《科创板日报》29日讯，SK海力士表示，其目标是在HBM4市场保持绝对领先地位。然而，随着客户需求持续爆发式增长，预计下半年库存短缺情况将进一步恶化。
财联社1月29日电，三星电子表示，将专注于高带宽内存（HBM）市场的高端领域。目前正处于完成HBM4认证程序的阶段，计划2月投产。高带宽内存（HBM）订单今年已全部订满，预计2026年高带宽内存（HBM）营收将增长逾三倍。
财联社1月29日电，三星电子芯片业务利润增长逾四倍，超出预期，释放出人工智能(AI)支出浪潮激发存储芯片需求的积极信号。这家韩国公司计划扩大AI相关芯片的销售，并有望从第一季度开始向英伟达交付其下一代高带宽存储芯片HBM4。三星半导体部门公布的第四季度营业利润为16.4万亿韩元（114亿美元），高于分析师平均预期的10.85万亿韩元。整体净利润为19.29万亿韩元，高于预期值15.1万亿韩元。三星还表示，其将回购价值3.57万亿韩元的股票。三星股价在2025年翻了一倍多，本月甚至又飙升了约35%，反映出市场对今年业绩大幅增长的预期，因为存储芯片价格上涨速度超出预期。这一增长也反映出，随着巨头们向AI基础设施投入数千亿美元，整个行业的格局正在迅速改变。
《科创板日报》27日讯，SK海力士将独家向微软Maia 200提供HBM3E芯片。据悉，Maia 200搭载的HBM3E内存总容量为216GB，其配备了六个12层HBM3E内存模块，每个模块容量为36GB。
《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。
《科创板日报》21日讯，三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片，其于此前已将4nm制程应用于HBM4（第六代HBM）的逻辑芯片，该产品预计将于今年投入商业化生产。
①SK海力士计划最早于今年推出HBF1样品； ②金正浩预测，到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。 ③随着AI需求不断加大，如今各存储厂商正纷纷扩充产能。
《科创板日报》15日讯，英伟达去年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。
《科创板日报》13日讯，LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM）的混合键合堆叠设备（键合机）早期版本。该项目计划于2029年完成，目标精度设定为200纳米。不过，这一精度规格与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出，基于这样的精度差异，该键合机在三年后推出时，可能在HBM领域竞争力不足。
《科创板日报》8日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，英伟达于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外，AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。
《科创板日报》7日讯，美光计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆，这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光CEO Sanjay Mehrotra在近期的财报电话会议上透露，计划从第二季度开始提高HBM4的产量，且HBM4的良率增长速度将超过HBM3E。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后，于第二季度开始量产HBM4。
财联社1月6日电，AMDCEO苏姿丰在CES演讲中表示，下一代AI芯片MI455GPU采用两纳米和三纳米工艺制造，并采用先进封装，搭载了HBM4。MI455GPU将与EPYCCPU一同集成，下一代AI机架Helios机架将包含72个GPU，通过连接数千个Helios机架可构建大AI集群。此外，MI500系列芯片也在开发中，将采用两纳米工艺。随着MI500系列在2027年推出，AMD有望在4年时间内将AI性能芯片提升1000倍。
财联社1月6日电，SK海力士宣布，公司将于当地时间1月6日至9日，在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，并集中展示面向AI的下一代存储器解决方案。本次展会上，公司将首次亮相下一代HBM产品“16层48GB HBM4”。此外，公司将展出12层36GB HBM3E产品，并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块。除HBM之外，公司还将展出面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2。
《科创板日报》4日讯，SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室，比原计划提前约两个月，为扩张DRAM产能做准备。据悉，该集群是下一代DRAM内存生产基地，其产能包括高带宽内存（HBM），目前正在建设中。
《科创板日报》29日讯，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。
