财联社7月30日电，三星电子预计2026年下半年，随着人工智能基础设施资本支出的持续投入以及代理式人工智能的广泛应用，以服务器为中心的需求将保持强劲。与此同时，服务器DRAM、企业级固态硬盘（eSSD）和高带宽内存（HBM）的需求增长预计将加速。该公司表示，尽管移动设备和PC市场的需求将有所放缓，但整体市场预计仍将保持供不应求的状态。

财联社7月27日电，三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。具子铉称，三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。

财联社7月27日电，据报道，台湾存储模组厂商宇瞻科技执行长近日表示，随全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入AI产品，一般市场供货持续减少，供需失衡短期仍难缓解。他直言，全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入HBM、伺服器DDR5及LPDDR5X等AI产品，分配给一般DDR5、DDR4及工控市场的颗粒持续减少，模组厂目前面临最大的挑战已不是价格，而是供货不足。他表示，依原厂供货规划，未来可分配给模组厂的DRAM供应量仍将持续下降，不仅价格持续走高，各家模组厂也积极建立库存，避免未来面临无货可卖风险。他说，即使采购成本垫高，仍必须提前备货，因为买得贵还可以做生意，买不到货就没有生意可做。张家𫘥表示，目前较能确定的是，2027年上半年以前供应吃紧趋势仍相当明确；至于2027年下半年后，仍须观察各家原厂扩产及AI需求变化。

财联社7月25日电，三星电子称，与博通公司签署谅解备忘录，涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务；将与博通公司合作，基于三星的HBM技术开发博通公司的下一代人工智能加速器。三星电子还表示，提供亚2纳米代工工艺和先进封装解决方案。

《科创板日报》22日讯，三星电子已选定荷兰半导体后端设备公司BESI为其首要合作伙伴，并已开始引进50台D2W混合键合机。这些设备预计将于今年年底安装在平泽园区P5工厂的量产线上，用于生产下一代高带宽存储器（HBM）和逻辑半导体。

财联社7月21日电，三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并推进第十一代500层级V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能，其中约60%产能分配给V9产品。

财联社7月21日电，根据全球半导体行业协会（SEMI）发布的报告，2026年全球半导体设备销售额预计将增长23.2%，达到1659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元。SEMI代表全球约3000家电子设计和制造企业。该协会表示，人工智能基础设施的扩展以及对先进逻辑芯片和下一代存储产品（包括高带宽内存HBM）的投资，将推动市场增长。晶圆制造设备市场规模到2028年预计将达到2000亿美元，这得益于人工智能相关生产能力的扩大以及向先进制造工艺的转型。内存设备投资也预计将显著增长，这主要得益于对HBM（高带宽内存）需求的上升，以及向先进动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存产品转型。2028年，全球DRAM和NAND设备的销售额预计将分别达到569亿美元和208亿美元。

财联社7月13日电，东海证券表示，全球两大晶圆代工龙头台积电与三星电子先后启动新一轮调价，涨价潮传导至下游晶圆代工环节。台积电已通知英伟达、苹果、AMD等核心客户，计划将3nm、5nm及7nm制程价格上调5%-10%，覆盖其七成以上晶圆代工营收。三星电子紧随其后，针对4nm、5nm先进制程及部分车规8nm制程，将新客户供货价格提高约15%。与过往良率稳定后价格逐步下调的惯例不同，本轮涨价核心驱动力为AI芯片订单持续放量，导致先进制程产能长期满载，叠加HBM产能挤占效应与2nm等下一代制程研发及设备投资成本走高，市场供需与投资成本分摊正取代工艺成熟度成为定价主导因素。台积电引领了根据市场状况重新调整节点价格的趋势，而三星更多是针对特定需求集中节点的价格正常化，两者策略虽有差异，但均反映晶圆代工正从“抢客户”的买方市场向“供应商主导定价”的卖方市场转变。

①DigiTimes报告显示，受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响，下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上；
②全球三大HBM生产商三星、SK海力士、美光正与AI客户签订3-5年长协锁定供应，预计2027年全球近半DRAM产能无法向小型买家开放。

财联社7月9日电，三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术，但目前正在重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术，业内预计最早用于16层HBM4E。两家公司据悉决定继续用传统热压键合技术，因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。

