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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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  • 8小时前 来自 财联社
    财联社11月24日电，英伟达CEO称，英伟达正在尽快认证三星的AI内存芯片，评估三星的8层堆叠和12层堆叠HBM3E内存。
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  • 11-21 09:28 来自 BusinessKorea
    三星扩产先进封装 包括中国苏州厂与韩国天安基地等
    《科创板日报》21日讯，由于HBM产品中封装重要性不断加强，三星电子正在扩大对国内和海外生产基地的投资，以加强其半导体先进封装业务。据悉，日前三星签署了第三季度销售和采购半导体设备的合同，以扩大其中国苏州工厂的生产设施，该合同价值约200亿韩元。苏州工厂是目前三星电子唯一的海外测试和封装生产基地。另外，三星近期也与韩国忠清南道和天安市签署了投资协议，以扩大半导体封装工艺设施。
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  • 11-20 14:00 来自 韩国经济日报
    报道称特斯拉已向SK海力士和三星表达采购HBM4意向
    《科创板日报》20日讯，据报道，SK海力士和三星近期接获特斯拉的HBM4供应要求，正在研发样品，不过相较微软、Meta、谷歌等主要采购定制化芯片，特斯拉将采购通用HBM4，用于强化超级电脑Dojo性能，预期将比较样品性能后决定主要供应商。
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  • 11-14 19:06 来自 财联社
    TrendForce：SK海力士HBM3e 16hi有望在HBM4推出前突破内存容量限制
    《科创板日报》14日讯，SK海力士近日在SK AI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e 16hi内存，每个立方体的容量为48 GB，样品定于2025年上半年推出。TrendForce最新发现显示，该产品内存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用，其有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。
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  • 11-13 09:08 来自 韩联社
    三星电子计划于韩国天安市新建封装工厂 扩容HBM内存等后端产能
    《科创板日报》13日讯，三星电子计划在现有韩国忠清南道天安市封装设施的基础上在该市境内兴建服务于HBM内存等生产的半导体封装工厂。三星电子将以租赁的形式获得三星显示一幢大楼的使用权，并在三年内为该建筑导入生产HBM等所需的半导体后端加工设备。
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  • 11-12 11:08 来自 台湾电子时报
    消息称三星计划为微软、Meta供应定制化HBM4
    《科创板日报》12日讯，消息称三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器（HBM）HBM4。业界预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。
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  • 11-05 10:01 来自 TheElec
    《科创板日报》5日讯，SK海力士将于2025年初提供其第5代高带宽内存(HBM)或HBM3E 16H的样品。
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  • 11-04 16:00 来自 财联社 黄君芝
    英伟达需求太火爆？SK海力士：黄仁勋要求HBM4芯片提前6个月交货！
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  • 11-04 11:16 来自 财联社
    财联社11月4日电，SK海力士首席执行官表示，将于2025年初推出16层HBM3E芯片，并计划在2028年至2030年期间推出HBM5芯片。
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  • 11-04 09:46 来自 财联社
    财联社11月4日电，英伟达据悉要求SK海力士将HBM4芯片的供应提前6个月。
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  • 10-30 14:03 来自 财联社
    TrendForce：HBM5 20hi后产品或采用混合键合技术
    《科创板日报》30日讯，HBM产品已成为DRAM产业关注焦点，这使得Hybrid Bonding (混合键合)等先进封装技术发展备受瞩目。根据TrendForce集邦咨询最新研究，三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。
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  • 10-29 14:18 来自 台湾工商时报
    需求转弱 DRAM及NAND报价或下跌
    《科创板日报》29日讯，模组厂预期，第四季度仅eSSD与HBM产品出货量和价格增加，其他存储产品如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于消费性产品如手机及PC将与需求持平，仅服务器相关需求持续走强。
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  • 10-29 10:44 来自 闪存市场
    DDR4、DDR5巨大价差影响部分服务器客户切换至DDR5动力
    《科创板日报》29日讯，随着支持DDR5的Intel EMR和AMD Bergamo处理器平台渗透率的增加，DDR5在服务器上的应用需求在今年迎来快速的增长。但因原厂DRAM产出受到HBM大规模量产的挤出效应，此前服务器DDR5产品供应相对紧张，导致服务器DDR5产品价格在今年以来大幅上涨。而通用型服务器需求的降温，以及产业链各环节较高的库存，尽管原厂已经在削减服务器DDR4产出，服务器DDR4在短期来看依然供过于求。根据CFM闪存市场数据显示，截至9月底，DDR5 64GB与DDR4 64GB价差近70%。DDR5与DDR4巨大价差以及高资本投入下对投入产出比的权衡已经影响部分客户推动DDR5渗透的动力。
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  • 10-28 08:57 来自 台湾电子时报
    业内人士称第四季DDR5涨幅将转为平缓 2025年HBM价格势必上涨
    《科创板日报》28日讯，存储器业内人士表示，在规格升级带动下，HBM价格2025年势必将向上扬升。服务器存储器如DDR5等，在近一年多来已持续拉抬价格，但相较于HBM价差仍有3~4倍以上，预估DDR5涨势也将能延续至2025年。不过服务器客户的采购动能趋缓，库存逐渐垫高，加上DDR5供给逐渐改善，第四季涨幅将转为平缓。
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  • 10-24 11:19 来自 科创板日报 张真
    龙头炸裂财报验证HBM火爆需求 A股哪些半导体公司有望受益？
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  • 10-24 10:08 来自 财联社 黄君芝
    AI需求火爆又一力证：SK海力士Q3利润和营收均创新高！
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  • 10-24 08:37 来自 财联社
    财联社10月24日电，SK海力士称，预计明年HBM的需求将高于预期；明年HBM需求仍将大于供应。
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  • 10-24 08:20 来自 财联社
    财联社10月24日电，SK海力士称，三季度HBM3E的出货量高于HBM3。
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  • 10-23 14:51 来自 财联社
    SK海力士CEO：HBM3E量产如期进行
    《科创板日报》23日讯，针对12层HBM3E产品的量产计划，SK海力士CEO郭鲁正表示，虽然无法透露具体客户，但出货、供应时间等，都将按照原计划进行。
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  • 10-22 10:54 来自 ZDNet
    三星计划年底前建成首条1c DRAM产线
    《科创板日报》22日讯，三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）量产线，三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片，并计划于明年底发布。
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