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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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  • 09-11 20:13 来自 环球网
    报道称美国正加紧对韩施压 要求韩国配合对华芯片出口管制
    财联社9月11日电，据《韩国先驱报》11日报道，美国商务部负责工业和安全事务的副部长埃斯特维兹当地时间10日在美国华盛顿特区举行的“2024年韩美经济安全会议”上，呼吁韩国芯片制造商向韩国盟国而不是中国等国供应HBM芯片。埃斯特维兹还重申美国会推动对量子计算和全环绕栅极（GAA）尖端芯片制造工艺等关键技术的出口管制，并敦促韩国也加入其中。中方此前多次就美国对华芯片出口管制表明立场，坚决反对美方胁迫其他国家搞对华出口限制。
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  • 09-09 13:46 来自 财联社
    美光：12层HBM3E正在进行客户验证
    《科创板日报》9日讯，美光表示，目前正在将可供制造的（production-capable）12层第五代HBM（HBM3E）送交给AI产业链重要合作伙伴，以进行验证程序。
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  • 09-04 19:38 来自 台湾经济日报
    SK海力士预计9月底量产12层HBM3E
    《科创板日报》4日讯，SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)今日表示，预计本月底将开始量产12层HBM3E，并将与台积电合作生产HBM4。
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  • 09-04 18:05 来自 The Elec
    SK海力士利川厂M10F产线转向生产HBM 目标明年四季度量产
    《科创板日报》4日讯，SK海力士正在将利川厂的M10F产线转向生产HBM，计划明年四季度实现量产。投产后，SK海力士的HBM产能可达每月15万片。设备供应商已收到相关设备的采购订单。
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  • 09-04 09:29 来自 财联社
    TrendForce：三星电子HBM3E内存已获英伟达验证 8Hi产品开始出货
    《科创板日报》4日讯，TrendForce集邦咨询表示，三星电子的HBM3E内存产品已完成验证，并开始正式出货HBM3E 8Hi，主要用于H200，同时Blackwell系列的验证工作也在稳步推进。
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  • 09-03 16:54 来自 财联社
    SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DRAM
    财联社9月3日电，SK海力士近日宣布成功开发出采用第六代技术的16Gb DDR5 DRAM，速度可达8Gbps，比上一代产品快11%，电源效率提升9%以上，计划今年内实现量产，明年开始正式供货。SK表示，第六代技术是在第五代技术基础上通过提高设计完整性突破工艺限制，未来计划把该技术应用到第七代HBM4E上。
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  • 09-03 16:20 来自 台湾工商时报
    台积电预计2027年实现CoW-SoW量产
    《科创板日报》3日讯，为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求，台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合，形成CoW-SoW，将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上，并预计在2027年开始量产。
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  • 08-29 13:55 来自 财联社
    机构：DRAM价格上涨幅度或低于预期
    《科创板日报》29日讯，TrendForce最新报告显示，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，下滑明显超出市场预期，这预示着下半年的需求不会大幅回温。TrendForce表示，从2025年的情况来看，虽然预期DRAM价格会逐季上扬，但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价，以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。
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  • 08-29 13:55 来自 财联社
    集邦咨询：2024年上半年存储器现货市场调整 预计下半年价格将面临压力
    财联社8月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场继续萎缩。这种情况下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。TrendForce集邦咨询表示，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，反映出全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。存储器产业虽一向受周期因素影响，但今年上半年的出货下滑明显超出市场预期，这预示着下半年的需求不会大幅回温。目前还未明确观察到AI手机或AI PC在接下来几季能有合理的应用出现，即使渗透率因平台商推广而有所提高，也难以带起全面换机潮，因此无法带动DRAM价格。从2025年的情况来看，虽然预期DRAM价格会逐季上扬，但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价，以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。
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  • 08-28 14:24 来自 科创板日报 朱凌
