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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠
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  • 昨天 14:33 来自 财联社
    《科创板日报》16日讯,SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。台积电将负责基础芯片前端工艺(FEOL)、后续布线工艺(BEOL)等,晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责,后续制程将由SK海力士处理。业界预测,SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。
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  • 05-15 09:58 来自 财联社
    财联社5月15日电,芯片半导体板块异动拉升,HBM方向领涨,蓝箭电子、通富微电冲击涨停,文一科技、华海诚科、晶方科技、亚威股份等涨幅靠前。近日,两家全球最大的存储芯片供应商——SK海力士和美光都已经表示,2024年的高带宽存储芯片(HBM)已经售罄,而2025年的库存也几乎售罄。不少分析师警告称,在人工智能的爆炸性需求影响下,高带宽存储芯片(HBM)的供应短缺情况可能将持续今年一整年。
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  • 05-14 16:32 来自 财联社 刘蕊
    GPT-4o再度引爆AI热潮!分析师警告:HBM供不应求将持续全年
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  • 05-14 15:17 来自 财联社
    财联社5月14日电,分析师警告称,高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面,因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。
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  • 05-14 14:26 来自 The Elec
    《科创板日报》14日讯,SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示,这家企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。Kim Kwi Wook预计,HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%,同时能效也提高30%。在谈到对键合技术路线的看法时,这位研究人员称混合键合仍面临良率不佳的问题,SK海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。
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  • 05-14 14:08 来自 财联社
    《科创板日报》14日讯,三星和SK海力士预测,由于AI相关芯片需求不断增长,今年DRAM和HBM价格将保持坚挺;为了满足需求,他们将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线。SK海力士HBM芯片今年已售罄,2025年也几乎售罄;三星HBM产品也已售罄。
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  • 05-14 08:37 来自 chosenbiz
    《科创板日报》14日讯,SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示,当前业界HBM技术已经到了新的水平,行业需求促使SK海力士将加速开发过程,最早在2026年推出HBM4E内存,相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
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  • 05-13 13:53 来自 Alpha Biz
    《科创板日报》13日讯,三星电子为供应英伟达HBM3E产品,正致力投入产品验证,不过传因台积电采用标准问题,导致8层HBM3E仍待进一步的检验。
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  • 05-08 06:15 来自 财联社
    财联社5月8日电,天风国际分析师郭明錤预计,英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在2025年4季度量产,系统/机柜方案预计将在2026年上半年量产。R100将采台积电的N3制程与CoWoS-L封装(与B100相同)。R100预计将搭配8颗HBM4。英伟达已理解到AI伺服器的耗能已成为CSP/Hyperscale采购与资料中心建置挑战,故R系列的晶片与系统方案,除提升AI算力外,耗能改善亦为设计重点。
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  • 05-07 19:27 来自 台湾电子时报
    《科创板日报》7日讯,消息称三星电子组建了一支新的HBM工程师团队,以确保从英伟达拿下数十亿美元的合约。三星的新工作小组由大约100名优秀工程师组成,他们一直致力于提高制造产量和质量,首要目标是通过英伟达的测试。
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  • 05-06 15:19 来自 财联社
    《科创板日报》6日讯,三星电子为了加强HBM竞争力,将新一代HBM开发组织二元化:预计明年量产的HBM4由HBM开发组全权负责;HBM3E由负责现有HBM开发的DRAM设计组负责。
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  • 05-06 13:53 来自 科创板日报
    明年HBM价格最高再涨一成!客户看好AI后市需求
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  • 05-06 12:19 来自 财联社
    《科创板日报》6日讯,据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价,不过受限于DRAM总产能有限,为避免产能排挤效应,供应商已经初步调涨5~10%,包含HBM2e,HBM3与HBM3e。
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  • 05-02 11:54 来自 财联社
    财联社5月2日电,在媒体招待会上,韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。
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  • 05-02 11:01 来自 财联社
    财联社5月2日电,SK海力士将于第三季度开始大规模生产下一代HBM芯片。
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  • 04-30 10:59 来自 财联社
    财联社4月30日电,三星电子30日表示,目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品,计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。
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  • 04-30 09:48 来自 财联社
    财联社4月30日电,三星电子称,由于专注于高带宽内存(HBM)生产,预计下半年先进DRAM产品的供应将受到额外限制。
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  • 04-26 09:04 来自 财联社
    《科创板日报》26日讯,台积电系统级晶圆技术将迎来重大突破,公司表示,采用CoWoS技术的芯片堆叠版本,预计于2027年准备就绪,整合SoIC、HBM及其他零部件,打造一个强大且运算能力媲美资料中心伺服器机架,或甚至整台伺服器的晶圆级系统。
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  • 04-25 14:22 来自 财联社
    《科创板日报》25日讯,SK海力士表示,12层堆叠(12Hi)HBM3E内存开发有望三季度完成,而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8Hi HBM3E内存,SK海力士将为明年客户对12Hi HBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估,如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽,内存市场将面临紧张局势。
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  • 04-25 13:40 来自 财联社 刘蕊
    内存市场暖意回归!SK海力士迎业绩暴涨:Q1营收增速创14年新高
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