《科创板日报》27日讯，三星电子、SK海力士正与高通积极合作，共同推进高带宽计算（HBC）芯片的商业化。当地时间8月26日，高通公司执行副总裁杜尔加·马拉迪（Durga Malladi）在“德意志银行2026科技大会”上透露：“在最近的投资者日活动上，我介绍了HBC的优势以及HBM的不足之处后，立即前往韩国，与两家主要的内存制造商进行了会面。”目前，三星电子、SK海力士正在同步推进HBC的研发，主要负责DRAM芯片的堆叠，并计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。

财联社8月27日电，英伟达周三盘后在财报电话会上表示，受全球存储芯片（DRAM/HBM）持续超预期涨价影响，公司毛利率将短期承压。2027财年Q3毛利率预计74%，Q4回落至71%-72%触底；伴随产品涨价落地与新一代高毛利产品放量，2028财年毛利率将修复至72%-73%，盈利韧性依旧强劲。管理层强调，存储涨价是AI算力需求爆发的配套产物，成本上行的同时对应行业整体景气度抬升，属于良性行业通胀。

财联社8月27日电，英伟达周三盘后在财报电话会上表示，AI算力供给短缺格局至少延续至2028财年末，晶圆产能、HBM存储、机房电力均处于全面紧缺状态，行业不存在产能过剩风险。需求端呈现双线高增：传统超大规模云厂商在手订单超2万亿美元，持续加码算力采购；非云市场（主权AI、区域NeoCloud、企业AI、科创AI）同比增速超100%，已占据公司半壁江山，成为全新增长极。

《科创板日报》26日讯，三星电子与SK海力士计划在今年下半年增加对英伟达的8层HBM4内存供应量，这一安排主要受英伟达供应策略影响，目的是保障各类型HBM内存的供应稳定，同时兼顾产品发热量。据了解，8层内存极有可能成为下一代HBM4E的旗舰产品。

财联社8月24日电，美光HBM设计架构研究员Sreeramaneni最新警告，“内存墙”依然存在，且情况还在恶化。他表示，AI加速器计算性能每两年增长3倍，同期HBM发展速度还不足每两年2倍，这可能将加剧内存的短缺。他强调，打破计算和存储之间界限的新设计将是突破这一瓶颈的途径之一。

《科创板日报》24日讯，SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。在2026年的Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其HBM产品路线图，目前SK海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破16层堆叠的限制，未来，SK海力士还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。

财联社8月19日电，根据摩根士丹利的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。大摩还强调，SLC NAND闪存的价格涨幅可能将更加激进，该机构预计该品类在今年剩余的两个季度中每个季度都将上涨50%。

财联社8月14日电，SK海力士董事长崔泰源在公司韩国总部接受了媒体专访。他表示，产能扩张可能需要四到五年时间，并将各家公司对存储芯片的争夺形容为"如同一场战争"。如果没有足够的内存，客户“就无法生产AI计算设备和AI芯片”。他还表示，随着AI服务器需求持续爆发，HBM高带宽存储供不应求，不少科技巨头甚至提前赶到韩国抢签长期协议。崔泰源还警告称，明年可能会出现有史以来最严重的内存短缺。崔泰源将当前的AI比作一个四岁的孩子，随着行业逐步成熟，内存需求将大幅增长，并预测AI智能体的使用量五年内可能增长77倍。

财联社8月12日电，美国半导体设备供应商泛林集团8月12日发布声明称，计划今年在新加坡增聘约200人，其中近9成为专业工程和技术岗位，以加强下一代半导体技术研发能力。新增岗位将涵盖高带宽内存（HBM）、2.5D和3D集成、硅光子、共同封装光学、面板级封装，以及设备和服务智能技术等领域。

财联社8月12日电，Omdia发文称，由于AI需求持续超过全球供应能力，推动DRAM和NAND市场实现强劲增长，Omdia将2026年全球半导体市场营收增长预测上调至同比增长94.1%。预计2026年存储器芯片（MemoryIC）收入将占全球半导体总营收的50%以上。与此同时，AI需求已超出当前半导体产业的芯片制造和封装能力，高带宽内存（HBM）、先进封装以及先进制程产能等关键环节的瓶颈预计至少将持续至2027年。

财联社8月11日电，高盛顶级科技专家Sean Johnstone在一份报告中指出， 市场正在争论内存价格的上涨空间。多头一派认为，HBM和DRAM订单已排期到2027年，长期协议设定了价格底线，这代表着内存仍有70%至80%的利润空间。空头则分析称，内存价格的“二阶导数”已经转负，意味着内存上涨的速度放缓，可能在明年第二季度或者第三季度达到峰值，并在晚些时候转向小幅下跌。此外，内存行业高达80%的利润率正在促使客户重新设计其芯片，这可能影响内存的供需平衡。

财联社8月11日电，三星电子相对于SK海力士的市盈率溢价当前接近两年来最低水平，不过随着该公司从其竞争对手手中重新夺回HBM市场份额，这一市盈率溢价有望扩大。瑞银模型预计，三星HBM出货量所占市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，并在2027年进一步升至40%，届时将首次超过SK海力士。瑞银将三星列为该行业的首选股票。

财联社8月10日电，摩根大通在最新研报中指出，AI需求推动存储芯片价格和出货量同步增长，该行将2026年至2028年全球存储市场规模预测上调4%至8%，预计市场规模将由2026年的约9690亿美元增至2027年的1.44万亿美元、2028年的1.82万亿美元。供需短缺未来两年仍将持续，2027年可能进一步恶化，2028年仅小幅缓解；明年客户需求与供应之比仍只有70%至80%。HBM是此次预测调整重点。由于8层产品周期延长、12层爬坡放缓及16层导入推迟，摩根大通下调部分HBM容量假设，但将2027年HBM平均售价增幅预测上调至42%。

财联社8月10日电，据当地媒体8月9日报道，三星电子HBM4近期良率已达到80%。半导体行业中，80%良率也被称作“黄金良率”，是一道关键拐点。达到该良率意味着缺陷率可控、产出稳定，具备盈利基础。一位业内人士表示：“三星电子最初设定的年终良率目标即为80%，但下半年量产规模提升后，工艺改善进度超出预期。”业内指出，三星电子该产品2月刚启动量产时良率不足60%，而后仅用六个月实现良率企稳，HBM市场竞争由此从技术研发比拼转向产能争夺。业内判断，SK海力士HBM4良率同样已经迈入80%区间。瑞银在近期报告中预测：若按HBM比特出货量统计，2026年SK海力士将以48%份额维持首位；2027年三星将以41%份额微弱反超SK海力士的39%。

财联社8月5日电，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型产品。三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型，该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据，其性能约为下一代HBM5的八倍。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式，三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，同时将能源效率提高3倍，并将热阻降低一半以上。

财联社8月4日电，英伟达的GPU订单已经把台积电的封装产线挤到极限，台积电不得不决定将AI芯片制造核心工席CoWos中的CoW(晶圆上芯片)封装产能进一步外包给日月光等封测厂商。CoWoS是台积电用于AI芯片的2.5D封装技术，AI处理器位于芯片中心，HBM(高带宽内存)环绕四周，通过中介层连接。