财联社9月2日电，记者2日从安徽省量子计算芯片重点实验室获悉，本源量子联合中国科学技术大学、合肥综合性国家科学中心人工智能研究院等科研团队，在“本源悟空”自主超导量子计算机上成功研发出面向桶式量子随机存储器（QRAM）的“相干量子路由系统”，相当于为数据中心架设了“快速路”，有效解决了QRAM扩展的行业难题。相关论文日前发表于国际物理期刊《物理评论X》。
财联社9月2日电，高盛最新研报指出，随着Communacopia + Technology Conference（高盛通信与技术大会）召开，半导体行业五大核心议题将集中在AI算力、晶圆制造设备（WFE）、存储、模拟芯片和EDA软件。整体来看，高盛仍对AI基础设施支出和半导体周期保持积极判断。
《科创板日报》2日讯，谷歌AI基础设施负责人Amin Vahdat表示，谷歌正加快其定制AI芯片TPU的研发和迭代速度，将芯片更新周期从原先的两年一代缩短至每年推出两款，未来甚至可能进一步增加，以在人工智能竞赛中保持领先地位。
财联社9月2日电，据报道，台积电的CoWoS订单已排满至2027年，部分客户甚至需要等待一年以上才能拿到订单。在台积电供应瓶颈持续的情况下，英特尔的新技术作为替代方案正受到关注。据悉，联发科在近期财报电话会议上正式宣布，计划同时采用CoWoS和EMIB-T技术，大规模开发人工智能专用集成电路（ASIC）；博通和Meta也在考虑从CoWoS过渡到EMIB以降低成本，而谷歌和英伟达也对EMIB-T表现出浓厚的兴趣。
财联社9月2日电，天眼查App显示，宏茂微电子（上海）有限公司近日发生工商变更，新增中信证券投资有限公司、共青城景橙创业投资基金合伙企业（有限合伙）等为股东。该公司成立于2002年6月，法定代表人为CHENG WEIHUA，注册资本约24.7亿人民币，经营范围包括半导体集成电路器件的封装、测试加工服务等。股东信息显示，该公司现由长江存储控股股份有限公司及上述新增股东等共同持股。
《科创板日报》2日讯，《科创板日报》记者从安徽省量子计算芯片重点实验室获悉，本源量子联合中国科学技术大学、合肥综合性国家科学中心人工智能研究院等科研团队，在“本源悟空”自主超导量子计算机上成功研发出面向桶式QRAM （量子随机存取存储器）的“相干量子路由系统”，相当于为数据中心架设了“快速路”，有效解决了QRAM扩展的行业难题。相关论文已发表于国际物理期刊《Physical Review X》。
①三星电机宣布，与一家全球知名客户签署了一份价值1.07万亿韩元的MLCC供应合同，用于后者的AI服务器； ②此次供应合同规模巨大，占公司MLCC事业部去年营收的21%； ③三星电机已与十余家全球企业签署了MLCC长期供货合同，并正在与全球客户洽谈增购事宜。
《科创板日报》2日讯，据报道，为应对未来晶圆涨价压力，SK海力士采取提前卡位策略并大幅增加了硅晶圆采购力度，公司2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，采购力度显著超越竞争对手三星电子。
①第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在太湖国际博览中心正式召开； ②AI赋能产业链和半导体设备产业链的协同成为本次展会贯穿始终的核心议题。
《科创板日报》1日讯，SEMI产业研究资深总监曾瑞瑜宣布上修半导体成长预估。他表示，过去市场原本预期全球半导体产值到2030年才达到1兆美元，但AI彻底改写产业成长曲线，今年市场规模将突破1.5兆美元，预估2030年绝对可以突破2兆美元，而且强劲需求正由芯片一路向前段设备、测试、先进封装与材料市场扩散。
《科创板日报》1日讯，三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。针对大语言模型（LLM）所需的大容量存储器需求，三星还在推进zNAND-O的开发。zNAND-O的目标是在比特密度达到DRAM 10倍的同时，将读取带宽和能效分别提升至NAND的7倍。三星计划于2028年开始zNAND-O的样品供应。
①第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡太湖国际博览中心正式拉开帷幕； ②各环节领军企业均携重磅产品与技术方案亮相，集中展现了国产半导体产业链在关键领域的突破成果与生态协同效应
财联社9月1日电，华虹宏力(688347.SH)公告称，公司及全资子公司上海华虹宏力拟与无锡锡虹国芯二期、华芯鼎新、国开公司共同对无锡华虹宏力三期半导体有限公司增资，建设月产能约5.5万片/月的12英寸特色工艺晶圆代工产线。本次投资完成后，标的公司注册资本达41.7亿美元，其中公司出资10.425亿美元，上海华虹宏力出资10.842亿美元。本次增资金额合计41.63亿元。本次投资尚需提交股东大会审议。
①今年8月全球DRAM与NAND闪存平均价格再创历史新高，但环比涨幅较7月收窄：DRAM环比涨4.2%，NAND环比涨1.4%。 ②第三季度PC DRAM合约价环比涨幅预期上调至18%-23%，涨幅较二季度回落。
《科创板日报》1日讯，调研机构群智咨询（Sigmaintell）发布存储价格风向标显示，2026年第三季度，全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM（动态随机存取存储器）、NAND Flash（闪存）全品类价格维持环比上行，但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅已收窄到10%以内。
《科创板日报》1日讯，分析师郭明錤表示，其最新产业调查显示英伟达已重启人工智能推理预填充加速GPU "Rubin CPX" 项目，不过其设计得到了大幅度的调整，预计2027年Q1开始生产。在芯片级别，新Rubin CPX拥有接近标准Rubin GPU的算力，预填充性能进一步提升，单体最高功耗同为2300W，配备168GB HBM4内存。
《科创板日报》1日讯，合见工软发布下一代EDA创新矩阵，包括国产首个Agentic EDA智能体战略体系、国内首款三维芯片物理设计工具、国产先进工艺节点收敛工具等多款EDA自研新品和成果，填补国产EDA在商用级3DIC物理设计及多款EDA智能体等方面的空白。
财联社9月1日电，比亚迪半导体今日宣布，以璇玑A3为算力中心的新一代卫星架构4D毫米波雷达芯片已量产。该芯片基于28nm车规工艺，专为满足汽车市场对高分辨率雷达系统需求设计，可无缝对接多款主流智驾芯片平台。同时，该芯片已完成与“璇玑A3”智驾芯片的联调适配，满足Tier1模组厂家对探测性能的要求。基于该芯片的解决方案，可全面覆盖L2-L4级智能驾驶应用，包括高速领航、城市道路驾驶、自动泊车、盲区监测等。
①HBM抢货情况相当激烈，就连英伟达、微软及谷歌都无法取得合约约定的全部供货量； ②供应压力正从HBM蔓延至一般DRAM。
《科创板日报》1日讯，AI建设热潮引爆HBM需求，并排挤传统DRAM供给、加剧内存缺货。韩媒报道，三星的存储器业务部门已将2031年前约70%的产能分配给长约订单（long-term agreements，简称LTAs），主要签约客户包括英伟达，微软及谷歌等大型科技公司。然而，HBM抢货情况相当激烈，就连这些大型科技公司都无法取得合约约定的全部供货量，使现货价格进一步飙升。