①据报道，这项技术的商业化时间预计将在2030年之后；
②其封装尺寸将与HBM4保持一致，每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间，运行速度最高可达32GT/s；
③业界均紧锣密鼓研究HBM替代方案。

财联社7月8日电，三星电子已开始量产其最先进的数据中心存储设备，这一产品将在英伟达即将推出的Vera Rubin平台内使用。这款企业级固态硬盘产品叫做PM1763，于今年早些时候在英伟达GTC大会上发布。三星当时将它与下一代高带宽内存HBM4和低功耗模块SOCAMM2一起展示，作为专为AI数据中心设计的综合方案的一部分。三星周三在声明中表示，这款存储设备采用最新的V-NAND闪存芯片和新研发的4纳米控制器，读写速度较前代产品提升逾一倍。PM1763可以减少先进处理器和AI加速器的数据延迟。三星称，为在AI训练和推理过程中保持高速运行，这款硬盘配备了液冷系统。

财联社7月6日电，野村证券分析师在最新报告中表示，市场对于“算力过剩”的担忧可能过度了，存储芯片行业距离下行周期还有很长的路要走。市场实际上目前正面临由人工智能需求引发的严重短缺，由于各大芯片厂厂商优先生产利润更为丰厚的高带宽内存（HBM），导致普通DRAM和NAND的供应受限。野村分析师强调，在这样背景下，对于供应过剩的担忧实属过度。由于半导体产业建设和开发周期往往需要很长时间，韩国芯片巨头宣布的项目在数年内可能都不会对供应产生实质性影响。

财联社7月5日电，野村证券在最新发布的报告中认为，当前全球存储行业的核心矛盾仍是供应严重短缺，AI驱动的结构性需求增长尚未见顶。近期投资者对供应过剩的担忧情有可原，但明显过度，市场的过激反应或为存储板块提供了重新审视估值的窗口。野村证券在报告中直言，市场的担忧被严重夸大，半导体投资转化为实际产能的周期极其漫长，韩国高达4800万亿韩元的投资计划至少需要5到10年才能转化为实际产能，且高利润HBM（高带宽存储）对通用存储产能的挤压正导致市场面临严重的供应短缺。野村证券强调，Meta的决定绝不是AI相关硬件需求减少的拐点。相反，由于当前算力供应短缺导致单Token价格呈现上涨趋势，Meta算力的入市有望促使Token价格向下企稳。

财联社7月5日电，美光科技当地时间周六（7月4日）正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。近期，美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。

财联社7月1日电，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。

《科创板日报》30日讯，SK海力士正在与半导体设备厂商讨清州P&T7工厂所需的半导体检测设备供应事宜。各设备公司正在口头协调明年可交付的设备数量。设备行业预计，该工厂将订购约200台设备，其中包括HBM4测试仪。按每台15亿至20亿韩元的价格计算，总价最高可达4000亿韩元。

财联社6月29日电，随着全球内存短缺危机加剧，美国当地消费者和小型企业已采取法律行动。据悉，全球最大的三家内存供应商——三星、SK海力士和美光已因涉嫌操纵内存价格并限制全球供应而遭到集体诉讼。诉讼于6月25日在在美国加利福尼亚州联邦法院提起。诉状指出，这三家公司几乎控制着全球DRAM(动态随机存取存储器)市场的全部供应，却在价格大幅上涨期间限制传统DRAM产品供应，进一步加剧了当前的内存短缺危机。

财联社6月29日电，美银在最新研报中表示，美光强劲的业绩和指引进一步印证全球存储芯片行业正处于超级周期，供需紧张和高端产品升级有望使高景气至少延续至2027年。基于美光财报，美银将2026年至2028年全球DRAM和NAND市场规模预测分别上调2%至4%。该行预计，2026年DRAM销售额同比增长316%，NAND增长295%；2027年仍将分别增长43%和29%。

美银认为，随着HBM等高端产品占比持续提升，以及长期协议逐渐成为主流，存储厂商未来有望在避免激烈价格竞争的同时，维持较高盈利能力，行业商业模式也将进一步向稳定、高利润方向转变。