财联社6月2日电，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。

财联社6月2日电，韩国SK集团会长崔泰源1日在台北会见英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋，两人就人工智能（AI）存储芯片合作进行交流。黄仁勋在答韩媒问时表示，高带宽内存（HBM）供应链最关键的要素为性能、品质、可靠性和供应能力，因此英伟达正与SK紧密合作。

《科创板日报》2日讯，根据TrendForce集邦咨询最新研究指出，自2H25以来，一般型DRAM(Conventional DRAM)价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。

财联社6月2日电，报道称三星电子在台北国际电脑展上首次展示第八代高带宽存储芯片HBM5。

财联社6月2日电，近日，首届集微存储论坛在上海张江举行。与会嘉宾认为，2025年至2027年供需比整体处于供不应求状态，存储芯片涨价趋势有望持续，2027年或成为观察价格趋势的转折之年。但需提及的是，2026年第二季度的存储价格涨幅环比有所收窄，短期可能面临盘整。值得注意的是，AI算力增长由云端训练加速转向端侧推理，为具有低功耗、快速响应优势的利基型存储（包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM等）带来新机遇。叠加三星、SK海力士等国际巨头纷纷将产能转向高毛利的HBM（高带宽存储）等产品，相关国产芯片公司有望迎来新增长。

财联社6月1日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季因一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价加速上涨，季增幅度高达93-98%，激励产业整体营收季成长81%，达970亿美元。随着AI应用由大型语言模型(LLM)训练逐步转至AI推理，云端服务供应商(CSP)数据中心建设重点也从AI Server延伸至通用型Server，带动存储器采购需求由HBM3e、LPDDR5X及高容量RDIMM，扩大至各容量规格的RDIMM产品。

财联社6月1日电，美国骏利亨德森投资旗下“全球科技领袖基金”，计划买入SK海力士公司（SK Hynix Inc.）的股票。该基金押注全球内存芯片供应的进一步收紧，将让这家全球内存芯片制造龙头企业在过去一年暴涨1000%的基础上继续受益。该基金的联席基金经理Richard Clode表示，SK海力士在高带宽内存（HBM）芯片全球市场上的主导地位，意味着它在明年可能会出现“更具爆发力的业绩增长”。届时，此前签署的多年度供应合同，可能会在更高的价格水平上重新定价。他还表示，相比于三星，他更倾向于纯粹的内存芯片公司，例如海力士和美光，因为三星的消费电子业务正受到成本上升的挤压，从而削弱了其整体盈利能力。

财联社6月1日电，英伟达CEO黄仁勋在台北的GTC演讲中宣布，英伟达新一代平台Vera Rubin已经全面投入生产，Vera Rubin采用美光、SK海力士和三星的HBM（高带宽内存），提供机柜级（POD）一体化AI工厂底座。英伟达为Rubin搭建的供应链是上一代Blackwell的“两倍大”，以往需要花两个小时组装一个巨大的Blackwell机架，现在（Vera Rubin）只需要5分钟。

财联社5月29日电，根据三星电子的声明，该公司已开始向主要全球客户交付业内首批12层HBM4E样品。今年早些时候，该公司还率先实现了HBM4的量产和商业出货。这款12层HBM4E为48GB容量型，较上一代产品提升超过30%。该公司还计划根据客户需求，进一步扩展产品阵容，推出8层32GB型和16层64GB型。

《科创板日报》27日讯，据CFM闪存市场数据显示，三星一季度DRAM销售收入达382.14亿美元，环比增长98.4%，市场份额为40.5%，进一步拉大和其他供应商的份额差距，排名第一；SK海力士一季度DRAM销售收入达279.25亿美元，因其HBM供应占比较多，总收入环比增长62.1%低于其他供应商，市场份额为29.6%，排名第二；美光一季度（2025年12月-2026年2月）DRAM销售收入达187.68亿美元，环比增长73.6%，市场份额19.9%，排名第三；长鑫存储一季度DRAM销售收入达73.09亿美元，环比增长115.1%，市场份额进一步提升至7.7%，排名第四。

财联社5月27日电，据Counterpoint咨询统计，在强劲市场需求与存储价格双双走强的推动下，全球DRAM营收于2026年第一季度环比增长80%，创下历史新高。高带宽内存（HBM）以及AI数据中心基础设施中LPDDR5应用占比提升，也成为推动这一增长的重要因素。其中，三星存储业务持续保持领先地位，SK海力士与美光分列第二、第三位。预计2026年第二季度价格将继续环比增长50%（包括HBM及标准型DRAM），预示市场将迎来又一个表现强劲的季度。

财联社5月26日电，SK海力士26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。

财联社5月19日电，据媒体援引内部消息人士透露，三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM的良率提高到92%（基于冷态测试），并将安装在HBM4上的第六代（1c）DRAM的良率提高到75%以上。

《科创板日报》19日讯，三星计划将原本专供服务器使用的HBM高带宽内存下放至智能手机、平板电脑等消费终端。

《科创板日报》18日讯，消息传出，三星电子近期的高带宽存储器（HBM）用DRAM良率已大幅提升，1b DRAM良率达92%、1c DRAM破75%。