财联社10月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。展望2026年，预估Server整机出货量年增幅度将扩大至4%左右，且因各CSP积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算，Server单机DRAM搭载容量将随之提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续。由于Server需求维持强劲，预期DDR5合约价于2026全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。对比当前2026年HBM议价情况，随着三大原厂于HBM3e竞争的格局形成，且买方有一定库存水位，预计合约价将转为年减。TrendForce集邦咨询分析，2025年第二季时，HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，且前者能为供应商带来较佳的获利。然随着DDR5价格持续走扬，两者价差将于2026明显收敛，于2026年第一季起，DDR5的获利表现将优于HBM3e。

财联社10月29日电，SK海力士称，HBM增长将超过传统DRAM增长；预计2027年HBM供应将持续紧张。

《科创板日报》28日讯，存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。

《科创板日报》23日讯，SK海力士CEO郭鲁正表示，对明年存储器半导体市场持乐观态度，并宣布将为HBM4的顺利供应做好准备。他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。他表示：“我们已经满足了客户所需的所有性能、速度标准，已经确保了量产能力，我们正在顺利执行计划。”

《科创板日报》22日讯，力积电总经理朱宪国表示，在AI带动下，高阶存储器供不应求，第四季存储代工价格有望上涨，且能见度可达明年上半年，逻辑芯片代工预估第四季产能利用率约持平于第三季。AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬。

《科创板日报》20日讯，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。

财联社10月19日电，美国人工智能芯片制造商英伟达今日发表声明称，公司首席执行官黄仁勋将于本月出席在韩国举行的亚太经合组织（APEC）企业领袖峰会。英伟达表示：“黄仁勋将参与多项活动，以强调英伟达通过人工智能、机器人技术、数字孪生和自动驾驶汽车推动韩国及全球技术进步和增长所做的工作。”在此期间，黄仁勋将同三星集团会长李在镕、SK集团会长崔泰源等韩国芯片行业领袖会面，共同探讨高带宽内存（HBM）供应、人工智能等领域的合作方案。

财联社9月24日电，美东时间周二盘后，美光科技CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上指出，预计全球存储芯片（尤其 HBM）供需不平衡将加剧，因DRAM 库存低于目标，而NAND 库存持续下降；同时，明年HBM产能已基本锁定，需求增长显著，2026 年HBM出货量增速预计超整体DRAM，成存储板块核心增长动力。

《科创板日报》24日讯，据TrendForce集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和。预估整体一般型DRAM (Conventional DRAM)价格将季增8-13%，若加计HBM，涨幅将扩大至13-18%。

①HBM已成当下AI芯片主流选择，机构称HBM国产化势在必行。②机器人明星初创公司估值达百亿美元，“AI+机器人”赛道火爆。③全球黄金ETF持仓量激增，黄金中长期配置价值有望持续上升。

《科创板日报》23日讯，SK海力士已在其位于清州的M15X工厂启动了一条试验生产线，该生产线将生产1b DRAM，以满足日益增长的HBM需求。该公司计划在11月前将设备投入使用，并在第四季度举行工厂落成典礼，初始产量目标为每月1万片晶圆。

财联社9月20日电，中原证券研报表示，近期国内厂商一改在算力芯片领域低调的风格，阿里和华为算力进展及成果相继发布，集中对市场释放了积极的信号。对比年初DeepSeek-R1发布，中国不光在模型层对标海外厂商，在硬件层也通过集群计算方式补足了芯片上的差距，在超节点和集群层面的全球领先，而且还实现了HBM的自主和互联技术的重要突破。因此对中国AI和算力产业长期发展给予更加积极的预期，仍然继续看好近期行业市场表现，建议积极关注EDA企业华大九天，有大规模智算中心交付计划的润泽科技，在低空经济和商业航空领域积极开拓的中科星图。

《科创板日报》15日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。

财联社9月15日电，马斯克表示，位于美国德州的三星工厂将生产AI6，而非AI5，至于是否使用高带宽内存（HBM）尚未做出决定。

《科创板日报》12日讯，三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。