财联社2月12日电，三星预计2026年HBM收入将增长逾两倍。

财联社2月12日电，三星电子股价收盘上涨6.44%，创历史新高。消息面上，三星电子已开始大规模生产HBM4，并向客户进行商业发货。

《科创板日报》12日讯，此前有传言称美光可能被排除在英伟达的HBM4供应商名单之外，美光首席财务官马克·墨菲(Mark Murphy)回应称：“关于第六代高带宽内存(HBM4)有一些不准确的报道，但美光已经开始量产HBM4。”他强调，美光已经开始向客户交付HBM4，预计第一季度出货量将大幅提升。

《科创板日报》12日讯，SK海力士近日通过发表在IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上的论文，提出了一种新型半导体结构。该结构采用了HBM和HBF两种技术，公司将8个HBM3E和8个HBF置于英伟达Blackwell旁进行实验，结果表明，与单独使用HBM相比，这种配置可以将每瓦计算性能提升高达2.69倍。

财联社2月11日电，三星电子首席技术官表示，该公司预计，市场对内存芯片的强劲需求不仅将持续今年全年，而且还将持续到明年，因为人工智能推动了强劲的需求。他还重点强调，三星公司的HBM4芯片显示出“良好的”制造良率，客户对其性能表示非常满意。据报道，三星计划在本月晚些时候开始HBM4的大规模生产并将其交付给主要客户。其HBM4芯片使用其1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元芯片，同时使用4纳米工艺制造基板芯片。基于这些技术，三星的HBM4芯片实现了高达每秒11.7Gbps的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。

财联社2月11日电，中芯国际联合首席执行官赵海军在业绩交流会上表示，AI需求在一定时间内“永远无法满足”。“现在大家算力都不够，因为对AI有宏大设想，巴不得在一两年内建成未来十年需要的数据中心，至于建起来之后要干嘛还没完全想清楚。”赵海军判断，在这种情况下，业界还在重投资存储技术，HBM缺货在几年内应该会持续。不过，未来制约HBM产能的将不是前端的晶圆生产环节，而是后端的测试等环节。赵海军预测，接下来存储器产能会增加，厂商买设备快的能4个月拿到，慢的9个月也能拿到，9个月后就能看到晶圆前端生产产能增加。这些产能不能直接用来做AI数据中心所需的HBM，而是会马上投放到消费类产品上。这时中间通道商手里的囤货会释放出来，给到手机、电脑产品，或将在今年第三季度带来消费类产品包括中低端手机市场的反转。

财联社2月9日电，美光科技盘前跌1.6%。消息面上，英伟达或将把美光HBM4排除在Rubin架构的首年量产之外。

财联社2月9日电，据Counterpoint《2月内存价格追踪报告》显示，截至2026年第一季度，内存价格环比上涨80%–90%，迎来前所未有的创纪录暴涨。本轮上涨的主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升。此外，第四季度表现相对平稳的NAND闪存，在第一季度也同步上涨80%–90%。叠加部分HBM3e产品价格走高，市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价已从第四季度的450美元，飙升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元关口。

《科创板日报》9日讯，韩国设备厂商韩美半导体宣布，继去年推出用于生产第六代高带宽存储器（HBM4）的TC键合机之后，计划于今年下半年推出用于生产HBM5和HBM6的“宽型TC键合机”。

《科创板日报》9日讯，研究机构Semianalysis将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin中的HBM4市场份额下调至0%。Semianalysis表示，“目前没有迹象表明英伟达会订购美光的HBM4”，并预测SK海力士将占据英伟达HBM4供应量的70%，三星电子将占据30%。Vera Rubin是英伟达正在开发的下一代Blackwell AI芯片，它将是首款采用HBM4的芯片。

《科创板日报》9日讯，三星电子决定最早于本月第三周开始量产HBM4，这批产品将用于英伟达下一代人工智能计算平台Vera Rubin。在已通过英伟达认证测试的情况下，三星电子综合考虑Vera Rubin的上市计划，最终敲定了量产时间。业界预计，英伟达有望在下月举行年度开发者大会（GTC）上首次公开搭载三星电子HBM4的相关产品。

财联社2月6日电，据报道，三星电子计划今年将基于10纳米工艺的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）产量提升约170%。三星制定战略，将在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备，计划明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆；该生产线将全面配备制造HBM4用1c DRAM的设备。三星当前1c DRAM月产能为7万片晶圆。

《科创板日报》5日讯，Counterpoint表示，2026年第一季度内存价格环比上涨80%-90%，创下前所未有的历史新高。此次价格上涨的主要驱动因素是通用服务器DRAM价格的急剧上涨。此外，第四季度相对平静的NAND闪存价格在第一季度也出现了80%-90%的同步增长。再加上部分HBM3e产品价格的上涨，整个市场呈现出全面上涨的态势。

财联社2月4日电，随着AI热潮下存储产业超级周期愈演愈烈，韩国存储大厂三星电子周三的市值突破1000万亿韩元（约合6880亿美元）这一重要关口，成为韩国首家达到这一里程碑的公司。继去年飙涨125%之后，三星电子股价今年已累计上涨约41%。三星预测，未来存储芯片需求将保持强劲。该公司还表示，其下一代高带宽内存（HBM）芯片，即HBM4，有望在本季度开始交付。

财联社2月3日电，瑞银分析师团队表示，短期可聚焦于两大堪称垄断的HDD霸主——即希捷与西部数据公司，可把它们共同当作“存储景气度周期类型短期交易主题”，中长期把超额收益押在Memory(HBM、高端DDR、以及数据中心企业级SSD背后的NAND/控制器生态)的供需缺口与定价权上——这与当前AI数据中心扩张正在把HBM与传统DRAM/NAND推向更强烈的供需失衡相一致，也就是说三大存储芯片原厂主导的定价与供给纪律只会导致供需愈发失衡，且2028年才有可能出现有意义的供给缓解。

《科创板日报》2日讯，据业内人士透露，三星电子和SK海力士在HBM4测试完成之前就已开始抢先量产，以满足英伟达对HBM的需求。SK海力士内部工作组将此次量产定性为“高风险量产”。高风险量产是指在客户认证完成之前，提前部署晶圆进行量产。

《科创板日报》29日讯，SK海力士表示，其目标是在HBM4市场保持绝对领先地位。然而，随着客户需求持续爆发式增长，预计下半年库存短缺情况将进一步恶化。

财联社1月29日电，三星电子表示，将专注于高带宽内存（HBM）市场的高端领域。目前正处于完成HBM4认证程序的阶段，计划2月投产。高带宽内存（HBM）订单今年已全部订满，预计2026年高带宽内存（HBM）营收将增长逾三倍。