《科创板日报》24日讯，在日前举办的2024集邦咨询半导体产业高层论坛上，集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，AI服务与云端应用带动高效能运算芯片需求强势增长，让先进工艺的发展成为半导体市场所关注的焦点。8英寸、12英寸晶圆厂摆脱了去年低迷的市况，2024年产能利用率迅速提升。在区域竞争背景下，各国持续祭出优渥的补贴政策吸引晶圆厂前往当地设厂，其中美国、日本、甚至欧洲都积极布局先进工艺产能。另据预测，HBM在DRAM总产值占比将从去年约一成提升到2025年超过30%。

《科创板日报》24日讯，由于三星和SK海力士正在增产HBM，韩国半导体设备公司用于HBM生产的TC键合机订单正在迅速增加。三星电子子公司EMES在一年左右的时间里，TC键合设备累计出货量已接近100台；本月，SK海力士与韩美半导体签署了价值1500亿韩元的TC键合设备供应合同，后者从SK海力士获得的HBM TC键合机订单累计金额达3587亿韩元。一台TC键合机价格约20亿韩元。

财联社6月24日电，创意电子已获得SK海力士的HBM4基础界面芯片订单。

《科创板日报》19日讯，知情人士透露，美国存储芯片制造商美光科技正在美国建设先进高带宽存储（HBM）芯片的测试生产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。美光表示，其目标是到2025年将HBM（AI芯片的关键组件）的市场份额提高三倍以上，达到20%左右。

①特高压招标消息不断，机构称此轮投资高峰有望长达5年以上。②南方强降雨持续，水利投资增速有望保持强劲。③HBM订单2025年已预订一空，国内先进封装供应链或迎发展机遇。

《科创板日报》18日讯，存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能，势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为，DDR5价格持续走扬态势明确，预期到了年底前还有10~20%涨幅，但若DDR5价格太高，反而可能拖延市场渗透率的起飞速度，影响下游客户采用的意愿。

《科创板日报》17日讯，据三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

《科创板日报》17日讯，据业内人士透露，SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。SK海力士已向多家设备公司下订单。通过这项投资，SK海力士的1b DRAM产能预计将从第一季度的每月1万片晶圆增加到年底的每月9万片， SK海力士还计划到明年上半年将1b DRAM产量增加到14万至15万片。 “如果SK海力士的销量要求100%，生产或投资部门只接受70-80%”，业内人士表示，“我们非常谨慎。 ” 另一位业内人士表示，“设备订单数量的增长超出了我们最初的预期。”

《科创板日报》12日讯，摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。

《科创板日报》12日讯，日本半导体设备商爱德万测试（Advantest）周三表示，用于人工智能任务的HBM需求旺盛，正在推动其内存测试仪业务的发展。首席执行官Douglas Lefever受访时表示：“目前，HBM约占我们内存测试业务的50%，我们认为这种趋势在短期内将持续下去。”

《科创板日报》12日讯，记忆体价格经历半年大幅上涨，且通端客户库存逐步回补完成，加上终端需求复苏较预期缓慢，市场法人预期，2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言，中长线供需仍乐观，主要是在AI发展趋势下，将大量消耗高带宽记忆体（ HBM）产能。

财联社6月4日电，英伟达首席执行官表示，英伟达正在努力对三星和美光半导体提供的高带宽内存（HBM）进行资格认证。

①国内车路云一体化大工程启动，交通信息化景气度有望提升。②英伟达下一代AI平台将采用HBM4，机构称国产HBM未来空间巨大。③各地低空经济加速推进，该细分领域有望率先放量。

《科创板日报》29日讯，在近日的摩根大通投资者会议活动上，美光表示，2025年HBM内存供应谈判基本完成。美光高管代表宣称，其已与下游客户基本敲定了明年HBM订单的规模和价格，预计HBM内存将在其截至2024年9月的本财年中创造数亿美元的营收，而在2025财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。

财联社5月28日电， 日前国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司注册成立，注册资本3440亿元，规模超过前两期。记者采访半导体业内人士了解到，国家大基金三期有望延续对半导体产业链“卡脖子”环节投资，包括大型制造以及设备、材料等环节，另外HBM产业等人工智能半导体关键领域也有望获得国家大基金三期的投资。