财联社11月26日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。展望第四季，随着原厂库存普遍见底，出货位元季增幅将明显收敛。价格部分，由于云端服务供应商(CSP)对采购价格态度较开放，其他应用需跟进价格涨幅，以确保原厂的供应量，预期将导致先进及成熟制程、各主要应用的合约价快速攀升，预估第四季最终conventional DRAM合约价将季增45-50%，conventional DRAM及HBM合并的整体合约价亦将上涨50-55%。

《科创板日报》24日讯，Kiwoom证券分析师Pak Yu-ak在研报中指出，由于DRAM芯片价格高于预期，预计三星电子第四季度业绩将超过市场预期。作为全球最大的存储芯片制造商，预计三星第四季度营业利润将达到17.6万亿韩元，比第三季度增长44%，高于市场普遍预测。Pak Yu-ak表示，个人电脑、手机和数据服务器所用DRAM芯片的固定价格正以快于预期的速度上涨。Kiwoom预计，三星2026年的营业利润将达到100万亿韩元，理由是公司在HBM4市场的预期增长以及通用型DRAM芯片价格的提升。

财联社11月22日电，据中科飞测消息，近日，中科飞测首台晶圆平坦度测量设备——GINKGOIFM-P300出货HBM客户端。GINKGOIFM-P300的成功推出，标志着我国在该领域实现了重大突破，打破了国外厂商的长期垄断，突破国内设备对超高翘曲晶圆、低反射率晶圆的量测限制，同时支持键合后晶圆、化合物半导体衬底（SiC/GaAs）的全参数检测。

《科创板日报》19日讯，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略，在DRAM价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型DRAM产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型DRAM的生产，以提高盈利能力。

《科创板日报》18日讯，在今日举行的小米三季度业绩媒体电话会上，小米集团合伙人、总裁卢伟冰就存储成本攀升问题作出回应。他指出，当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增，而非传统的手机、笔记本行业周期波动。面对这一行业趋势，卢伟冰透露小米已提前布局，与合作伙伴签订了2026年全年供应协议，确保全年供应不受影响，并表示未来可能通过涨价和产品结构升级来平滑成本压力。

《科创板日报》13日讯，三星电子和SK海力士已设定目标，力争在2026年上半年完成HBM4E的研发。据悉，HBM4E将应用于全球科技巨头的新型人工智能加速器中，包括英伟达Rubin平台的顶级版本R300。搭载HBM4E的AI加速器预计将于2027年发布，因此双方正在加速研发，争取在明年下半年完成质量验证。

《科创板日报》13日讯，根据TrendForce集邦咨询调查显示，随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。

《科创板日报》11日讯，随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，NOR Flash用量提升约50%，存储旺宏订单满手，将在明年第一季度调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成。

财联社11月6日电，中信证券研报指出，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%-50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。

①SK海力士的HBM4较上代涨价50%，HBM产业链或迎扩产机遇。②小鹏新一代人形机器人IRON亮相，机器人板块有望迎来密集催化。③黑龙江将开展冬季冰雪旅游“百日行动”，冰雪产业规模有望破万亿。

《科创板日报》5日讯，SK海力士5日表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。

《科创板日报》4日讯，得益于三季度NAND、DRAM两大产品线价格环境明显改善，加上为顺应服务器NAND、DRAM强劲的新增需求，扩大服务器DDR5、LPDDR5X、HBM3E、eSSD等高附加值产品的销售，带动三星、SK海力士等原厂Q3存储业务营收创下历史最高纪录，显著提高整体盈利水平。从财报数据显示，当前库存已快速消耗，原厂将进一步提高应用于服务器市场的高利润产品份额，包括DRAM、NAND产品在内的整体供应增长有限。此轮涨价的核心驱动力源自服务器存储需求的爆发，原厂产能结构性转移至服务器市场，mobile、PC及现货市场供应已然受到影响，消费类NAND、DRAM强势涨价已然跳脱需求因素，在未来一段时间内，现货市场DRAM、NAND供应趋紧、价格上涨的市况或成为常态。

《科创板日报》4日讯，慧荣科技总经理苟嘉章指出，今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，不仅NAND供应紧缩，HDD、DRAM包含HBM也同时出现供应瓶颈。他表示，这波缺货并非单一应用驱动，而是多项因素交叠，主因在于AI推论带来的强劲存储需求。AI推论的数据存取量远超过训练阶段，使冷资料与温资料需求同步暴增。他指出，传统服务器存储密度不高，而AI服务器运算时须处理TB级资料，不是DRAM或HBM能承接的，因此高容量HDD与SSD同步吃紧。他认为，AI推论带动的结构性成长，将使存储供应链维持长期紧张，短缺不会在短期结束，整个产业正经历新一轮结构性成长周期。

《科创板日报》4日讯，由于产品良率问题，美光正着手重新设计HBM4，其供应时间或延迟至2027年。

《科创板日报》4日讯，三星正在加紧通过英伟达的HBM4认证，其目标是在2026年初获得最终认证，目前已经交付了工程样品，并预计于本月交付最终验证样品。

财联社10月31日电，三星电子称将与英伟达将延续HBM之外的半导体合作，携手创新下一代半导体。

《科创板日报》30日讯，三星电子表示，2026年高带宽内存（HBM）销售额将远高于今年，已锁定明年HBM客户需求。

财联社10月30日电，三星电子表示，考虑根据不断上升的客户需求，将扩大HBM产能。