《科创板日报》22日讯，根据SEMI最新报告，2025年第一季度全球半导体资本支出环比下降7%，但同比增长27%，这得益于对先进逻辑、高带宽存储器（HBM）和支持AI应用的先进封装技术的持续投资。SEMI 指出，与内存相关的资本支出同比增长57%，而非内存领域的支出同期增长了15%。

财联社5月22日电，根据TrendForce集邦咨询最新研究，HBM技术发展受AI Server需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。

财联社5月13日电，财联社记者多方了解到，DRAM市场自2025年Q2起持续涨价，有厂商透露部分型号DDR4价格在一个月内涨近50%。多位受访业内人士表示，此轮波动主因系AI驱动HBM及服务器DRAM需求激增，三星、SK海力士等原厂将DDR4产能转向高端产品。分析师指出，下游因长尾需求紧急建库加剧DDR4供应短缺，存储原厂及库存充足模组厂或成赢家。值得关注的是，国际大厂产能战略调整叠加供应链变局，正为国内存储厂商创造结构性市场机遇。（财联社记者 王碧微）

财联社5月6日电，据市场机构CFM数据统计，在AI服务器需求与PC和移动需求复苏推动下，叠加关税触发的部分补库存需求的共同影响，2025年一季度DRAM整体表现优于预期，全球DRAM市场规模同比增长42.5%至267.29亿美元，环比减少8.5%。期间，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十多年的市场统治地位，以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。

《科创板日报》24日讯，SK海力士表示，预期今年HBM的需求约为去年的两倍，并且向12层HBM3E的过渡也进展顺利，因此在第二季度，预计一半以上的HBM3E出货量将按照先前的计划以12层的形式出售。

《科创板日报》18日讯，韩媒援引三星内部消息人士称，三星原定2025年7月进行1c DRAM样品生产测试，因在重新设计过程中遭遇困难，时间表已推迟至2025年10月。三星基于1c DRAM的HBM4原计划在2025年下半年开始量产，可能也会同步延后。

《科创板日报》17日讯，三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%。由于该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件，良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。

《科创板日报》14日讯，据业内相关人士透露，由于科技巨头对HBM需求大幅增加，SK海力士近日敲定上调今年资本开支计划，从年初定下的22万亿韩元上调至29万亿韩元（约合1480亿元人民币）。SK海力士新DRAM生产基地清州M15厂的设备将于10月到厂，较原计划提前两个月，公司已通知设备供应商相关事宜。据悉，SK海力士预计将从今年开始向博通大规模供应HBM，英伟达也要求其提前交付HBM。

《科创板日报》10日讯，国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，全球半导体制造设备出货金额2024年达到1171亿美元，相较2023年的1063亿美元增长10%。其中晶圆加工设备的销售额增长了9%，其它前端细分领域的销售额增长了5%。这一增长主要得益于在先进逻辑、成熟逻辑、先进封装和高带宽存储器（HBM）产能扩张方面的投资增加，以及中国投资的大幅增长。

《科创板日报》9日讯，三星电子正在进行HBM3E 8层和12层产品的资格认证测试，其计划最早于本月向英伟达大量供应8层产品，并计划在今年上半年供应12层产品。

《科创板日报》2日讯，中国台湾ASIC厂商创意电子近日宣布成功完成HBM4控制器与PHY IP的投片。该芯片采用台积电N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装技术实现。

《科创板日报》2日讯，三星电子近日开始重新设计其HBM3E 12层产品，并将于5月再次接受英伟达的质量测试。此前三星电子向英伟达发送了一份HBM3E 12层样品，但在性能方面未达要求。

财联社4月1日电，韩国产业通商资源部1日公布数据，韩国3月出口额582.8亿美元，同比增长3.1%；进口额533亿美元，同比增长2.3%；贸易收支实现49.8亿美元顺差。按品目看，得益于高带宽内存（HBM）和第五代双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DDR5）等高附加值产品的需求增加，半导体出口131亿美元，同比增长11.9%，逼近2022年创下的出口纪录（131.2亿美元）。汽车出口为62亿美元，同比增长1.2%，连续两个月回升。船舶出口32亿美元，同比增长51.6%，创自2023年12月（37亿美元）以来近15个月的新高。电脑（12亿美元，33.1%）、无线通信设备（13亿美元，13.8%）、显示器（15亿美元，2.9%）等信息技术主力产品出口均实现增长。按出口目的地看，对华出口额为101亿美元，同比减少4.1%；对美出口额为111亿美元，同比增长2.3%。

财联社3月27日电，SK海力士CEO郭鲁正周四在股东大会上表示，随着多样化的人工智能生态系统的扩大，以及中国DeepSeek等新的生成型人工智能模型带来的额外需求，HBM的需求将持续增长。他预测，与2023年相比，今年HBM市场将增长9倍，企业固态硬盘（eSSD）市场将增长3.5倍。因此，SK海力士预计HBM产品在其存储芯片总销售额中的占比将从2024年的40%上升到2025年的50%以上。

《科创板日报》25日讯，美光宣布其用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra的SOCAMM内存模组，以及针对英伟达HGX B300 NVL16及GB300 NVL72平台打造的HBM3E 12H 36GB已量产出货。