《科创板日报》8日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，英伟达于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外，AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。
《科创板日报》7日讯，美光计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆，这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光CEO Sanjay Mehrotra在近期的财报电话会议上透露，计划从第二季度开始提高HBM4的产量，且HBM4的良率增长速度将超过HBM3E。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后，于第二季度开始量产HBM4。
财联社1月6日电，AMDCEO苏姿丰在CES演讲中表示，下一代AI芯片MI455GPU采用两纳米和三纳米工艺制造，并采用先进封装，搭载了HBM4。MI455GPU将与EPYCCPU一同集成，下一代AI机架Helios机架将包含72个GPU，通过连接数千个Helios机架可构建大AI集群。此外，MI500系列芯片也在开发中，将采用两纳米工艺。随着MI500系列在2027年推出，AMD有望在4年时间内将AI性能芯片提升1000倍。
财联社1月6日电，SK海力士宣布，公司将于当地时间1月6日至9日，在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，并集中展示面向AI的下一代存储器解决方案。本次展会上，公司将首次亮相下一代HBM产品“16层48GB HBM4”。此外，公司将展出12层36GB HBM3E产品，并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块。除HBM之外，公司还将展出面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2。
《科创板日报》4日讯，SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室，比原计划提前约两个月，为扩张DRAM产能做准备。据悉，该集群是下一代DRAM内存生产基地，其产能包括高带宽内存（HBM），目前正在建设中。
《科创板日报》29日讯，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。
①SK海力士将其位于清州的M15X工厂的量产计划提前了四个月，将于明年2月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆。 ②英伟达相关团队访问了三星，通报了 HBM4 系统级封装（SiP）的测试进展，后者产品在所有内存厂商中取得了最佳表现。
《科创板日报》25日讯，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品，且质量测试能够迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升在第二季度将得以启动。
①一般在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前代产品价格，因此本次涨价较为罕见。 ②除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。 ③美光此前透露，2026年全年HBM已全部售罄。
《科创板日报》24日讯，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。
①截至收盘，美埃科技、亚翔集成、圣晖集成、柏诚股份等多股涨停； ②美光在业绩说明会上表示，全球范围内洁净室建设的交付周期不断延长，制约了供应能力的快速提升。
《科创板日报》22日讯，美国银行分析师Vivek Arya及其团队针对美光股价发表了观点。该团队将美光2026、2027、2028三个财年的备考每股收益预期分别上调62%、80%、42%，调整后数值分别为31.84美元、38.85美元和29.15美元。 分析师指出，美光股价的主要风险包括：人工智能领域需求波动、传统存储产品定价变化、行业新增产能释放，以及当前68%的毛利率和60%的营业利润率或已接近峰值水平。Arya表示，尽管人工智能需求或存在一定波动，但2026全年的高带宽内存（HBM）产品已再度售罄，且客户签订了多年期供货协议。相较于以往的行业周期，这或将推动美光迎来一轮更具持续性的上行周期。基于对美光2027日历年市净率2.3倍的估值（处于美光0.8倍至3.1倍的长期市净率区间中高位），将美光股票评级从“中性”上调至“买入”，目标价从250美元上调至300美元。
财联社12月18日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。
《科创板日报》18日讯，在今日举行的光合组织2025人工智能创新大会上，中科曙光发布scaleX万卡超集群。据悉，1个万卡超集群系统由多个scaleX640超节点组成，scaleX万卡超集群总算力5EFlops ，HBM总容量>650TB，主要面向面向万亿参数大模型&科学智能场景。(记者 陈俊清)
财联社12月18日电，美东时间周三盘后，美光公布的财报显示HBM市场需求爆棚，公司CEO桑贾伊·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在业绩电话会上表示，预计到2028年，全球HBM总潜在市场（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，将从2025年的约350亿美元增长至2028年的约1000亿美元。这一里程碑预期将比此前展望提前两年实现。
《科创板日报》16日讯，三星电子和SK海力士已开始向英伟达交付其第六代高带宽内存（HBM4），两家公司均已进入谈判的最后阶段，并以付费方式提供HBM4的最终样品，这些样品将安装在英伟达的下一代人工智能加速器Rubin中。目前最后一个障碍是质量认证，业内预计产量和价格将在2026年第一季度最终确定。
《科创板日报》15日讯，SK海力士已向新加坡ASMPT公司订购了一批新的热压键合机（TCB），以支持HBM4的生产。据悉，SK海力士上个月向ASMPT订购了7套TC键合系统，每套系统配备两个键合头。每套系统单价约为40亿韩元，合同总金额估计约为300亿韩元。
《科创板日报》8日讯，SK海力士HBM4的量产已推迟至明年3月或4月，HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整。公司现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。据悉，SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时，大幅增加了HBM3E的产量。
财联社12月2日电，三星电子已完成其第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发，并正进入量产准备阶段。这家韩国科技巨头目前正向英伟达发送HBM4原型样品进行质量测试。三星的目标是在年底前完成HBM4的开发，一旦通过英伟达的质量测试，便可能立即开始量产。据悉，三星也正在建立即时量产的系统。
