财联社3月25日电，SK海力士CEO称，HBM3E目前仍是主导产品，HBM4预计将于今年下半年开始放量。

财联社3月25日电，SK海力士表示，向客户供应HBM4产品进展顺利。公司目前没有股票拆分计划。

财联社3月25日电，SK海力士表示，得益于人工智能，内存需求预计将在中长期内扩大。2026年HBM有望继续成为内存市场增长的关键驱动力。

财联社3月23日电，SK海力士据悉正在评估使用台积电3纳米工艺来生产第7代高带宽内存（HBM4E）的逻辑芯片。

财联社3月19日电，美东时间周三盘后，美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉在财报电话会上表示，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。为解决供需之间的巨大缺口，美光科技正积极推进全球产能布局，预计2027财年，公司资本支出将大幅增加，主要用于高带宽存储器（HBM）和 DRAM 相关投资。

财联社3月18日电，腾讯高管18日晚回应存储芯片涨价问题时表示，人工智能需求激增不仅带动DRAM及高带宽内存（HBM）需求回升，乃至CPU、固态硬盘、机械硬盘等需求全面回升。目前订单已需提前几个月、几个季度甚至数年预定。供应商优先保障规模最大、合作最稳定的客户，比如腾讯云。规模较小的云厂商如今已难以确保获得稳定的供应链支持。腾讯高管表示，在此背景下行业或别无选择，只能将成本上涨转嫁至售价。过去24小时内，已目睹多家中国云厂商在多方面的价格上调。

财联社3月18日电，三星与AMD将探讨晶圆代工合作机会，将为AMD下一代人工智能加速器供应HBM4内存。

《科创板日报》18日讯，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

财联社3月17日电，当地时间周二（3月17日），韩国SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030年。与此同时，他预计DRAM、NAND和HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。

财联社3月17日电，AI带动存储市场规模不断扩大，其已成为半导体产业最大的组成部分，且依然供不应求。多位业内人士表示，现货市场，有些存储产品目前价格较2月已经涨价近20%；合约市场，在三星、SK海力士带动下，全球存储二季度涨价已经确立，全年HBM（高带宽内存）产能缺口预计达50%至60%，涨价依然是主旋律。

《科创板日报》16日讯，Counterpoint Research在报告中预测，AI服务器计算ASIC对HBM内存的需求到2028年将达到2024年水平的35倍，同时平均HBM内存容量也在这一过程中增长近5倍。

《科创板日报》16日讯，供应链透露，由于HBM4供应不如预期，英伟达下修新一代Rubin GPU平台投片。有晶圆代工厂商透露，英伟达原先规划Rubin GPU自2026年起逐步取代Blackwell平台，并占用相当比例先进封装产能。不过，受HBM4供应链出现技术调整与产能限制，Rubin量产节奏可能延后，使其在英伟达整体CoWoS封装产能占比低于先前预估。

《科创板日报》13日讯，消息称三星电子计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程，以同时提升技术竞争力。

《科创板日报》12日讯，市场调查机构CounterPoint Research表示，与以往的周期不同，当前内存市场即使价格上涨，需求也不会下降。供应短缺问题至少要到2027年下半年才能得到实质性解决。因构建人工智能数据中心对服务器DRAM和高带宽内存(HBM)的需求已经超过了整个市场的需求。

财联社3月11日电，知情人士表示，AMD首席执行官苏姿丰将于下周在韩国会见韩国科技霸主三星电子会长李在镕，双方将重点讨论在用于人工智能芯片组件的高带宽存储(即HBM存储系统)供应保障方面开展积极合作。知情人士表示，预计苏姿丰还将与韩国最大互联网门户和搜索引擎提供商Naver讨论更广泛的AI算力基础设施合作前景。

《科创板日报》9日讯，英伟达计划在今年下半年推出下一代AI加速器Vera Rubin。该产品将采用三星电子和SK海力士提供的第6代高带宽内存HBM4，而全球第三大内存厂商美光被排除在Vera Rubin的HBM4供应链之外。