《科创板日报》25日讯，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品，且质量测试能够迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升在第二季度将得以启动。

《科创板日报》24日讯，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。

《科创板日报》22日讯，美国银行分析师Vivek Arya及其团队针对美光股价发表了观点。该团队将美光2026、2027、2028三个财年的备考每股收益预期分别上调62%、80%、42%，调整后数值分别为31.84美元、38.85美元和29.15美元。 分析师指出，美光股价的主要风险包括：人工智能领域需求波动、传统存储产品定价变化、行业新增产能释放，以及当前68%的毛利率和60%的营业利润率或已接近峰值水平。Arya表示，尽管人工智能需求或存在一定波动，但2026全年的高带宽内存（HBM）产品已再度售罄，且客户签订了多年期供货协议。相较于以往的行业周期，这或将推动美光迎来一轮更具持续性的上行周期。基于对美光2027日历年市净率2.3倍的估值（处于美光0.8倍至3.1倍的长期市净率区间中高位），将美光股票评级从“中性”上调至“买入”，目标价从250美元上调至300美元。

①美光上修第二财季营收展望超40亿美元，HBM需求持续高景气。②特朗普旗下企业拟并购核聚变初创公司，核聚变行业商业化显著加速。③蚂蚁阿福下载量猛增引爆市场，AI医疗领域有望迎需求爆发。

财联社12月18日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。

《科创板日报》18日讯，在今日举行的光合组织2025人工智能创新大会上，中科曙光发布scaleX万卡超集群。据悉，1个万卡超集群系统由多个scaleX640超节点组成，scaleX万卡超集群总算力5EFlops ，HBM总容量>650TB，主要面向面向万亿参数大模型&科学智能场景。(记者 陈俊清)

财联社12月18日电，美东时间周三盘后，美光公布的财报显示HBM市场需求爆棚，公司CEO桑贾伊·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在业绩电话会上表示，预计到2028年，全球HBM总潜在市场（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，将从2025年的约350亿美元增长至2028年的约1000亿美元。这一里程碑预期将比此前展望提前两年实现。

《科创板日报》16日讯，三星电子和SK海力士已开始向英伟达交付其第六代高带宽内存（HBM4），两家公司均已进入谈判的最后阶段，并以付费方式提供HBM4的最终样品，这些样品将安装在英伟达的下一代人工智能加速器Rubin中。目前最后一个障碍是质量认证，业内预计产量和价格将在2026年第一季度最终确定。

《科创板日报》15日讯，SK海力士已向新加坡ASMPT公司订购了一批新的热压键合机（TCB），以支持HBM4的生产。据悉，SK海力士上个月向ASMPT订购了7套TC键合系统，每套系统配备两个键合头。每套系统单价约为40亿韩元，合同总金额估计约为300亿韩元。

《科创板日报》8日讯，SK海力士HBM4的量产已推迟至明年3月或4月，HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整。公司现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。据悉，SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时，大幅增加了HBM3E的产量。

财联社12月2日电，三星电子已完成其第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发，并正进入量产准备阶段。这家韩国科技巨头目前正向英伟达发送HBM4原型样品进行质量测试。三星的目标是在年底前完成HBM4的开发，一旦通过英伟达的质量测试，便可能立即开始量产。据悉，三星也正在建立即时量产的系统。

《科创板日报》2日讯，三星电子考虑将支撑其HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的1b nm产能，以实现利润的最大化。

《科创板日报》1日讯，美光扩建日本广岛县东广岛市DRAM工厂的施工将于2026年5月启动，目标2028年实现HBM内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。

《科创板日报》28日讯，韩国纳米制造中心(NNFC)的首席研究员杨俊模(Yang Jun-mo)预测，HBM9预计将于2040年左右问世，其性能将比第六代HBM4高出60倍以上。下一代存储器预计将采用超过32层堆叠结构，带宽最高可达每秒128太字节(TB/s)。

《科创板日报》28日讯，三星电子宣布重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的HBM（高带宽内存）特别开发团队，并将相关人员与业务并入DRAM开发部门下的设计团队。