财联社9月8日电，据报道，ASML周二开始建设一个重大的新项目，生产园区位于荷兰，正努力跟上随着人工智能热潮的需求不断上升。这项投资最终将为多达2万人增加空间工人，第一阶段的目标是在2029年完成，将增加办公室、物流和一个所谓的洁净室空间 - a用于专业设备制造的受控环境。ASML表示，一个新的“流动工厂”的设计将使其成为可能以更快地建造和组装其巨型芯片打印工具而且高效。

①瑶芯微电子宣布发布全球首款碳化硅超级结MOSFET，西安电子科技大学教授郝跃团队合作，协同晶圆代工厂芯联集成进行工艺平台开发；
②瑶芯微电子碳化硅超级结MOSFET产品的首批客户，将面向对功率密度要求严苛的数据中心高压直流供电系统以及AI服务器电源等领域。

财联社9月8日电，英国芯片设计公司Arm的CEO Rene Haas表示，AI或许能在我们有生之年帮助人类攻克癌症。但在此之前，整个行业首先需要解决一个问题：如何生产足够多的芯片来为AI提供算力。Haas认为，AI对芯片和内存的需求规模是半导体行业前所未有的。一座晶圆厂的造价高达数百亿美元，且建设周期通常需要两到三年。他指出，整个行业正处于“绝对供应受限”的状态，并预计这种供应紧张的局面还将持续一段时间。

①科创板2026年半年度芯片设计行业集体业绩说明会今日举行，参会企业普遍认为，行业正迎来应用扩容机遇与供应链成本扰动并存的发展阶段；
②大模型技术落地提速，端侧AI正由单点爆款向全品类硬件扩散，多家科创板芯片设计企业的产品落地场景持续拓宽，成为拉动业绩上行的重要引擎。

燕东微董事长张劲松介绍，燕东科技12英寸生产线规划月产能为4万片，目前建设月产能已达4万片，良率超99%，后续将随着新品转量产加速推进，产出规模稳步攀升。北电集成项目12英寸生产线规划月产能为5万片，该项目于2024年开始建设，工程建设与工艺研发同步高效推进，已于2025年四季度开始设备搬入，目前尚处于设备调试及产能爬坡阶段，预计2026年年底实现量产，2030年满产。由于晶圆代工盈利受下游多领域需求、行业供给、上游成本等多重因素影响，目前公司两条产线正稳步爬坡，后续将随订单和良率提升逐步达成盈亏平衡。

财联社9月8日电，据报道，得益于2纳米工艺订单的持续涌入，在特斯拉和博通等美国科技企业的巨额订单推动下，三星电子位于美国德克萨斯州泰勒的晶圆厂将于本月底下月初开始试生产，目前已达到满负荷运转，所有计划产量均已预订完毕。据悉，2纳米工艺的良率今年年初约为60%，而近期已达到80%左右，具备量产能力，该厂拟于明年开始量产。

财联社9月8日电，三星电子已在日本横滨开设了一家先进的半导体封装研发中心。  三星之前曾宣布，计划从2024年起的五年内投资约400亿日元，用于扩建该实验室的研究基础设施并加强先进封装技术。

①存储价格上行，苹果放弃短期议价惯例，据称其与铠侠签订为期三至五年、不设价格上限的NAND闪存长期供货协议；
②TrendForce预计256 GB版iPhone 18 Pro在三季度存储成本将比一年前高出近四倍；
③有媒体报道指出，存储采购模式正整体转向长协。

①英国芯片设计公司Arm的CEO Rene Haas表示，AI或许能在我们有生之年帮助人类攻克癌症；
②在此之前，整个行业首先需要解决一个问题：如何生产足够多的芯片来为AI提供算力。

财联社9月8日电，阿斯麦表示，计划与主要客户合作，开发能够生产最先进芯片制造设备的新方案，以满足英伟达等公司设计的大型数据中心芯片需求。目前ASML生产的被广泛应用的极紫外(EUV)光刻机可制造面积最大约800平方毫米的芯片，ASML即将推出的下一代“高数值孔径”EUV光刻机，能够制造出更为精细的芯片。不过，由于其采用尺寸较小的掩模版，目前在可制造芯片面积方面受到限制。ASML计划到2031年展示采用更大尺寸掩模版的试验生产线，并在2033年使这项新技术具备大规模量产能力。

财联社9月8日电，三星电子与阿斯麦9月8日宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。

《科创板日报》8日讯，苹果公司与日本铠侠（Kioxia）签署了一项NAND闪存的长期供应协议（LTA），报告对内存市场的推测表明，这份合同的期限为三到五年，并且可能没有价格上限。这意味着，在内存价格谈判中拥有巨大议价能力的苹果公司，正将确保NAND闪存的稳定供应量置于压缩成本之上。

财联社9月8日电，阿斯麦与台积电9月8日宣布成立行业合作计划，推动高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）光罩从目前的6英寸向12英寸升级，以提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。双方计划于2031年建立12英寸光罩试产线，并推动12英寸高NA EUV光刻系统于2033年进入先进制程量产。台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。

财联社9月8日电，燕东微在9月8日召开的2026年半年度业绩说明会上表示，公司积极卡位硅光产业创新生态，围绕光芯片与特色工艺两大方向纵深布局，成功导入多家新客户，产业化协同效应持续释放。已建成国内领先的8英寸SiN平台量产生产线，良率大幅提升。在技术突破方面，SiN波导和Si波导性能均达到业内先进水平；12英寸的超透镜项目攻克技术难关，已达到业内领先水平。量产能力方面，国内领先的8英寸SiN平台量产生产线良率大幅提升，报告期内该产线产能达3000片/月。

①据报道，三星电子4纳米制程已满负荷运转，50%-60%产量正用于生产HBM4内存芯片基础裸片，对应月产能1.5万片；
②人工智能高需求推动三星电子、SK海力士和美光加速扩产HBM，挤压传统DRAM产能。

《科创板日报》8日讯，在今日举行的Arm Everywhere China年度大会上，Arm执行副总裁兼首席商务官Will Abbey表示：“Arm全球合作伙伴累计出货的基于Arm技术的芯片已超过3500亿颗。中国创新者始终是这一全球创新历程中的重要力量。”据了解，支付宝、OPPO和vivo等合作伙伴已采用第二代Arm可伸缩矩阵扩展（SME2）技术；Arm还与叠纸游戏、网易、腾讯游戏、Unity中国以及虚幻引擎（Unreal Engine）等合作伙伴共同推进神经网络技术的发展。字节跳动旗下火山引擎已将首批基于Arm AGI CPU 平台的智能体沙箱推向市场。

《科创板日报》8日讯，英特尔宣布，其采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备处理的300mm晶圆数量累计已突破一百万大关。这一里程碑距离其首台High-NA EUV设备完成组装还不到两年半时间。

财联社9月8日电，海关总署公布的数据显示，我国8月集成电路出口金额达407.31亿美元，1至8月累计出口金额达2567.51亿美元，同比增长103.9%。