财联社11月6日电，中信证券研报指出，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%-50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。

①SK海力士的HBM4较上代涨价50%，HBM产业链或迎扩产机遇。②小鹏新一代人形机器人IRON亮相，机器人板块有望迎来密集催化。③黑龙江将开展冬季冰雪旅游“百日行动”，冰雪产业规模有望破万亿。

《科创板日报》5日讯，SK海力士5日表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。

《科创板日报》4日讯，得益于三季度NAND、DRAM两大产品线价格环境明显改善，加上为顺应服务器NAND、DRAM强劲的新增需求，扩大服务器DDR5、LPDDR5X、HBM3E、eSSD等高附加值产品的销售，带动三星、SK海力士等原厂Q3存储业务营收创下历史最高纪录，显著提高整体盈利水平。从财报数据显示，当前库存已快速消耗，原厂将进一步提高应用于服务器市场的高利润产品份额，包括DRAM、NAND产品在内的整体供应增长有限。此轮涨价的核心驱动力源自服务器存储需求的爆发，原厂产能结构性转移至服务器市场，mobile、PC及现货市场供应已然受到影响，消费类NAND、DRAM强势涨价已然跳脱需求因素，在未来一段时间内，现货市场DRAM、NAND供应趋紧、价格上涨的市况或成为常态。

《科创板日报》4日讯，慧荣科技总经理苟嘉章指出，今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，不仅NAND供应紧缩，HDD、DRAM包含HBM也同时出现供应瓶颈。他表示，这波缺货并非单一应用驱动，而是多项因素交叠，主因在于AI推论带来的强劲存储需求。AI推论的数据存取量远超过训练阶段，使冷资料与温资料需求同步暴增。他指出，传统服务器存储密度不高，而AI服务器运算时须处理TB级资料，不是DRAM或HBM能承接的，因此高容量HDD与SSD同步吃紧。他认为，AI推论带动的结构性成长，将使存储供应链维持长期紧张，短缺不会在短期结束，整个产业正经历新一轮结构性成长周期。

《科创板日报》4日讯，由于产品良率问题，美光正着手重新设计HBM4，其供应时间或延迟至2027年。

《科创板日报》4日讯，三星正在加紧通过英伟达的HBM4认证，其目标是在2026年初获得最终认证，目前已经交付了工程样品，并预计于本月交付最终验证样品。

财联社10月31日电，三星电子称将与英伟达将延续HBM之外的半导体合作，携手创新下一代半导体。

《科创板日报》30日讯，三星电子表示，2026年高带宽内存（HBM）销售额将远高于今年，已锁定明年HBM客户需求。

财联社10月30日电，三星电子表示，考虑根据不断上升的客户需求，将扩大HBM产能。

财联社10月30日电，三星电子表示，HBM需求增长速度快于供应。第三季度HBM芯片销量较第二季度增长超过80%。

财联社10月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。展望2026年，预估Server整机出货量年增幅度将扩大至4%左右，且因各CSP积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算，Server单机DRAM搭载容量将随之提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续。由于Server需求维持强劲，预期DDR5合约价于2026全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。对比当前2026年HBM议价情况，随着三大原厂于HBM3e竞争的格局形成，且买方有一定库存水位，预计合约价将转为年减。TrendForce集邦咨询分析，2025年第二季时，HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，且前者能为供应商带来较佳的获利。然随着DDR5价格持续走扬，两者价差将于2026明显收敛，于2026年第一季起，DDR5的获利表现将优于HBM3e。

财联社10月29日电，SK海力士称，HBM增长将超过传统DRAM增长；预计2027年HBM供应将持续紧张。

《科创板日报》28日讯，存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。

《科创板日报》23日讯，SK海力士CEO郭鲁正表示，对明年存储器半导体市场持乐观态度，并宣布将为HBM4的顺利供应做好准备。他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。他表示：“我们已经满足了客户所需的所有性能、速度标准，已经确保了量产能力，我们正在顺利执行计划。”

《科创板日报》22日讯，力积电总经理朱宪国表示，在AI带动下，高阶存储器供不应求，第四季存储代工价格有望上涨，且能见度可达明年上半年，逻辑芯片代工预估第四季产能利用率约持平于第三季。AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬。

《科创板日报》20日讯，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。