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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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  • 昨天 14:35 来自 台湾工商时报
    《科创板日报》23日讯，美光指出，下一季高频宽记忆体(HBM)销售额将季增一倍以上，并预估2025年全球HBM产值或超过300亿美元。
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  • 昨天 10:47 来自 Wccftech
    美光：下一代HBM4内存计划2026年大规模生产 后续推出HBM4E
    《科创板日报》23日讯，美光发布了其HBM4和HBM4E项目的最新进展。具体来看，下一代HBM4内存采用2048位接口，计划在2026年开始大规模生产，而HBM4E将会在后续几年推出。
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  • 12-20 14:59 来自 TheElec
    《科创板日报》20日讯，SK海力士已赢得向博通供应高带宽内存(HBM)的大订单，预计明年下半年开始供应。
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  • 12-11 16:21 来自 财联社
    美国芯片公司Marvell推出定制HBM计算架构
    《科创板日报》11日讯，美国芯片公司Marvell宣布推出一种新的定制HBM计算架构，使XPU能够实现更高的计算和内存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正与云客户和领先的HBM制造商美光、三星电子和SK海力士合作，为下一代XPU定义和开发定制HBM解决方案。
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  • 12-06 12:38 来自 Wccftech
    传英伟达Rubin架构将提前六个月发布
    《科创板日报》6日讯，据传，英伟达下一代Rubin架构将提前六个月上市，Rubin产品线最初计划于2026年推出，现已提前至2025年中期。Rubin预计将采用台积电的3nm工艺，以及HBM4内存芯片。
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  • 12-06 11:17 来自 财联社
    博通推出首个3.5D F2F封装技术 预计2026年生产
    《科创板日报》6日讯，博通宣布推出行业首个3.5D F2F封装技术，技术名为3.5D XDSiP，可在单一封装中集成超过6000平方毫米的硅芯片和多达12个HBM内存堆栈，可满足大型AI芯片对高性能低功耗的需求。博通目前正在采用该技术开发五款产品，预计将于2026年2月开始生产。
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  • 11-29 07:30 来自 环球网
    拜登政府考虑进一步管制对华芯片 措施预计最早下周公布
    财联社11月29日电，美国彭博社28日引述知情人士消息称，拜登政府正考虑进一步限制向中国出售半导体设备和人工智能内存芯片，但不会采取此前提出的一些更严厉措施。这些限制措施最早可能会在下周公布。美国《连线》杂志27日称，拜登政府预计在下周一宣布最新措施。据彭博社报道，知情人士表示，新规的具体内容和发布时间已经过多次调整，在发布之前可能都会发生变化。最新提案与早期有几个关键不同点，首先就是美国将会把哪些中国公司拉入贸易限制清单。美国此前曾考虑制裁中国科技巨头华为至少6家供应商，但目前计划仅将部分供应商列入清单。报道特别提到，尝试开发AI内存芯片技术的长鑫存储并不在清单之内。最新版本的管制措施可能还将包括对高带宽内存（HBM）芯片的控制等内容。
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  • 11-26 13:50 来自 财联社
    TrendForce：服务器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM产业营收季增13.6%
    《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2亿美元，季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。平均销售单价部分，三大原厂延续前一季的上涨趋势，加上HBM持续挤压整体DRAM产能，合约价于第三季达成8%至13%的涨幅。

    展望2024年第四季，TrendForce集邦咨询预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格则因HBM挤压产能效应可能较预期弱，加上部分供应商扩产将驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，预期一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都将下跌。
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  • 11-24 08:33 来自 财联社
    财联社11月24日电，英伟达CEO称，英伟达正在尽快认证三星的AI内存芯片，评估三星的8层堆叠和12层堆叠HBM3E内存。
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  • 11-21 09:28 来自 BusinessKorea
    三星扩产先进封装 包括中国苏州厂与韩国天安基地等
    《科创板日报》21日讯，由于HBM产品中封装重要性不断加强，三星电子正在扩大对国内和海外生产基地的投资，以加强其半导体先进封装业务。据悉，日前三星签署了第三季度销售和采购半导体设备的合同，以扩大其中国苏州工厂的生产设施，该合同价值约200亿韩元。苏州工厂是目前三星电子唯一的海外测试和封装生产基地。另外，三星近期也与韩国忠清南道和天安市签署了投资协议，以扩大半导体封装工艺设施。
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  • 11-20 14:00 来自 韩国经济日报
    报道称特斯拉已向SK海力士和三星表达采购HBM4意向
    《科创板日报》20日讯，据报道，SK海力士和三星近期接获特斯拉的HBM4供应要求，正在研发样品，不过相较微软、Meta、谷歌等主要采购定制化芯片，特斯拉将采购通用HBM4，用于强化超级电脑Dojo性能，预期将比较样品性能后决定主要供应商。
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  • 11-14 19:06 来自 财联社
    TrendForce：SK海力士HBM3e 16hi有望在HBM4推出前突破内存容量限制
    《科创板日报》14日讯，SK海力士近日在SK AI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e 16hi内存，每个立方体的容量为48 GB，样品定于2025年上半年推出。TrendForce最新发现显示，该产品内存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用，其有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。
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  • 11-13 09:08 来自 韩联社
    三星电子计划于韩国天安市新建封装工厂 扩容HBM内存等后端产能
    《科创板日报》13日讯，三星电子计划在现有韩国忠清南道天安市封装设施的基础上在该市境内兴建服务于HBM内存等生产的半导体封装工厂。三星电子将以租赁的形式获得三星显示一幢大楼的使用权，并在三年内为该建筑导入生产HBM等所需的半导体后端加工设备。
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  • 11-12 11:08 来自 台湾电子时报
    消息称三星计划为微软、Meta供应定制化HBM4
    《科创板日报》12日讯，消息称三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器（HBM）HBM4。业界预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。
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  • 11-05 10:01 来自 TheElec
    《科创板日报》5日讯，SK海力士将于2025年初提供其第5代高带宽内存(HBM)或HBM3E 16H的样品。
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  • 11-04 16:00 来自 财联社 黄君芝
    英伟达需求太火爆？SK海力士：黄仁勋要求HBM4芯片提前6个月交货！
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  • 11-04 11:16 来自 财联社
    财联社11月4日电，SK海力士首席执行官表示，将于2025年初推出16层HBM3E芯片，并计划在2028年至2030年期间推出HBM5芯片。
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  • 11-04 09:46 来自 财联社
    财联社11月4日电，英伟达据悉要求SK海力士将HBM4芯片的供应提前6个月。
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  • 10-30 14:03 来自 财联社
    TrendForce：HBM5 20hi后产品或采用混合键合技术
    《科创板日报》30日讯，HBM产品已成为DRAM产业关注焦点，这使得Hybrid Bonding (混合键合)等先进封装技术发展备受瞩目。根据TrendForce集邦咨询最新研究，三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。
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  • 10-29 14:18 来自 台湾工商时报
    需求转弱 DRAM及NAND报价或下跌
    《科创板日报》29日讯，模组厂预期，第四季度仅eSSD与HBM产品出货量和价格增加，其他存储产品如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于消费性产品如手机及PC将与需求持平，仅服务器相关需求持续走强。
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