPU更受欢迎。

财联社6月10日电，美股芯片股盘前走低。美光科技跌近4%，迈威尔科技跌超3%，阿斯麦、英特尔跌超2%，英伟达跌超1%。

财联社6月10日电，据报道，韩国存储芯片制造商SK海力士计划最早于8月在美国上市，美国证券交易委员会很可能在6月22日当周批准SK海力士的美国存托凭证上市申请。SK海力士在一份声明中表示：“SK海力士计划在2026年内发行美国存托凭证（ADR），具体规模和时间尚未确定。”SK海力士于3月表示已秘密提交在美国上市申请。一位消息人士当时称，此次发行可能筹集高达140亿美元的资金。

《科创板日报》10日讯，近日，摩尔线程正式发布并开源面向GPU底层算子生成的专用代码大模型MusaCoder。这是业内首个基于国产GPU算力底座完成全链路训练与验证的开源代码大模型，其完整后训练流程均在基于MTT S5000构建的夸娥智算集群上完成。在KernelBench严格评测中，MusaCoder-27B-RL以Overall Pass@8 93.2%、Avg.@8 88.60%的成绩，超越Claude Opus 4.7、DeepSeek-V4 Pro、GLM-5.1、Kimi K2.6等主流SOTA代码模型，性能达到当前行业领先水平。

《科创板日报》10日讯，本月现货端情绪化拉踩动作较前两个月明显减少，市场整体趋于理性。随着渠道低端资源价格逐渐企稳、报价呈现小幅上涨，叠加渠道品牌DDR5内存条零售价也出现反弹迹象，渠道市场整体开始企稳，本周渠道DDR5内存条率先开始出现小幅反弹。不过当前正值季度末，不排除后面部分厂商为冲刺业绩目标加速出货，而导致市场震荡反复的可能。

《科创板日报》10日讯，TrendForce集邦咨询调研结果指出，英伟达决议将次世代Vera Rubin Superchip模组所搭载的SOCAMM容量砍半，此一调整并非英伟达下修存储器总需求量，而是应对供应端2027年初步规划配给英伟达的产能不足的事实。在此背景下，英伟达选择调降单颗容量、扩大模组出货数量，以强化其市占，同时凸显LPDDR5X供给缺口难以被填补与中长期需求上扬的趋势。尽管目前存储器原厂对2027年皆有扩产计划，但整体位元增幅仍不及买方市场释出的需求。鉴于三星、SK海力士及美光初步规划给予英伟达的LPDRAM供应仅能满足该品牌约60%的需求，且上调空间有限，英伟达近期决议调整Vera Rubin Superchip模组搭载的SOCAMM模组容量，以满足更多Vera CPU的出货需求，并提前应对后续货源持续紧张的风险。

财联社6月10日电，工业和信息化部印发《“人工智能+信息通信”创新发展实施意见（2026—2028年）》。其中提到，加强高端光电芯片和器件研发。加强高速光电芯片、高速转发/交换芯片、全光交换器件、光电共封装器件等技术和产品研发验证，开展光电混合组网技术试验，加速技术方案成熟。加强智算超节点光电互联技术攻关，开展智算网络技术与产品验证。

财联社6月10日电，三星电子考虑在韩国光州建设先进半导体封装工厂，以满足全球芯片需求。三星正扩大HBM市场布局，以加强其在AI芯片供应链中的地位。预计三星将在6月29日韩国总统与企业集团负责人会议上公布投资计划。