财联社6月29日电，随着全球内存短缺危机加剧，美国当地消费者和小型企业已采取法律行动。据悉，全球最大的三家内存供应商——三星、SK海力士和美光已因涉嫌操纵内存价格并限制全球供应而遭到集体诉讼。诉讼于6月25日在在美国加利福尼亚州联邦法院提起。诉状指出，这三家公司几乎控制着全球DRAM(动态随机存取存储器)市场的全部供应，却在价格大幅上涨期间限制传统DRAM产品供应，进一步加剧了当前的内存短缺危机。
财联社6月29日电，美银在最新研报中表示，美光强劲的业绩和指引进一步印证全球存储芯片行业正处于超级周期，供需紧张和高端产品升级有望使高景气至少延续至2027年。基于美光财报，美银将2026年至2028年全球DRAM和NAND市场规模预测分别上调2%至4%。该行预计，2026年DRAM销售额同比增长316%，NAND增长295%；2027年仍将分别增长43%和29%。 美银认为，随着HBM等高端产品占比持续提升，以及长期协议逐渐成为主流，存储厂商未来有望在避免激烈价格竞争的同时，维持较高盈利能力，行业商业模式也将进一步向稳定、高利润方向转变。
财联社6月26日电，美光科技公布业绩后，25-26日，华尔街机构密集上调目标价。财联社统计显示，截至6月26日，已有至少14家机构调高美光目标价，最新目标价区间为1200美元至2000美元，平均约1574美元。其中，D.A. Davidson、Susquehanna给予2000美元目标价。机构普遍认为，AI带动HBM和DRAM需求持续增长，存储行业供需紧张格局有望延续，美光未来盈利仍具上行空间。
《科创板日报》24日讯，SK海力士正加大力度开拓通用DRAM市场，同时放缓第六代高带宽内存（HBM4）的量产步伐。该公司表示，由于HBM已占其营收的40%以上，并占据绝对优势，因此正在重新分配资源，以确保从供应严重短缺的通用DRAM市场获得更多营收，而不是盲目地进行产能扩张。
①三星电子管理层表示，目前已准备好的HBM4产能已被全部预订一空； ②近期以来，三星电子不断收到来自基于ASIC的超大规模数据中心客户的HBM供应合作请求； ③KB证券分析师表示：“三星电子已获得了多元客户资源，包括博通、谷歌、亚马逊、微软、Meta等ASIC厂商。”
财联社6月23日电，据韩国芯片行业23日消息，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）销售额突破10亿美元大关。三星电子今年2月12日全球率先实现HBM4量产出货，仅4个多月就取得上述成果。预计截至6月底三星电子HBM4销售额有望突破12亿美元。
《科创板日报》22日讯，三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示，施工设备陆续进场，意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始，下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增，三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂，也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算，预计其月产能可达20万至30万片，目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工（合同制造）产线在内的全部产品。
财联社6月18日电，午后HBM概念异动拉升，太极实业涨停续创历史新高，此前中天精装3连板，华海诚科涨超10%，兴森科技、德邦科技、壹石通等跟涨。消息面上，SK海力士表示，已向主要客户交付了用于人工智能(AI)的下一代HBM4E DRAM样品。该公司在一份声明中表示，将与合作伙伴紧密合作以及时实现量产。
①SK海力士公司于周四宣布，已向主要客户交付了新一代AI用DRAM——HBM4E的12层堆叠样品。此举有助于巩固该公司在快速发展的AI芯片市场中的龙头地位； ③HBM4E在性能和功耗效率方面均有显著提升，每引脚最大数据处理速度达16Gbps，能效较前代型号提升超过20%。
财联社6月18日电，SK海力士的股价在韩国交易所一度上涨5.6%，创盘中纪录新高，此前这家芯片制造商表示已向主要客户交付了用于人工智能(AI)的下一代HBM4E DRAM样品。该公司在一份声明中表示，将与合作伙伴紧密合作以及时实现量产。
财联社6月18日电，SK海力士18日宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。
《科创板日报》17日讯，三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备。业内人士透露，虽然时间表可能会有所调整 ，但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。1d DRAM的电路线宽为10至11纳米。目前商用的最新一代产品是第六代1c DRAM，其线宽约为11至12纳米。线宽越窄，DRAM的性能和能效越好。知情人士表示，三星电子的1d DRAM预计被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于2029年实现商业化。
《科创板日报》16日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于存储器大厂的产能规划持续倾向HBM、高层数3D NAND等高附加价值产品，挤压NOR Flash、SLC NAND依赖的成熟制程产能，然而因需求稳定，已推动2026上半年NOR Flash、SLC NAND累积合约价涨幅分别突破100%。由于供应商未有大规模扩产计划，预估下半年两项产品的价格将随供需紧张而继续调升。
《科创板日报》15日讯，据业内人士透露，SK海力士目前正筹备向主要客户送样HBM4E，首批样品最快将于本月出货，最迟不超过下个月。业内分析指出，鉴于HBM4E计划于明年正式量产，今年下半年必须完成客户的测试验证与优化流程，因此目前的送样节点已十分紧迫。
①这一时点比原计划更早； ②三星电子已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品； ③业内人士预计，今年下半年，三星与SK海力士之间的供应竞争将进一步加剧。
财联社6月12日电，据湖北江城实验室消息，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。电容在电路中的作用，本质上是一个超微缩的“蓄水池”：当芯片电流剧烈波动时，能迅速充放电以平抑电压，确保芯片吃上“纯净且稳定”的电流。电容在算力系统中也被比喻为“电RAM”：HBM是算力的数据缓冲，电容则是算力的能量缓冲。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电，必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力。
财联社6月10日电，三星电子考虑在韩国光州建设先进半导体封装工厂，以满足全球芯片需求。三星正扩大HBM市场布局，以加强其在AI芯片供应链中的地位。预计三星将在6月29日韩国总统与企业集团负责人会议上公布投资计划。
《科创板日报》9日讯，SK海力士正在为清州P&T6封装测试工厂引进额外设备，以应对第六代高带宽内存（HBM4）封装与测试需求。该工厂预计明年第一季度开始量产，将与清州DRAM晶圆厂M15X协同运营。
财联社6月8日电，三星电子芯片部门负责人JUN表示，与英伟达CEO黄仁勋就HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。JUN表示，我们正在合作研发4纳米和8纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及NVIDIA的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括HBM4E、代工业务、HBM5以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。
