《科创板日报》4日讯，得益于三季度NAND、DRAM两大产品线价格环境明显改善，加上为顺应服务器NAND、DRAM强劲的新增需求，扩大服务器DDR5、LPDDR5X、HBM3E、eSSD等高附加值产品的销售，带动三星、SK海力士等原厂Q3存储业务营收创下历史最高纪录，显著提高整体盈利水平。从财报数据显示，当前库存已快速消耗，原厂将进一步提高应用于服务器市场的高利润产品份额，包括DRAM、NAND产品在内的整体供应增长有限。此轮涨价的核心驱动力源自服务器存储需求的爆发，原厂产能结构性转移至服务器市场，mobile、PC及现货市场供应已然受到影响，消费类NAND、DRAM强势涨价已然跳脱需求因素，在未来一段时间内，现货市场DRAM、NAND供应趋紧、价格上涨的市况或成为常态。

《科创板日报》4日讯，慧荣科技总经理苟嘉章指出，今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，不仅NAND供应紧缩，HDD、DRAM包含HBM也同时出现供应瓶颈。他表示，这波缺货并非单一应用驱动，而是多项因素交叠，主因在于AI推论带来的强劲存储需求。AI推论的数据存取量远超过训练阶段，使冷资料与温资料需求同步暴增。他指出，传统服务器存储密度不高，而AI服务器运算时须处理TB级资料，不是DRAM或HBM能承接的，因此高容量HDD与SSD同步吃紧。他认为，AI推论带动的结构性成长，将使存储供应链维持长期紧张，短缺不会在短期结束，整个产业正经历新一轮结构性成长周期。

《科创板日报》4日讯，由于产品良率问题，美光正着手重新设计HBM4，其供应时间或延迟至2027年。

《科创板日报》4日讯，三星正在加紧通过英伟达的HBM4认证，其目标是在2026年初获得最终认证，目前已经交付了工程样品，并预计于本月交付最终验证样品。

财联社10月31日电，三星电子称将与英伟达将延续HBM之外的半导体合作，携手创新下一代半导体。

《科创板日报》30日讯，三星电子表示，2026年高带宽内存（HBM）销售额将远高于今年，已锁定明年HBM客户需求。

财联社10月30日电，三星电子表示，考虑根据不断上升的客户需求，将扩大HBM产能。

财联社10月30日电，三星电子表示，HBM需求增长速度快于供应。第三季度HBM芯片销量较第二季度增长超过80%。

财联社10月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。展望2026年，预估Server整机出货量年增幅度将扩大至4%左右，且因各CSP积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算，Server单机DRAM搭载容量将随之提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续。由于Server需求维持强劲，预期DDR5合约价于2026全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。对比当前2026年HBM议价情况，随着三大原厂于HBM3e竞争的格局形成，且买方有一定库存水位，预计合约价将转为年减。TrendForce集邦咨询分析，2025年第二季时，HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，且前者能为供应商带来较佳的获利。然随着DDR5价格持续走扬，两者价差将于2026明显收敛，于2026年第一季起，DDR5的获利表现将优于HBM3e。

财联社10月29日电，SK海力士称，HBM增长将超过传统DRAM增长；预计2027年HBM供应将持续紧张。

《科创板日报》28日讯，存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。

《科创板日报》23日讯，SK海力士CEO郭鲁正表示，对明年存储器半导体市场持乐观态度，并宣布将为HBM4的顺利供应做好准备。他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。他表示：“我们已经满足了客户所需的所有性能、速度标准，已经确保了量产能力，我们正在顺利执行计划。”

《科创板日报》22日讯，力积电总经理朱宪国表示，在AI带动下，高阶存储器供不应求，第四季存储代工价格有望上涨，且能见度可达明年上半年，逻辑芯片代工预估第四季产能利用率约持平于第三季。AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬。

《科创板日报》20日讯，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。

财联社10月19日电，美国人工智能芯片制造商英伟达今日发表声明称，公司首席执行官黄仁勋将于本月出席在韩国举行的亚太经合组织（APEC）企业领袖峰会。英伟达表示：“黄仁勋将参与多项活动，以强调英伟达通过人工智能、机器人技术、数字孪生和自动驾驶汽车推动韩国及全球技术进步和增长所做的工作。”在此期间，黄仁勋将同三星集团会长李在镕、SK集团会长崔泰源等韩国芯片行业领袖会面，共同探讨高带宽内存（HBM）供应、人工智能等领域的合作方案。

财联社9月24日电，美东时间周二盘后，美光科技CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上指出，预计全球存储芯片（尤其 HBM）供需不平衡将加剧，因DRAM 库存低于目标，而NAND 库存持续下降；同时，明年HBM产能已基本锁定，需求增长显著，2026 年HBM出货量增速预计超整体DRAM，成存储板块核心增长动力。

《科创板日报》24日讯，据TrendForce集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和。预估整体一般型DRAM (Conventional DRAM)价格将季增8-13%，若加计HBM，涨幅将扩大至13-18%。