HBM

52分钟前来自 ZDNet

《科创板日报》21日讯，三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片，其于此前已将4nm制程应用于HBM4（第六代HBM）的逻辑芯片，该产品预计将于今年投入商业化生产。

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昨天 16:29 来自财联社

小摩：HBM进入第四年上升周期结构性短缺或延续至2028年

财联社1月20日电，摩根大通发布了一份关于亚太地区存储行业的深度研究报告，聚焦于高带宽存储器(HBM)市场的发展趋势及其对存储行业的深远影响。报告指出，HBM市场自2023年起已进入第四年的上升周期，并预计这种增长态势将延续至2027年。随着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)需求的激增，HBM技术的重要性愈发凸显，其在AI资本支出和收入中的占比持续上升，成为推动存储行业增长的关键力量。

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01-18 08:56 来自科创板日报张真

SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”：最快明年用于英伟达产品

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01-15 08:44 来自 ChosunBiz

英伟达2025Q4再次提高HBM4供应标准

《科创板日报》15日讯，英伟达去年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。

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01-13 20:04 来自 TheElec

LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本

《科创板日报》13日讯，LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM）的混合键合堆叠设备（键合机）早期版本。该项目计划于2029年完成，目标精度设定为200纳米。不过，这一精度规格与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出，基于这样的精度差异，该键合机在三年后推出时，可能在HBM领域竞争力不足。

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01-08 14:18 来自财联社

机构：HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响预估量产时程延至2026年第一季度末

《科创板日报》8日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，英伟达于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外，AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。

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01-07 12:54 来自 ETNews

消息称美光今年HBM4增产幅度占总产能近30%

《科创板日报》7日讯，美光计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆，这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光CEO Sanjay Mehrotra在近期的财报电话会议上透露，计划从第二季度开始提高HBM4的产量，且HBM4的良率增长速度将超过HBM3E。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后，于第二季度开始量产HBM4。

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01-06 11:44 来自财联社

AMD推出下一代新品 4年内AI芯片性能有望提升1000倍

财联社1月6日电，AMDCEO苏姿丰在CES演讲中表示，下一代AI芯片MI455GPU采用两纳米和三纳米工艺制造，并采用先进封装，搭载了HBM4。MI455GPU将与EPYCCPU一同集成，下一代AI机架Helios机架将包含72个GPU，通过连接数千个Helios机架可构建大AI集群。此外，MI500系列芯片也在开发中，将采用两纳米工艺。随着MI500系列在2027年推出，AMD有望在4年时间内将AI性能芯片提升1000倍。

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01-06 07:11 来自财联社

SK海力士将在CES首次亮相下一代HBM产品

财联社1月6日电，SK海力士宣布，公司将于当地时间1月6日至9日，在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，并集中展示面向AI的下一代存储器解决方案。本次展会上，公司将首次亮相下一代HBM产品“16层48GB HBM4”。此外，公司将展出12层36GB HBM3E产品，并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块。除HBM之外，公司还将展出面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2。

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01-05 11:07 来自财联社刘蕊

三星“王者归来”？HBM4赢回客户青睐股价大涨超6%再创新高