    英伟达财报前精准狙击？这家独角兽强势进军AI推理 不用HBM做到世界最快
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  • 08-27 15:14 来自 台湾电子时报
    消息称SK海力士预计10月完成HBM4设计定案
    《科创板日报》27日讯，SK海力士第六代高带宽存储器（HBM4）商用化计划顺利推动，传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段，预计于2024年10月完成设计定案。
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  • 08-23 13:56 来自 台湾工商时报
    SK海力士、台积电、英伟达将合作开发下一代HBM
    《科创板日报》23日讯，SK海力士将于9月台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)时宣布与台积电、英伟达更紧密的合作计划，并聚焦下一代HBM技术的开发，进一步掌握AI服务器关键零组件。
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  • 08-22 09:27 来自 台湾电子时报
    市场预期2024年整体DRAM产品平均涨幅约达五至六成以上
    《科创板日报》22日讯，受惠于AI商机带来红利，存储器大厂营运持续复苏成长，市场预期，在HBM需求急增以及DDR5渗透率提升带动下，整体DRAM产品均价将持续上涨，2024年平均涨幅约达五至六成以上，尽管基期已拉高，但2025年仍有机会维持三至四成的涨幅，HBM将是直接牵动DRAM产业供需及价格走势的关键。8层堆叠的HBM平均价格约较DDR5约高出5倍，而业界HBM的良率仍有很大的改善空间，以及AI服务器推动存储器需求增加，带动HBM在整体DRAM产能及产值的比重逐年提升，预计2025年在DRAM总产能比重将超过10%，而产值贡献将可望超过30%以上。
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  • 08-21 13:20 来自 财联社
    SEMI：预计Q3全球集成电路销售额同比增长29%
    《科创板日报》21日讯，SEMI最新报告显示，2024年第二季度全球半导体制造业继续呈现改善迹象，集成电路销售额大幅增长、资本支出趋于稳定，晶圆厂安装产能增加。从第三季度开始，电子产品销售预计将出现反弹，同比增长4%，环比增长9%。2024年第二季度，全球集成电路销售额同比增长27%，预计第三季度将进一步增长29%，超过2021年的历史记录。需求改善还带动2024年上半年集成电路库存水平同比下降 2.6%。随着对AI芯片的需求不断增长以及HBM的快速采用，预计从第三季度开始，这一趋势将转为积极，其中存储资本支出将环比增长16%。
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  • 08-20 14:45 来自 财联社
    SK海力士：美股七巨头都提出了HBM定制化需求
    《科创板日报》20日讯，SK海力士副总裁Ryu Seong-su于19日透露，公司的HBM正受到全球企业的高度关注，苹果、微软、谷歌、亚马逊、英伟达、Meta和特斯拉美股科技股七巨头都向SK海力士提出了定制HBM解决方案的要求。
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  • 08-20 08:02 来自 BusinessKorea
    SK海力士将开发性能高30倍HBM
    《科创板日报》20日讯，SK海力士副社长柳成洙(Ryu Seong-su)宣布，公司目标开发一款性能比当前HBM高出20至30倍的产品。他表示，公司致力于通过面向人工智能的内存解决方案来应对大众市场。随着人工智能技术的快速进步，对高性能内存的需求将持续增长。
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  • 08-19 12:27 来自 TheElec
    消息称三星电子今年底启动HBM4内存流片 为明年底量产做准备
    《科创板日报》19日讯，三星电子将于今年底启动下代HBM4内存的流片，为明年底的12层堆叠HBM4产品量产做准备。考虑到从流片到测试产品的推出还需要3到4个月的时间，三星电子的HBM4 12H样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺，改进后的样品将向主要客户出样。
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  • 08-14 13:12 来自 财联社
    谷歌旗下自动驾驶汽车公司Waymo已搭载SK海力士HBM2E
    《科创板日报》14日讯，继AI之后，HBM将应用于汽车高级辅助驾驶（ADAS）。SK海力士副总裁Kang Wook-seong今日透露，公司已经开始将HBM引入汽车半导体，Waymo已搭载SK海力士的HBM2E。
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  • 08-14 10:51 来自 闪存市场
    AI服务器出货大幅增长 带动全球存储市场规模Q2环比增超22%
    《科创板日报》14日讯，在AI服务器出货大幅增长的推动下，eSSD、DDR5 RDIMM和HBM需求稳定提升，带动原厂NAND Flash和DRAM ASP逐季上涨。据CFM闪存市场数据显示，2024年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长18.6%至180.0亿美元，DRAM市场规模环比增加24.9%至234.2亿美元。全球存储市场规模二季度环比增长22.1%至414.2亿美元，同比大增108.7%。
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  • 08-13 14:42 来自 财联社
    IDC：三大内存原厂均跻身2024年Q1半导体IDM企业营收前四
    《科创板日报》13日讯，据IDC报告，三大内存原厂三星电子、SK海力士、美光分列2024年一季度半导体IDM企业营收榜单第一、三、四位，第二位则是英特尔。报告表示，数据中心对AI训练与推理的需求飙升，其中对HBM内存的需求提升尤为明显。HBM自身的高价和对通用DRAM产能的压缩也推动DRAM平均价格上升，使总体内存市场营收大幅成长。三星电子、SK海力士、美光这三大内存原厂在今年一季度均实现超50%营收同比增长。
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