《科创板日报》8日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，英伟达于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外，AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。

《科创板日报》7日讯，美光计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆，这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光CEO Sanjay Mehrotra在近期的财报电话会议上透露，计划从第二季度开始提高HBM4的产量，且HBM4的良率增长速度将超过HBM3E。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后，于第二季度开始量产HBM4。

财联社1月6日电，AMDCEO苏姿丰在CES演讲中表示，下一代AI芯片MI455GPU采用两纳米和三纳米工艺制造，并采用先进封装，搭载了HBM4。MI455GPU将与EPYCCPU一同集成，下一代AI机架Helios机架将包含72个GPU，通过连接数千个Helios机架可构建大AI集群。此外，MI500系列芯片也在开发中，将采用两纳米工艺。随着MI500系列在2027年推出，AMD有望在4年时间内将AI性能芯片提升1000倍。

财联社1月6日电，SK海力士宣布，公司将于当地时间1月6日至9日，在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，并集中展示面向AI的下一代存储器解决方案。本次展会上，公司将首次亮相下一代HBM产品“16层48GB HBM4”。此外，公司将展出12层36GB HBM3E产品，并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块。除HBM之外，公司还将展出面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2。

《科创板日报》4日讯，SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室，比原计划提前约两个月，为扩张DRAM产能做准备。据悉，该集群是下一代DRAM内存生产基地，其产能包括高带宽内存（HBM），目前正在建设中。

财联社1月2日电，三星电子首席执行官表示，三星HBM4展现差异化竞争力。

①2026年“国补”首次纳入智能眼镜，AI眼镜行业有望迎高速增长。②个人购房2年以下增值税税率降至3%，房地产市场或加快止跌回稳。③HBM引领AI浪潮下的存储革命，相关产业链投资价值凸现。

《科创板日报》30日讯，三星电子计划到2026年底实现每月25万片HBM晶圆的产能，较目前的每月17万片产能提升47%。

《科创板日报》29日讯，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。

《科创板日报》25日讯，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品，且质量测试能够迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升在第二季度将得以启动。

《科创板日报》24日讯，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。

《科创板日报》22日讯，美国银行分析师Vivek Arya及其团队针对美光股价发表了观点。该团队将美光2026、2027、2028三个财年的备考每股收益预期分别上调62%、80%、42%，调整后数值分别为31.84美元、38.85美元和29.15美元。 分析师指出，美光股价的主要风险包括：人工智能领域需求波动、传统存储产品定价变化、行业新增产能释放，以及当前68%的毛利率和60%的营业利润率或已接近峰值水平。Arya表示，尽管人工智能需求或存在一定波动，但2026全年的高带宽内存（HBM）产品已再度售罄，且客户签订了多年期供货协议。相较于以往的行业周期，这或将推动美光迎来一轮更具持续性的上行周期。基于对美光2027日历年市净率2.3倍的估值（处于美光0.8倍至3.1倍的长期市净率区间中高位），将美光股票评级从“中性”上调至“买入”，目标价从250美元上调至300美元。

①美光上修第二财季营收展望超40亿美元，HBM需求持续高景气。②特朗普旗下企业拟并购核聚变初创公司，核聚变行业商业化显著加速。③蚂蚁阿福下载量猛增引爆市场，AI医疗领域有望迎需求爆发。

财联社12月18日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。