①彤程新材表示，一个明显变化是，近期本土替代速度明显加快，下游晶圆厂给到的测试机会大幅增加，基础验证周期由此前的1-2年普遍缩短至6-12个月；
②鼎龙股份方面表示，当前国内光刻胶整体国产化率仍处于低位，公司现阶段的核心目标是全力推动高端光刻胶产品实现稳定量产。

①中科飞测董事长、总经理陈鲁表示，结合目前在手订单结构，前道制程以及先进制程订单占比超过80%，全年以及未来毛利率有望保持较高水平；
②陈鲁称，2026年上半年，公司实现海外收入超过5000万元，未来还有很大增长空间，公司对未来海外收入的持续增长充满信心。

①纳芯微董事长、总经理王升杨在业绩会上表示，国内需求回暖及光储/汽车出海加速、AI算力基建需求爆发，公司相关产品出货量大幅提升；
②王升杨表示，公司与合作客户积极推进价格调整，同时随着高毛利产品逐步放量，有望进一步改善整体盈利结构。

财联社9月24日电，美股芯片半导体股票盘前走低，英伟达下跌1.25%，台积电下跌1.42%，博通下跌1.50%，SK海力士下跌2.03%，美光科技下跌2.43%，美国超微公司下跌2.07%，英特尔下跌3.03%，阿斯麦下跌2.12%，泛林集团下跌2.49%，Arm Holdings下跌4.07%，闪迪下跌2.97%，高通下跌1.72%，西部数据下跌3.15%，希捷科技下跌2.44%，迈威尔科技下跌3.39%，Lumentum下跌2.45%，Coherent下跌3.29%，三倍做多半导体ETF-Direxion下跌5.76%。

《科创板日报》24日讯，三星电子修改了其下一代DRAM开发战略。据报道，该公司最近将之前作为项目开发的“B1b”技术纳入其正式路线图，并将其命名为“D0a”，这是首款10纳米以下（nm）的DRAM。最初，三星电子的D0a工艺指的是垂直晶体管（VCT）DRAM。后来，VCT DRAM被归类到单独的“D0a-V”工艺中。 三星电子更改D0a名称的原因是为了加速将最先进的封装技术引入通用DRAM。B1b指的是一种通过晶圆间（W2W）混合键合来提高内部集成密度的技术。

《科创板日报》24日讯，机构Yole Group发布报告，预测高阶封装市场规模将在2031年突破510亿美元，接近2025年水平的五倍。这一数据对应27%的复合年均增长率 (CAGR)。与此同时，封装单位数量的CAGR为 33%、晶圆需求的CAGR则是30%，显示封装结构的复杂度与规模将逐步提升。

①供应链消息称，台积电拟自2027年1月起上调晶圆代工报价，涨幅约3%—6%，先进制程涨幅较高；
②AI需求正从高端算力芯片向电源管理、光通信等配套环节扩散，代工涨价可能进一步考验下游芯片厂商的成本转嫁能力。

财联社9月24日电，据Digitimes报道，台积电晶圆代工价格确定再涨。供应链人士透露，8寸厂产能利用率超过100%、45纳米以下制程满载的台积电，订单能见度已至2030年，已确定自2027年1月起，按照不同制程调整Wafer Out价格，涨幅约3%~6%，其中2纳米、3纳米等先进制程涨幅较高。台积电未回应市场传闻。

①业界调查显示，12英寸外延片新长约价格预估上涨15％-25％，抛光硅片涨幅或达40％以上，部分二线客户涨幅超过50％。
②半导体硅片价格分为现货及长约价，12英寸硅片现货价格已持续上涨。

①Agentic AI时代数据中心CPU与GPU的配比将逐步提升至1:1，部分复杂智能体场景甚至需要更高的CPU密度；
②Intel 18A已经进入量产阶段，其高性能版本Intel 18A-P目前也已进入风险试产阶段。14A面向内部产品的风险试产计划于2027年下半年启动；

《科创板日报》23日讯，《科创板日报》记者从第五届数贸会获悉，力积存储消费级DRAM和工业级DRAM目前订单需求持续上涨供不应求，价格随行业需求浮动变化。此外，力积存储正在研发高带宽AI存算用存储芯片，并提供AI存算用一体解决方案。其中AI存算用高宽带WOW 3D堆叠产品已具备产品销售能力。

①京东方董事长陈炎顺宣布，明确未来一年内将敲定玻璃基封装载板量产线的投资计划。
②该公司于近期接受机构调研时表示，公司玻璃基封装载板试验线已全线拉通。
③英特尔正评估携手光电显示面板大厂友达，推动以Micro LED与玻璃基板为核心的先进封装技术合作。

①“大空头”投资者迈克尔·伯里最新披露，他已增加对美光科技、Nebius、iShares半导体ETF以及Palantir的空头头寸；
②宏碁CEO陈俊圣近日警告称，中国大陆存储芯片产量的增加最终可能缓解供应限制并给价格带来压力。这为伯里对存储股的看空观点提供了新的支撑。

《科创板日报》23日讯，三星电子宣布，已率先在高通骁龙 8 Elite Extreme Gen 6 成功验证了其16GB LPDDR6内存，其输入/输出（I/O）速度高达10.7Gbps。三星表示，三星和高通自研发初期以来就紧密合作，这一成就证明其LPDDR6能够满足下一代移动平台的需求。

财联社9月23日电，特斯拉CEO埃隆・马斯克9月23日接受记者采访时表示，中国的AI大模型，整体而言非常出色。单位算力产出的性能，几乎是全球顶尖水平。“我认为中国解决算力问题的速度，会比大多数人预想得更快。粗略估计，大概两到三年内，中国就能依靠光刻技术与芯片制造补齐算力缺口。”

①佰维存储晶圆级先进封测制造项目三期启动投资，拟与东莞松山湖高新技术产业开发区管理委员会签订合作协议；
②佰维存储晶圆级先进封测制造项目三期总投资约45亿元人民币，资金来源为自有及自筹资金，不涉及募集资金。

财联社9月22日电，ASML高管表示，欧洲最大企业（ASML）并未在欧洲开展销售业务。原因是当地投资不足、没有新建芯片工厂。

《科创板日报》22日讯，在2026云栖大会期间，曦智科技首发3.2T/6.4T SNPO（Scale-up NPO）硅光芯片，该芯片符合由阿里巴巴与ODCC牵头发起的NPO规范。本届云栖大会，阿里云发布了基于SNPO互连架构的磐久超节点服务器定义的光互连方案，接口设计兼容112G/224G SerDes并支持向448G演进。而曦智科技首发的3.2T/6.4T SNPO硅光芯片，集收发一体，在单芯片上实现了16路独立53/106Gbaud调制器通道，和16路独立53/106Gbaud探测器通道，调制器与探测器带宽均超过55GHz。