①3月DRAM价格因提前签订合约而止涨，但预计第二季度将恢复上涨趋势；
②三星电子上调第二季度PC DRAM价格预期至40%-45%，超过外界预测；
③128Gb MLC NAND闪存价格3月环比上涨33.95%，连续15个月上涨，预计后续仍将保持坚挺。

财联社4月1日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年各大云端服务供应商（CSP）持续购买GPU、自研ASIC建置算力需求，带动AI相关芯片设计业者成长，全球前十大无晶圆IC（Fabless IC）设计公司合计营收逾3594亿美元，年增44%。英伟达蝉联营收冠军，博通因受惠AI浪潮较深，排名上升至第二名，超过消费性电子营收占比较高的高通。

财联社4月1日电，台积电计划于2028年在日本开始量产先进的3纳米（3nm）芯片，位于熊本的第二晶圆厂每月产能为15,000片12英寸晶圆，这将是日本国内首度具备3纳米制程的生产能力。

《科创板日报》1日讯，被称为“HBM之父”的韩国科学技术院电气与电子工程学院教授金正浩表示，AI芯片格局即将发生根本性变化，当前由英伟达主导、以GPU为核心的体系，最终转变为受内存主导的架构。尽管现阶段计算架构仍以GPU和CPU为核心，但未来的系统将围绕超大容量内存（如HBM与HBF）构建，处理器则更像是嵌入其中的组件。

①台积电计划于2028年在日本开始量产先进的3纳米（3nm）芯片，位于熊本的第二晶圆厂每月产能为15,000片12英寸晶圆；
②这将是日本国内首度具备3纳米制程的生产能力。

《科创板日报》1日讯，英伟达Rubin Ultra传出因量产与封装难度考量，设计可能由市场预期的4颗GPU晶粒下修至2颗。供应链指出，目前晶圆代工端规划以双晶粒（2-die）版本为主，但并未影响整体投片规模，AI芯片需求仍维持强劲。

财联社4月1日电，韩国产业通商部1日发布的“3月进出口动向”资料显示，3月韩国出口额同比增加48.3%，为861.3亿美元，创下单月最高纪录。单月出口自去年6月以来连续10个月刷新最高纪录。3月韩国出口取得好成绩主要归功于半导体。半导体出口额同比猛增151.4%，首次突破300亿美元关口，为328.3亿美元。

财联社4月1日电，北京第四波科技智库联合中关村天成创新研究中心发布《中国脑机接口商业化前瞻报告》。报告显示，2025年以来脑机接口企业融资进入空前活跃期，2026年前三个月，脑机接口企业融资总金额已超2025年全年。2026年，“脑机接口”首次写入政府工作报告，是中国“十五五”时期重点培育的未来产业之一。报告显示，为推动脑机接口产业发展，代表“国家队”的国家创业投资引导基金于2025年12月正式启动，由超长期特别国债资金出资，将“脑机接口”列为七大重点投资领域之一。多个地区针对脑机接口产业设立专项基金。例如，北京2026年2月发布总规模80亿元的“中关村科学城科技成长四期基金”，其中10亿元产业直投部分明确锚定脑机接口等未来产业；上海推动设立数十亿元规模的脑科学与类脑智能专项基金；深圳设立多个脑科学与类脑智能专项基金，支持柔性电极、高通量芯片等上游核心环节研发与产业化。

财联社4月1日电，普冉股份3月31日发布关于产品调价的通知。经过公司管理层的慎重评估和考虑，综合半导体产业供应链多方面分析，决定从2026年4月15日起，对通用MCU相关产品价格进行上调。

①智谱MaaS API平台实现年度经常性收入17亿元，同比提升60倍。
②智谱表示，智能上界的提升是大模型AGI时代的“第一性”，将继续专注模型智能的持续突破。
③华创证券表示，AI-Native厂商凭借更具攻击性的组织形态与轻量的历史包袱，胜率更为凸显。

①COUPE平台通过SoIC技术将电子集成电路与光子集成电路进行3D堆叠以提高带宽和功率效率；
②台积电表示，晶圆测试、光纤阵列单元与高速光学封装组装三大环节的技术突破，将是决定CPO能否顺利规模化的关键。

