《科创板日报》19日讯，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。LPW DRAM通过堆叠LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可减少耗电量并提高性能，采用垂直引线键合的新封装技术，被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%。

财联社2月18日电，TechInsights平台上发布报告称，2025年第一季度，市场上将首次推出D1c的一小部分产品，首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看，HBM产品，尤其是HBM3和HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底，我们预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。

财联社1月31日电，英伟达据悉批准了三星的8层HBM3E人工智能存储芯片。

财联社1月23日电，海力士与台积电就16层HBM4进行密切合作，预计2026年下半年出货。

财联社1月23日电，SK海力士预计HBM销售额2025年将增长100%以上。

财联社1月23日电，SK海力士发布截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告。SK海力士在财报中表示，公司计划今年增加HBM3E的供应量，并适时开发出HBM4，根据客户的要求进行供应。并且在需求稳定持续的情况下，将为了具有竞争力的DDR5和LPDDR5生产，推进所需的先进工艺转换。NAND闪存方面，继去年之后也将以盈利为主的运营和满足需求情况的灵活销售战略应对市场。

《科创板日报》21日讯，三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月，而这一变化可能会影响到三星对HBM4内存的规划。三星电子原计划在去年12月将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但在实际情况中，三星虽于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。

《科创板日报》16日讯，SK海力士计划最早于2025年6月向英伟达交付HBM4样品，预计将于第三季度末开始全面供应产品。

《科创板日报》14日讯，业内人士指出，三大厂将产能移往高频宽记忆体(HBM)，DRAM产业供需预计于2025年第二季度恢复平衡，2025年下半年小幅供不应求，报价有望趋于稳定。

财联社1月9日电，韩国SK集团会长崔泰源8日在2025年国际消费类电子产品展览会（CES 2025）上举行记者座谈会时表示，人工智能（AI）在所有领域引领变化，不再是可选项。做AI市场的领头羊还是跟随者，将决定未来的发展。目前，AI产业先要具备基础设施和人力资源等基本条件。我们要把握主动开创未来，不能依赖他国。崔泰源还介绍展会期间与英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋会面一事，称双方就高带宽存储器（HBM）和“物理AI”等话题交换了意见。SK海力士正向英伟达独家供应HBM，去年3月率先供应第五代8层HBM3E产品，同年10月全球首次量产12层堆叠的HBM3E內存。崔泰源说，其间SK海力士HBM研发速度略慢于英伟达，对方（英伟达）要求SK海力士提速，而近期（SK海力士的）研发速度开始赶超，两家公司正在加快研发HBM。双方已通过工作层会议敲定了今年的供应量。

《科创板日报》3日讯，三星电子DS部门内存业务部最近完成了HBM4内存逻辑芯片设计，Foundry业务部现已根据该设计采用4nm制程启动试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的HBM4内存样品。

《科创板日报》3日讯，SK海力士宣布将参加CES 2025，并将展出16层堆叠HBM3E样品。SK海力士CEO郭鲁正表示，SK海力士将于今年下半年开始量产第六代HBM(HBM4)。

《科创板日报》30日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季进入淡季循环，DRAM市场因智能手机等消费性产品需求持续萎缩，加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑，已提前备货，进而造成DRAM均价下跌。其中，一般型DRAM的跌幅预估将扩大至8%至13%，若计入HBM产品，价格预计下跌0%至5%。

《科创板日报》25日讯，据TechInsights报告指出，随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而不是传统的DRAM产品。

《科创板日报》23日讯，美光指出，下一季高频宽记忆体(HBM)销售额将季增一倍以上，并预估2025年全球HBM产值或超过300亿美元。

《科创板日报》23日讯，美光发布了其HBM4和HBM4E项目的最新进展。具体来看，下一代HBM4内存采用2048位接口，计划在2026年开始大规模生产，而HBM4E将会在后续几年推出。

《科创板日报》20日讯，SK海力士已赢得向博通供应高带宽内存(HBM)的大订单，预计明年下半年开始供应。

《科创板日报》11日讯，美国芯片公司Marvell宣布推出一种新的定制HBM计算架构，使XPU能够实现更高的计算和内存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正与云客户和领先的HBM制造商美光、三星电子和SK海力士合作，为下一代XPU定义和开发定制HBM解决方案。

《科创板日报》6日讯，据传，英伟达下一代Rubin架构将提前六个月上市，Rubin产品线最初计划于2026年推出，现已提前至2025年中期。Rubin预计将采用台积电的3nm工艺，以及HBM4内存芯片。