①近日,模拟芯片设计厂商集益威半导体、EDA解决方案提供商全芯智造,分别在同日完成工商变更,新增多家股东,其中均有大基金二期现身。 ②大基金一期密集展开减持,安路科技、国芯科技分别在上周五盘后发布公告称,大基金一期计划减持公司股份。
①今年该公司连续两个季度的营收同比均出现不同程度下滑; ②芯原股份表示,公司持续开拓增量市场和具有发展潜力的新兴市场,今年新签订单情况良好,在手订单已连续三季度保持高位。
《科创板日报》1日讯,芯原股份公告,预计第二季度实现营业收入6.10亿元,较一季度环比增长91.87%。其中,2024年第二季度公司量产业务预计实现营业收入2.35亿元,环比增长126.18%;芯片设计业务预计实现营业收入1.92亿元,环比增长120.45%。2024年上半年,半导体产业逐步复苏,下游客户库存情况已明显改善,得益于公司独特的商业模式,即原则上无产品库存的风险,无应用领域的边界,以及逆产业周期的属性,公司经营情况快速扭转,业务逐步转好,第二季度业绩较第一季度显著改善。
《科创板日报》1日讯,增芯科技12英寸晶圆制造项目近日在广州增城启动投产,该项目建设有国内首条、全球第二条的12英寸MEMS智能传感器晶圆制造产线。项目一期产能预计于2025年底达到2万片/月,一期工艺技术采用MEMS力学传感器和130-55纳米成熟制程。
《科创板日报》1日讯,日本信越化学工业最早将于2028年开始量产用于半导体制造基板的设备。这种设备可简化“后工序”(将半导体组装成最终产品)中把半导体芯片连接到基板的工序。可使这一工序的初期投资减少到原来的一半以下。该公司将用这种设备来应对数据中心等半导体的普及。
①SK集团旗下的半导体子公司SK海力士计划到2028年投资103万亿韩元(合748亿美元); ②其中约80%,即82万亿韩元,将用于投资高带宽内存芯片(HBM)。
《科创板日报》1日讯,台积电2025年资本支出又将冲高。业内消息称,因持续加码2nm等最先进制程相关研发,加上2nm后续需求超乎预期强劲,台积电2025年资本支出有望达320亿美元至360亿美元区间,为历年次高,同比增长12.5%至14.3%。此前台积电在4月法说会上表示,2024年资本支出预计将介于280亿至320亿美元之间。
《科创板日报》1日讯,苹果iPhone 16系列拉货在即,全系列产品有望搭载台积电第二代3nm制程N3E。供应链透露,苹果已调高A18芯片订单规模。分析师称,英伟达虽已接受台积电2025年4nm晶圆涨价约一成,但苹果明年3nm晶圆价格维持不变,主因双方于埃米级芯片持续合作,台积给予价格之优惠,其他客户晶圆定价可能会在第三季末确定。
财联社6月30日电,韩国SK海力士母公司SK集团表示,到2028年,SK海力士将投资103万亿韩元(746亿美元),以加强其芯片业务,专注于人工智能。SK集团还表示,计划到2026年确保80万亿韩元的资金,用于投资人工智能和半导体领域,以及为股东回报提供资金,并对超过175家的子公司进行精简。
财联社6月29日电,市场调研机构CINNO Research报告显示,2024年5月,中国半导体、光电显示、线路板、消费电子与新能源五大主要新兴科技行业总投资额达3679亿元,同比下降54.7%。
财联社6月28日电,工信部发布2024年1—5月份软件和信息技术服务业经济运行情况,1—5月份,软件产品收入11334亿元,同比增长9.2%,占全行业收入的比重为23%。其中工业软件产品收入1028亿元,同比增长9.3%;基础软件产品收入674.1亿元,同比增长12.7%。1—5月份,信息技术服务收入33312亿元,同比增长12.9%,在全行业收入中占比为67.5%。其中,云计算、大数据服务共实现收入5143亿元,同比增长13%,占信息技术服务收入的比重为15.4%;集成电路设计收入1281亿元,同比增长15.1%;电子商务平台技术服务收入3820亿元,同比增长10.7%。1—5月份,信息安全产品和服务收入680亿元,同比增长8.5%。1—5月份,嵌入式系统软件收入3991亿元,同比增长9.1%。
《科创板日报》28日讯,华润微在接待调研时表示,公司二季度针对部分MOSFET、IGBT产品有价格调涨动作。公司认为产品价格基本触底,年内有望逐步修复。
《科创板日报》28日讯,据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示,第三季除了企业端持续投资服务器建设,尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用,继续受到订单推动,消费性电子需求持续不振,加上原厂下半年增产幅度趋于积极,第三季NAND Flash 供过于求比例(Sufficiency Ratio)上升至2.3%,NAND Flash均价(Blended Price)涨幅收敛至季增5-10%。
财联社6月28日电,财联社记者从国科微方面获悉,公司的AI边缘计算和车载SerDes两款芯片将在7月4日开幕的2024世界人工智能大会(WAIC 2024)上首次公开。其中, AI边缘计算芯片具备充沛的AI算力、超强的编解码能力、支持训推一体和支持大模型。车载SerDes芯片具备低延时、远距离传输、多信号传输、高安全、高可靠特点。(财联社记者 黄路)
《科创板日报》28日讯,芯片制造商Nexperia(安世半导体)表示,将投资2亿美元扩大其位于德国汉堡的主要生产基地的产能。
《科创板日报》28日讯,消息称联发科的产品有机会打入三星Galaxy S25供应链,成为下一代旗舰手机的主晶片供应商之一。三星的S25手机将不只采用高通的骁龙8 Gen 4芯片和三星自家的Exynos 2500芯片,可能会在部分地区采用联发科的天玑芯片,外界推估是联发科尚未发表的天玑9400芯片。
《科创板日报》28日讯,三星电子西安厂升级至第八代V-NAND制程进度正加快推进。三星原本积极催促客户采购第八代 V-NAND,但近期已释出消息,2025年产能几乎被客户包走,整体销售力道强劲,主要采购动能来自于数据中心,部分则来自于手机客户。
《科创板日报》28日讯,三星、SK海力士已启动芯片产品对浸没式液冷的兼容测试。消息人士表示,为了满足服务器运营方“建立浸没式液冷解决方案保修政策”的需求,三星电子和SK海力士已开始进行半导体浸没式液冷兼容测试和功能测试,以了解其产品在各种浸没式液冷环境下的运行情况。业内人士表示,解热能力更强的浸没式液冷也可能对未来半导体的发展带来影响:芯片在浸没式液冷中耐热能力更强,因此可以重点开发具有更高性能与集成度的芯片产品。
《科创板日报》28日讯,铠侠目标在2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠。3D NAND在2014年只有24层,到2022年达到238层,8年间增长了10倍。而铠侠目标以平均每年1.33倍的速度增长。三星在上个月表示,计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片。