财联社6月18日电，午后HBM概念异动拉升，太极实业涨停续创历史新高，此前中天精装3连板，华海诚科涨超10%，兴森科技、德邦科技、壹石通等跟涨。消息面上，SK海力士表示，已向主要客户交付了用于人工智能(AI)的下一代HBM4E DRAM样品。该公司在一份声明中表示，将与合作伙伴紧密合作以及时实现量产。
①SK海力士公司于周四宣布，已向主要客户交付了新一代AI用DRAM——HBM4E的12层堆叠样品。此举有助于巩固该公司在快速发展的AI芯片市场中的龙头地位； ③HBM4E在性能和功耗效率方面均有显著提升，每引脚最大数据处理速度达16Gbps，能效较前代型号提升超过20%。
财联社6月18日电，SK海力士的股价在韩国交易所一度上涨5.6%，创盘中纪录新高，此前这家芯片制造商表示已向主要客户交付了用于人工智能(AI)的下一代HBM4E DRAM样品。该公司在一份声明中表示，将与合作伙伴紧密合作以及时实现量产。
财联社6月18日电，SK海力士18日宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。
《科创板日报》17日讯，三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备。业内人士透露，虽然时间表可能会有所调整 ，但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。1d DRAM的电路线宽为10至11纳米。目前商用的最新一代产品是第六代1c DRAM，其线宽约为11至12纳米。线宽越窄，DRAM的性能和能效越好。知情人士表示，三星电子的1d DRAM预计被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于2029年实现商业化。
《科创板日报》16日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于存储器大厂的产能规划持续倾向HBM、高层数3D NAND等高附加价值产品，挤压NOR Flash、SLC NAND依赖的成熟制程产能，然而因需求稳定，已推动2026上半年NOR Flash、SLC NAND累积合约价涨幅分别突破100%。由于供应商未有大规模扩产计划，预估下半年两项产品的价格将随供需紧张而继续调升。
《科创板日报》15日讯，据业内人士透露，SK海力士目前正筹备向主要客户送样HBM4E，首批样品最快将于本月出货，最迟不超过下个月。业内分析指出，鉴于HBM4E计划于明年正式量产，今年下半年必须完成客户的测试验证与优化流程，因此目前的送样节点已十分紧迫。
①这一时点比原计划更早； ②三星电子已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品； ③业内人士预计，今年下半年，三星与SK海力士之间的供应竞争将进一步加剧。
财联社6月12日电，据湖北江城实验室消息，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。电容在电路中的作用，本质上是一个超微缩的“蓄水池”：当芯片电流剧烈波动时，能迅速充放电以平抑电压，确保芯片吃上“纯净且稳定”的电流。电容在算力系统中也被比喻为“电RAM”：HBM是算力的数据缓冲，电容则是算力的能量缓冲。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电，必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力。
财联社6月10日电，三星电子考虑在韩国光州建设先进半导体封装工厂，以满足全球芯片需求。三星正扩大HBM市场布局，以加强其在AI芯片供应链中的地位。预计三星将在6月29日韩国总统与企业集团负责人会议上公布投资计划。
《科创板日报》9日讯，SK海力士正在为清州P&T6封装测试工厂引进额外设备，以应对第六代高带宽内存（HBM4）封装与测试需求。该工厂预计明年第一季度开始量产，将与清州DRAM晶圆厂M15X协同运营。
财联社6月8日电，三星电子芯片部门负责人JUN表示，与英伟达CEO黄仁勋就HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。JUN表示，我们正在合作研发4纳米和8纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及NVIDIA的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括HBM4E、代工业务、HBM5以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。
财联社6月8日电，英伟达与SK海力士宣布建立多年期技术合作伙伴关系，围绕全球AI工厂建设所需的下一代内存展开联合研发，并将AI技术应用于半导体芯片设计与制造。根据协议，SK海力士将为英伟达Vera Rubin AI超级计算机、Vera CPU、RTX Spark PC及Jetson Thor机器人计算平台协同开发专用内存，由此进入英伟达正在开拓的AI基础设施、个人AI及物理AI等新市场。在半导体制造领域，SK海力士将采用英伟达CUDA-X库及PhysicsNeMo框架加速芯片仿真和光刻计算工作流；同时借助英伟达Omniverse和cuOpt构建晶圆厂数字孪生，推动工厂自主化运营。
财联社6月5日电，英伟达首席执行官黄仁勋表示，三大存储芯片制造商已通过认证，可为英伟达AI加速器供应最先进的高带宽存储芯片。这一决定意味着，SK海力士、三星电子和美光科技即将开始大规模生产和供应HBM4芯片。这三家公司主导着全球存储芯片市场，并一直在激烈争夺这一业务的份额。黄仁勋在抵达首尔展开为期数天的访问时对记者表示，这三家供应商都已通过认证，并且都已投产，竞相支持英伟达最新的AI芯片Vera Rubin。
财联社6月4日电，SK海力士在网站表示，SK集团董事长Chey Tae-won周三会见了台积电董事长魏哲家，双方就下一代人工智能技术的最新发展趋势交换了意见。双方同意在下一代HBM研发和先进封装等领域进一步拓展合作。未来两家公司计划加快相关工作，强化在定制化AI内存市场的竞争力，以满足全球大型科技公司客户日益多样化、不断增长的需求。通过与台积电的合作，SK海力士将寻求在合适的时间向市场提供高性能产品。
财联社6月2日电，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。
①三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5； ②宋载赫声称，HPB技术已在HBM4E芯片中得到应用和验证，其可靠性和稳定性均已得到充分验证； ③此前三星电子已在Exynos 2600芯片中引入HPB技术，可使该处理器的散热性能相比上代提升30%。
财联社6月2日电，韩国SK集团会长崔泰源1日在台北会见英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋，两人就人工智能（AI）存储芯片合作进行交流。黄仁勋在答韩媒问时表示，高带宽内存（HBM）供应链最关键的要素为性能、品质、可靠性和供应能力，因此英伟达正与SK紧密合作。
《科创板日报》2日讯，根据TrendForce集邦咨询最新研究指出，自2H25以来，一般型DRAM(Conventional DRAM)价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。
