财联社6月8日电，三星电子芯片部门负责人JUN表示，与英伟达CEO黄仁勋就HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。JUN表示，我们正在合作研发4纳米和8纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及NVIDIA的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括HBM4E、代工业务、HBM5以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。

财联社6月8日电，英伟达与SK海力士宣布建立多年期技术合作伙伴关系，围绕全球AI工厂建设所需的下一代内存展开联合研发，并将AI技术应用于半导体芯片设计与制造。根据协议，SK海力士将为英伟达Vera Rubin AI超级计算机、Vera CPU、RTX Spark PC及Jetson Thor机器人计算平台协同开发专用内存，由此进入英伟达正在开拓的AI基础设施、个人AI及物理AI等新市场。在半导体制造领域，SK海力士将采用英伟达CUDA-X库及PhysicsNeMo框架加速芯片仿真和光刻计算工作流；同时借助英伟达Omniverse和cuOpt构建晶圆厂数字孪生，推动工厂自主化运营。

财联社6月5日电，英伟达首席执行官黄仁勋表示，三大存储芯片制造商已通过认证，可为英伟达AI加速器供应最先进的高带宽存储芯片。这一决定意味着，SK海力士、三星电子和美光科技即将开始大规模生产和供应HBM4芯片。这三家公司主导着全球存储芯片市场，并一直在激烈争夺这一业务的份额。黄仁勋在抵达首尔展开为期数天的访问时对记者表示，这三家供应商都已通过认证，并且都已投产，竞相支持英伟达最新的AI芯片Vera Rubin。

财联社6月4日电，SK海力士在网站表示，SK集团董事长Chey Tae-won周三会见了台积电董事长魏哲家，双方就下一代人工智能技术的最新发展趋势交换了意见。双方同意在下一代HBM研发和先进封装等领域进一步拓展合作。未来两家公司计划加快相关工作，强化在定制化AI内存市场的竞争力，以满足全球大型科技公司客户日益多样化、不断增长的需求。通过与台积电的合作，SK海力士将寻求在合适的时间向市场提供高性能产品。

财联社6月2日电，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。

①三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5；
②宋载赫声称，HPB技术已在HBM4E芯片中得到应用和验证，其可靠性和稳定性均已得到充分验证；
③此前三星电子已在Exynos 2600芯片中引入HPB技术，可使该处理器的散热性能相比上代提升30%。

财联社6月2日电，韩国SK集团会长崔泰源1日在台北会见英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋，两人就人工智能（AI）存储芯片合作进行交流。黄仁勋在答韩媒问时表示，高带宽内存（HBM）供应链最关键的要素为性能、品质、可靠性和供应能力，因此英伟达正与SK紧密合作。

《科创板日报》2日讯，根据TrendForce集邦咨询最新研究指出，自2H25以来，一般型DRAM(Conventional DRAM)价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。

《科创板日报》1日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季因一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价加速上涨，季增幅度高达93-98%，激励产业整体营收季成长81%，达970亿美元。随着AI应用由大型语言模型(LLM)训练逐步转至AI推理，云端服务供应商(CSP)数据中心建设重点也从AI Server延伸至通用型Server，带动存储器采购需求由HBM3e、LPDDR5X及高容量RDIMM，扩大至各容量规格的RDIMM产品。

财联社6月1日电，美国骏利亨德森投资旗下“全球科技领袖基金”，计划买入SK海力士公司（SK Hynix Inc.）的股票。该基金押注全球内存芯片供应的进一步收紧，将让这家全球内存芯片制造龙头企业在过去一年暴涨1000%的基础上继续受益。该基金的联席基金经理Richard Clode表示，SK海力士在高带宽内存（HBM）芯片全球市场上的主导地位，意味着它在明年可能会出现“更具爆发力的业绩增长”。届时，此前签署的多年度供应合同，可能会在更高的价格水平上重新定价。他还表示，相比于三星，他更倾向于纯粹的内存芯片公司，例如海力士和美光，因为三星的消费电子业务正受到成本上升的挤压，从而削弱了其整体盈利能力。

财联社6月1日电，高盛5月31日发布研究观点预计，到2027年，传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将较2026年更为紧张，且这种紧张态势将持续至2028年，这将有助于存储器企业在未来数年内实现更高的盈利水平。该机构认为市场尚未充分认识到当前存储器行业上行周期的持久性，大多数存储器股票的市盈率仍低至中个位数水平便是明证。高盛在研究报告中重点指出三点。其一，需求前景更为明朗，服务器和人工智能设备配置比例显著提升且代理型AI应用持续扩展；其二，因产能扩张步伐放缓且HBM交易占比更高，供应增长受限；其三，客户通过长期协议作出更明确承诺，并实施更高效的资本支出规划。以上因素将推动需求持续超越供给，从而形成更长的上升周期。机构甚至预期，即便到2028年，DRAM/NAND/HBM市场仍将面临供应短缺。

基于对行业供需趋紧的判断，高盛上调了对存储芯片制造商DRAM、NAND及HBM产品的定价预期。预计三星电子的传统DRAM平均销售价格在2026财年和2027财年将分别同比增长326%和27%，NANDASP则分别增长283%和33%；同时坚持看涨观点：HBMASP相较于传统DRAM实现“追赶"效应，有望推动其在2027财年实现约50%的同比增幅，并分别带动2026财年、2027财年及2028财年的HBM市场总规模达到560亿美元、1160亿美元和1680亿美元。

①在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E；
②其HBM4E在性能、容量、能效与散热方面均有大幅提升，专为大模型、生成式AI及高性能计算场景打造。

财联社5月29日电，根据三星电子的声明，该公司已开始向主要全球客户交付业内首批12层HBM4E样品。今年早些时候，该公司还率先实现了HBM4的量产和商业出货。这款12层HBM4E为48GB容量型，较上一代产品提升超过30%。该公司还计划根据客户需求，进一步扩展产品阵容，推出8层32GB型和16层64GB型。

《科创板日报》27日讯，据CFM闪存市场数据显示，三星一季度DRAM销售收入达382.14亿美元，环比增长98.4%，市场份额为40.5%，进一步拉大和其他供应商的份额差距，排名第一；SK海力士一季度DRAM销售收入达279.25亿美元，因其HBM供应占比较多，总收入环比增长62.1%低于其他供应商，市场份额为29.6%，排名第二；美光一季度（2025年12月-2026年2月）DRAM销售收入达187.68亿美元，环比增长73.6%，市场份额19.9%，排名第三；长鑫存储一季度DRAM销售收入达73.09亿美元，环比增长115.1%，市场份额进一步提升至7.7%，排名第四。

财联社5月27日电，据Counterpoint咨询统计，在强劲市场需求与存储价格双双走强的推动下，全球DRAM营收于2026年第一季度环比增长80%，创下历史新高。高带宽内存（HBM）以及AI数据中心基础设施中LPDDR5应用占比提升，也成为推动这一增长的重要因素。其中，三星存储业务持续保持领先地位，SK海力士与美光分列第二、第三位。预计2026年第二季度价格将继续环比增长50%（包括HBM及标准型DRAM），预示市场将迎来又一个表现强劲的季度。

财联社5月26日电，SK海力士26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。

财联社5月19日电，据媒体援引内部消息人士透露，三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM的良率提高到92%（基于冷态测试），并将安装在HBM4上的第六代（1c）DRAM的良率提高到75%以上。