财联社2月9日电，美光科技盘前跌1.6%。消息面上，英伟达或将把美光HBM4排除在Rubin架构的首年量产之外。

财联社2月9日电，据Counterpoint《2月内存价格追踪报告》显示，截至2026年第一季度，内存价格环比上涨80%–90%，迎来前所未有的创纪录暴涨。本轮上涨的主要推手是通用服务器DRAM价格大幅攀升。此外，第四季度表现相对平稳的NAND闪存，在第一季度也同步上涨80%–90%。叠加部分HBM3e产品价格走高，市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价已从第四季度的450美元，飙升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元关口。

《科创板日报》9日讯，韩国设备厂商韩美半导体宣布，继去年推出用于生产第六代高带宽存储器（HBM4）的TC键合机之后，计划于今年下半年推出用于生产HBM5和HBM6的“宽型TC键合机”。

《科创板日报》9日讯，研究机构Semianalysis将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin中的HBM4市场份额下调至0%。Semianalysis表示，“目前没有迹象表明英伟达会订购美光的HBM4”，并预测SK海力士将占据英伟达HBM4供应量的70%，三星电子将占据30%。Vera Rubin是英伟达正在开发的下一代Blackwell AI芯片，它将是首款采用HBM4的芯片。

《科创板日报》9日讯，三星电子决定最早于本月第三周开始量产HBM4，这批产品将用于英伟达下一代人工智能计算平台Vera Rubin。在已通过英伟达认证测试的情况下，三星电子综合考虑Vera Rubin的上市计划，最终敲定了量产时间。业界预计，英伟达有望在下月举行年度开发者大会（GTC）上首次公开搭载三星电子HBM4的相关产品。

财联社2月6日电，据报道，三星电子计划今年将基于10纳米工艺的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）产量提升约170%。三星制定战略，将在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备，计划明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆；该生产线将全面配备制造HBM4用1c DRAM的设备。三星当前1c DRAM月产能为7万片晶圆。

《科创板日报》5日讯，Counterpoint表示，2026年第一季度内存价格环比上涨80%-90%，创下前所未有的历史新高。此次价格上涨的主要驱动因素是通用服务器DRAM价格的急剧上涨。此外，第四季度相对平静的NAND闪存价格在第一季度也出现了80%-90%的同步增长。再加上部分HBM3e产品价格的上涨，整个市场呈现出全面上涨的态势。

财联社2月4日电，随着AI热潮下存储产业超级周期愈演愈烈，韩国存储大厂三星电子周三的市值突破1000万亿韩元（约合6880亿美元）这一重要关口，成为韩国首家达到这一里程碑的公司。继去年飙涨125%之后，三星电子股价今年已累计上涨约41%。三星预测，未来存储芯片需求将保持强劲。该公司还表示，其下一代高带宽内存（HBM）芯片，即HBM4，有望在本季度开始交付。

财联社2月3日电，瑞银分析师团队表示，短期可聚焦于两大堪称垄断的HDD霸主——即希捷与西部数据公司，可把它们共同当作“存储景气度周期类型短期交易主题”，中长期把超额收益押在Memory(HBM、高端DDR、以及数据中心企业级SSD背后的NAND/控制器生态)的供需缺口与定价权上——这与当前AI数据中心扩张正在把HBM与传统DRAM/NAND推向更强烈的供需失衡相一致，也就是说三大存储芯片原厂主导的定价与供给纪律只会导致供需愈发失衡，且2028年才有可能出现有意义的供给缓解。

《科创板日报》2日讯，据业内人士透露，三星电子和SK海力士在HBM4测试完成之前就已开始抢先量产，以满足英伟达对HBM的需求。SK海力士内部工作组将此次量产定性为“高风险量产”。高风险量产是指在客户认证完成之前，提前部署晶圆进行量产。

《科创板日报》29日讯，SK海力士表示，其目标是在HBM4市场保持绝对领先地位。然而，随着客户需求持续爆发式增长，预计下半年库存短缺情况将进一步恶化。

财联社1月29日电，三星电子表示，将专注于高带宽内存（HBM）市场的高端领域。目前正处于完成HBM4认证程序的阶段，计划2月投产。高带宽内存（HBM）订单今年已全部订满，预计2026年高带宽内存（HBM）营收将增长逾三倍。

财联社1月29日电，三星电子芯片业务利润增长逾四倍，超出预期，释放出人工智能(AI)支出浪潮激发存储芯片需求的积极信号。这家韩国公司计划扩大AI相关芯片的销售，并有望从第一季度开始向英伟达交付其下一代高带宽存储芯片HBM4。三星半导体部门公布的第四季度营业利润为16.4万亿韩元（114亿美元），高于分析师平均预期的10.85万亿韩元。整体净利润为19.29万亿韩元，高于预期值15.1万亿韩元。三星还表示，其将回购价值3.57万亿韩元的股票。三星股价在2025年翻了一倍多，本月甚至又飙升了约35%，反映出市场对今年业绩大幅增长的预期，因为存储芯片价格上涨速度超出预期。这一增长也反映出，随着巨头们向AI基础设施投入数千亿美元，整个行业的格局正在迅速改变。

财联社1月29日电，SK海力士称，已开始生产客户要求的HBM4芯片。芯片供应在短期内仍将紧张。

财联社1月29日电，三星电子称，HBM4芯片将于第一季度出货。

财联社1月28日电，SK海力士表示，2025年高带宽内存（HBM）营收同比增幅超一倍；服务器需求激增推动内存需求爆发，但全行业产能受限缓解了内存需求激增问题。

财联社1月28日电，随着上市公司2025年度业绩预告进入高峰期，存储芯片产业链公司的盈利能力增长成为市场的一道风景线。探究发现，存储芯片公司业绩增长的主要原因是，受AI及算力产业发展拉动，产业进入高景气周期、产品持续涨价。记者采访获悉，从全球来看，2026年，存储芯片产业高景气仍将持续，涨价有望持续全年。尤其是，在AI需求拉动下，HBM（高带宽内存）赛道高景气度有望延续至2028年。抢抓景气周期机遇，存储相关上市公司也进入扩产周期。除了三星、美光等头部公司，佰维存储、江波龙、德明利、兆易创新等A股公司也在积极扩产，普冉股份等则加快并购步伐以加码主业。

《科创板日报》27日讯，SK海力士将独家向微软Maia 200提供HBM3E芯片。据悉，Maia 200搭载的HBM3E内存总容量为216GB，其配备了六个12层HBM3E内存模块，每个模块容量为36GB。

财联社1月26日电，三星据悉接近获英伟达批准，将供应HBM4人工智能存储芯片。