财联社4月9日电，全球存储晶片巨头SK海力士将于本月下旬公布首季业绩。花旗发表报告，料其首季经营溢利39.1万亿韩元(约264.1亿美元)，按季升104%，按年升426%，受今年首季记忆体价格上升及HBM销售持续支持。64GB伺服器DDR5 DRAM定价料维持强劲直至下半年，该行相信HBM需求及对商品记忆体具约束力长期供货合约(LTA)将延续盈利可见度及降低周期性。为反映DRAM及HBM需求持续上行轨道及记忆体市场持续结构转变，花旗重申对SK海力士“买入”评级，目标价由原先155万韩元上调至170万韩元。

财联社4月9日电，媒体引述瑞银报告指出，AI驱动的HBM需求持续蚕食DDR产能，叠加传统服务器换机周期与存储SSD需求的同步爆发，全球DRAM市场的供需缺口将延续至2027年第四季度，是近三十年来未曾出现过的存储超级周期。瑞银称，SK海力士在HBM领域占据领导地位，在估值方法上，采用12个月远期市净率倍数对SK海力士进行估值，基于其32.1%的长期ROE预测和11.2%的权益成本，得出2.86倍的目标市净率，目标价从155万韩元上调至170万韩元，同步大幅上调SK海力士2026及27年每股盈测分别22%和29%。该行对其2026年经营利润预测高达286万亿韩元(约1,931.15亿美元)，较市场预期大幅高出约57%。在收入端，瑞银预测SK海力士2026年总营收为355.1万亿韩元(超市场预期41%)，2027年预测为531.6万亿韩元(超市场预期65%)。经营利润方面，该行预测SK海力士2026年为286万亿韩元(超市场预期57%)，2027年为443.5万亿韩元(超市场预期88%)。

《科创板日报》9日讯，SK海力士正在加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资也比原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E核心芯片，并计划于今年交付样品。由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必须加快研发步伐。业内人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底将确保约19万片的产能。

《科创板日报》7日讯，三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机，为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产，将同时制造通用内存和HBM。

《科创板日报》1日讯，被称为“HBM之父”的韩国科学技术院电气与电子工程学院教授金正浩表示，AI芯片格局即将发生根本性变化，当前由英伟达主导、以GPU为核心的体系，最终转变为受内存主导的架构。尽管现阶段计算架构仍以GPU和CPU为核心，但未来的系统将围绕超大容量内存（如HBM与HBF）构建，处理器则更像是嵌入其中的组件。

《科创板日报》31日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将季增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将季增70-75%。

《科创板日报》27日讯，由于英伟达、博通和AMD等客户的需求，三星电子今年的HBM出货量预计将超过100亿Gb。三星电子存储器开发执行副总裁黄相俊表示：“正在快速扩大HBM的产能。我们计划今年将其提高到去年水平的三倍以上。”

《科创板日报》27日讯，SK海力士CEO郭鲁正将与微软云端与AI执行副总裁Scott Guthrie会面，预计将讨论高带宽存储器（HBM）及DRAM供应合作事宜。

财联社3月26日电，财联社记者获悉，中科曙光在2026中关村论坛年会上发布超节点新品“曙光scaleX40”。据悉，该产品为世界首个无线缆箱式超节点，采用标准19英寸箱式设计，兼容主流机柜；单机16U，部署密度是8卡机的2.5倍；最高支持40张GPU卡，FP8算力大于28PFLOPS，HBM总显存大于5TB、访存总带宽大于80TB/S，scale-up聚合带宽大于17TB/S。同时，曙光scaleX40内置软件栈，兼容CUDA，适配优化800+大模型。（财联社记者 付静）

财联社3月25日电，SK海力士CEO称，HBM3E目前仍是主导产品，HBM4预计将于今年下半年开始放量。

财联社3月25日电，SK海力士表示，向客户供应HBM4产品进展顺利。公司目前没有股票拆分计划。

财联社3月25日电，SK海力士表示，得益于人工智能，内存需求预计将在中长期内扩大。2026年HBM有望继续成为内存市场增长的关键驱动力。

财联社3月23日电，SK海力士据悉正在评估使用台积电3纳米工艺来生产第7代高带宽内存（HBM4E）的逻辑芯片。

财联社3月19日电，美东时间周三盘后，美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉在财报电话会上表示，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。为解决供需之间的巨大缺口，美光科技正积极推进全球产能布局，预计2027财年，公司资本支出将大幅增加，主要用于高带宽存储器（HBM）和 DRAM 相关投资。

财联社3月18日电，腾讯高管18日晚回应存储芯片涨价问题时表示，人工智能需求激增不仅带动DRAM及高带宽内存（HBM）需求回升，乃至CPU、固态硬盘、机械硬盘等需求全面回升。目前订单已需提前几个月、几个季度甚至数年预定。供应商优先保障规模最大、合作最稳定的客户，比如腾讯云。规模较小的云厂商如今已难以确保获得稳定的供应链支持。腾讯高管表示，在此背景下行业或别无选择，只能将成本上涨转嫁至售价。过去24小时内，已目睹多家中国云厂商在多方面的价格上调。

财联社3月18日电，三星与AMD将探讨晶圆代工合作机会，将为AMD下一代人工智能加速器供应HBM4内存。