《科创板日报》5日讯，SK海力士今年第一季度在全球DRAM市场的占有率首次超过三星电子。根据市场研究机构Omdia的数据，由于DRAM合同价格下跌和HBM出货量下降，第一季度全球DRAM销售额总计263.3亿美元，环比下降9%。在整体市场下滑的情况下，SK海力士的市占率从去年第四季度的36%上升到今年第一季度的36.9%，超过了三星电子，后者的市占率从38.6%降至34.4%。从销售额来看，SK海力士第一季度的销售额为97.2亿美元，而三星电子销售额为91亿美元。这是自1992年三星电子成为全球最大DRAM生产商以来，SK海力士首次占据首位。

财联社6月3日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价下跌，加上HBM出货规模收敛，DRAM产业营收为270.1亿美元，季减5.5%。在平均销售单价方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e产品设计，HBM产能排挤效应减弱，促使下游业者去化库存，导致多数产品合约价延续2024年第四季以来的跌势。展望2025年第二季，随着PC OEM和智能手机业者陆续完成库存去化，并积极生产整机，将带动位元采购动能升温，原厂出货位元显著季增。价格方面，预期各主要应用的合约价皆将止跌回升，预估一般型DRAM合约价，以及一般型DRAM和HBM合并的整体合约价均将上涨。

《科创板日报》28日讯，三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。此前，三星传针对HBM3E使用的第四代10纳米级（1a）DRAM进行结构重整，不过英伟达以速度未达标准为由，未给予供货批准。韩国业界人士指出，若三星2025年无法供应12层HBM3E给英伟达，其2026年的HBM策略将势必要大幅修正，甚至可能放弃该HBM3E产品，转而专注第六代HBM（HBM4）。

《科创板日报》27日讯，消息称，三星电子DS（设备解决方案）部门负责人全永铉正在进行内部组织大幅调整。他将三星HBM开发团队细分为标准HBM、定制化HBM、HBM产品工程（PE）及HBM封装等团队。相关人士透露，三星内部对“拯救HBM”的需求备感迫切，尤其押宝定制化HBM。

①中国信通院发布软件开发智能体标准，AI智能体进入爆发前夜。②人工智能对存储芯片提出更高要求，HBM芯片需求强劲增长。③情感陪伴需求巨大，AI陪伴玩具有望率先商业化落地。

《科创板日报》26日讯，目前三星12层HBM3E产品，基本通过英伟达的DRAM单芯片认证，现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证，但因延迟，实际结果或等到2025年下半年出炉。

《科创板日报》22日讯，根据SEMI最新报告，2025年第一季度全球半导体资本支出环比下降7%，但同比增长27%，这得益于对先进逻辑、高带宽存储器（HBM）和支持AI应用的先进封装技术的持续投资。SEMI 指出，与内存相关的资本支出同比增长57%，而非内存领域的支出同期增长了15%。

财联社5月22日电，据美国《联邦公报》21日消息，韩国政府向美方提交官方意见书指出，从韩国对美出口存储芯片、从美进口逻辑芯片和芯片制造设备来看，两国在芯片产业上保持互补关系。若美国对韩产芯片加征关税，这恐将破坏韩美互补关系，从而拖累美国芯片产业发展。韩国政府强调，韩产高带宽内存（HBM）和高新DRAM芯片在美国扩大人工智能（AI）基础设施建设中不可或缺，并呼吁美国政府从战略角度谨慎对待相关问题。韩国政府认为，考虑到部分韩企正在美国兴建芯片工厂，其在短期内难免进口芯片制造设备和材料，美方关税恐将给韩企对美投资产生负面影响，呼吁给予韩国“特殊照顾”。

财联社5月22日电，根据TrendForce集邦咨询最新研究，HBM技术发展受AI Server需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。

《科创板日报》19日讯，美光预计，12Hi HBM3E良率在第三季度末达到稳定水平，其出货量将最早于8月超过8Hi HBM3E。

财联社5月13日电，财联社记者多方了解到，DRAM市场自2025年Q2起持续涨价，有厂商透露部分型号DDR4价格在一个月内涨近50%。多位受访业内人士表示，此轮波动主因系AI驱动HBM及服务器DRAM需求激增，三星、SK海力士等原厂将DDR4产能转向高端产品。分析师指出，下游因长尾需求紧急建库加剧DDR4供应短缺，存储原厂及库存充足模组厂或成赢家。值得关注的是，国际大厂产能战略调整叠加供应链变局，正为国内存储厂商创造结构性市场机遇。（财联社记者 王碧微）

财联社5月6日电，据市场机构CFM数据统计，在AI服务器需求与PC和移动需求复苏推动下，叠加关税触发的部分补库存需求的共同影响，2025年一季度DRAM整体表现优于预期，全球DRAM市场规模同比增长42.5%至267.29亿美元，环比减少8.5%。期间，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十多年的市场统治地位，以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。

《科创板日报》30日讯，作为正式供货前的最后阶段，三星的HBM3E将于6月接受英伟达的质量测试。

《科创板日报》25日讯，由于三星HBM3E未能通过英伟达认证，谷歌将美光产品作为替补供应，其于日前已通知三星更换供应商。

《科创板日报》24日讯，三星电子的HBM2E高频宽记忆体已进入最后采购阶段，后续将集中布局HBM3E与HBM4。

《科创板日报》24日讯，SK海力士表示，预期今年HBM的需求约为去年的两倍，并且向12层HBM3E的过渡也进展顺利，因此在第二季度，预计一半以上的HBM3E出货量将按照先前的计划以12层的形式出售。

《科创板日报》18日讯，韩媒援引三星内部消息人士称，三星原定2025年7月进行1c DRAM样品生产测试，因在重新设计过程中遭遇困难，时间表已推迟至2025年10月。三星基于1c DRAM的HBM4原计划在2025年下半年开始量产，可能也会同步延后。

《科创板日报》17日讯，三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%。由于该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件，良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。