财联社4月1日电，“韩国芯片巨头加大在华投资，以应对人工智能领域内存短缺问题。”《韩国时报》3月30日以此为题报道称，最新报告数据显示，韩国两大芯片巨头三星电子与SK 海力士在2025年继续加大中国工厂的投资力度。这一动态战略布局，既是对全球内存芯片市场供不应求现状的直接响应，也凸显了中国在全球半导体供应链体系中的关键地位。据《韩国时报》援引两家公司提交给韩国金融监督院的年度报告，2025年三星电子在陕西西安芯片工厂投资4654亿韩元（约合 3.04亿美元），同比增长67.5%；SK海力士在江苏无锡工厂投资5811亿韩元，同比增长102%，在辽宁大连工厂投资4406亿韩元，较2024年增长52%。据《首尔经济新闻》报道，三星正推进将西安工厂主力工艺进一步升级，以满足人工智能服务器和数据中心对高容量存储的需求。3月30日，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND正式实现量产。SK海力士已向无锡和大连工厂投入超过1万亿韩元，用于升级DRAM和NAND生产工艺。

《科创板日报》1日讯，美光科技正尝试首次研发采用堆叠式图形内存（GDDR）技术，公司正在准备必要的设备，并计划于2026年下半年开始工艺测试。堆叠式GDDR性能或不及HBM，但容量更大。公司早期设计预计将采用大约四层堆叠结构，原型产品最早可能在2027年问世。

《科创板日报》1日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院教授金正浩认为，随着内存巨头竞相押注HBF等后HBM技术，目前由英伟达主导的以GPU为中心的AI架构最终将转变为以内存为中心的架构。他表示：“GPU将被集成到HBM和HBF中，GPU和CPU将沦为普通的组件。”

财联社3月31日电，存储芯片厂商铠侠（Kioxia）31日再次向客户发布最新停产通知，宣布部分传统浮栅式（FloatingGate）2DNAND以及第三代BiCSFLASH产品将逐步退出市场。此前，铠侠已宣布停产小容量TSOP封装产品。根据通知内容，这些产品的最后客户预测订单截止日为2026年9月30日，而最终出货截止时间为2028年12月31日。

财联社3月31日电，财联社3月31电，德明利(001309.SZ)公告称，预计2026年第一季度归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元–36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。小财注：德明利2025年Q4净利润7.15亿，据此计算，2026年Q1净利预计环比增长341%-410%。

《科创板日报》31日讯，CFM闪存市场发布报告称，由于前期价格涨幅过大，渠道客户对于高价存储产品的抵触心理日渐强烈，市场实际成交艰难。现货贸易端欲回笼资金、获利变现，贸易端低端DDR4内存条抛售较多，进一步冲击和打压了渠道市场，本周渠道DDR4内存条领跌，尤其是8GB/16GB DDR4内存条价格跌幅高达25%，其余容量跌幅在10%上下区间；渠道SSD也出现小幅下跌。相比，今年一季度原厂服务器及PC NAND、DRAM合约价均呈翻倍式增长。预计第二季度移动端合约价将大幅补涨，服务器、PC DRAM合约价均涨幅超30%，eSSD、cSSD平均售价将涨幅分别超30%、50%。

①SK海力士预计将从下一代HBM产品开始大规模应用混合键合工艺；
②截至目前，部分企业已经收到三星电子提供的键合晶圆样品；
③东兴证券指出，混合键合技术正从先进选项转变为AI时代的核心基础设施。

财联社3月31日电，据国家开发投资集团有限公司消息，近日，国投集团旗下中国电子工程设计院股份有限公司（中国电子院）建设的纳米级微振动实验室在雄安新区正式投运，将为我国高端制造业自主发展提供关键支撑。来自国投集团的信息显示，该实验室核心装置为我国自主研发的微振动模拟实验台，台面尺寸4×4米，设计承载能力20吨，振动精度突破纳米级，可全面满足大型半导体设备整机、卫星全尺寸载荷的高精度测试需求。