《科创板日报》16日讯，SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。台积电将负责基础芯片前端工艺（FEOL）、后续布线工艺（BEOL）等，晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责，后续制程将由SK海力士处理。业界预测，SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。
财联社5月15日电，芯片半导体板块异动拉升，HBM方向领涨，蓝箭电子、通富微电冲击涨停，文一科技、华海诚科、晶方科技、亚威股份等涨幅靠前。近日，两家全球最大的存储芯片供应商——SK海力士和美光都已经表示，2024年的高带宽存储芯片（HBM）已经售罄，而2025年的库存也几乎售罄。不少分析师警告称，在人工智能的爆炸性需求影响下，高带宽存储芯片（HBM）的供应短缺情况可能将持续今年一整年。
财联社5月14日电，分析师警告称，高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面，因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。
《科创板日报》14日讯，SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示，这家企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。Kim Kwi Wook预计，HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。在谈到对键合技术路线的看法时，这位研究人员称混合键合仍面临良率不佳的问题，SK海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。
《科创板日报》14日讯，三星和SK海力士预测，由于AI相关芯片需求不断增长，今年DRAM和HBM价格将保持坚挺；为了满足需求，他们将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线。SK海力士HBM芯片今年已售罄，2025年也几乎售罄；三星HBM产品也已售罄。
《科创板日报》14日讯，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
《科创板日报》13日讯，三星电子为供应英伟达HBM3E产品，正致力投入产品验证，不过传因台积电采用标准问题，导致8层HBM3E仍待进一步的检验。
财联社5月8日电，天风国际分析师郭明錤预计，英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在2025年4季度量产，系统/机柜方案预计将在2026年上半年量产。R100将采台积电的N3制程与CoWoS-L封装(与B100相同)。R100预计将搭配8颗HBM4。英伟达已理解到AI伺服器的耗能已成为CSP/Hyperscale采购与资料中心建置挑战，故R系列的晶片与系统方案，除提升AI算力外，耗能改善亦为设计重点。
《科创板日报》7日讯，消息称三星电子组建了一支新的HBM工程师团队，以确保从英伟达拿下数十亿美元的合约。三星的新工作小组由大约100名优秀工程师组成，他们一直致力于提高制造产量和质量，首要目标是通过英伟达的测试。
①SK海力士CEO表示，公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄。 ②集邦咨询预计2023年-2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均将大幅向上。 ③国内方面，机构认为，需求叠加技术创新周期，HBM原厂、先进封装、半导体设备、半导体材料等环节公司均有望持续受益。
《科创板日报》6日讯，据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。
财联社5月2日电，在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。
财联社4月30日电，三星电子30日表示，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。
《科创板日报》26日讯，台积电系统级晶圆技术将迎来重大突破，公司表示，采用CoWoS技术的芯片堆叠版本，预计于2027年准备就绪，整合SoIC、HBM及其他零部件，打造一个强大且运算能力媲美资料中心伺服器机架，或甚至整台伺服器的晶圆级系统。
《科创板日报》25日讯，SK海力士表示，12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8Hi HBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12Hi HBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估，如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。
财联社4月24日电，SK海力士计划斥资约20万亿韩元（146亿美元）在韩国构建新的存储芯片产能，进行重大的产能升级，以满足快速增长的人工智能开发需求。这家韩国公司将初步拨出5.3万亿韩元，于4月底左右开始建设一家新工厂或晶圆厂，计划在2025年11月完工。根据声明，SK海力士将长期逐步发展该设施，总投资将超过20万亿韩元。
《科创板日报》24日讯，三星和AMD公司签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货合同。AMD采购三星的HBM，而作为交换三星会采购AMD的AI加速卡，但具体换购数量目前尚不清楚。三星日前表示将于今年上半年量产HBM3E 12H内存，而AMD预估将会在今年下半年开始量产相关的AI加速卡。
财联社4月22日电，华泰证券研报指出，行业侧半导体库存水平持续改善，逻辑和内存客户光刻设备利用率持续提高，需求下半年有望回暖。AI相关需求持续增长，DDR5及HBM推动内存需求，逻辑客户仍在继续消化新增产能。看好全球半导体设备行业景气度回暖。
