《科创板日报》16日讯，三星电子和SK海力士已开始向英伟达交付其第六代高带宽内存（HBM4），两家公司均已进入谈判的最后阶段，并以付费方式提供HBM4的最终样品，这些样品将安装在英伟达的下一代人工智能加速器Rubin中。目前最后一个障碍是质量认证，业内预计产量和价格将在2026年第一季度最终确定。
《科创板日报》15日讯，SK海力士已向新加坡ASMPT公司订购了一批新的热压键合机（TCB），以支持HBM4的生产。据悉，SK海力士上个月向ASMPT订购了7套TC键合系统，每套系统配备两个键合头。每套系统单价约为40亿韩元，合同总金额估计约为300亿韩元。
《科创板日报》8日讯，SK海力士HBM4的量产已推迟至明年3月或4月，HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整。公司现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。据悉，SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时，大幅增加了HBM3E的产量。
财联社12月2日电，三星电子已完成其第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发，并正进入量产准备阶段。这家韩国科技巨头目前正向英伟达发送HBM4原型样品进行质量测试。三星的目标是在年底前完成HBM4的开发，一旦通过英伟达的质量测试，便可能立即开始量产。据悉，三星也正在建立即时量产的系统。
《科创板日报》1日讯，美光扩建日本广岛县东广岛市DRAM工厂的施工将于2026年5月启动，目标2028年实现HBM内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。
①SK海力士或成为谷歌第七代TPU内部HBM3E 8层芯片的首选供应商； ②KB证券认为，谷歌TPU或增加三星电子尖端晶圆代工厂的内存供应量； ③韩国投资证券分析师预测，SK海力士将占谷歌TPU中HBM供应量的56.6%，三星电子将占43.4%。
《科创板日报》28日讯，韩国纳米制造中心(NNFC)的首席研究员杨俊模(Yang Jun-mo)预测，HBM9预计将于2040年左右问世，其性能将比第六代HBM4高出60倍以上。下一代存储器预计将采用超过32层堆叠结构，带宽最高可达每秒128太字节(TB/s)。
《科创板日报》28日讯，三星电子宣布重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的HBM（高带宽内存）特别开发团队，并将相关人员与业务并入DRAM开发部门下的设计团队。
财联社11月26日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。展望第四季，随着原厂库存普遍见底，出货位元季增幅将明显收敛。价格部分，由于云端服务供应商(CSP)对采购价格态度较开放，其他应用需跟进价格涨幅，以确保原厂的供应量，预期将导致先进及成熟制程、各主要应用的合约价快速攀升，预估第四季最终conventional DRAM合约价将季增45-50%，conventional DRAM及HBM合并的整体合约价亦将上涨50-55%。
《科创板日报》24日讯，Kiwoom证券分析师Pak Yu-ak在研报中指出，由于DRAM芯片价格高于预期，预计三星电子第四季度业绩将超过市场预期。作为全球最大的存储芯片制造商，预计三星第四季度营业利润将达到17.6万亿韩元，比第三季度增长44%，高于市场普遍预测。Pak Yu-ak表示，个人电脑、手机和数据服务器所用DRAM芯片的固定价格正以快于预期的速度上涨。Kiwoom预计，三星2026年的营业利润将达到100万亿韩元，理由是公司在HBM4市场的预期增长以及通用型DRAM芯片价格的提升。
财联社11月22日电，据中科飞测消息，近日，中科飞测首台晶圆平坦度测量设备——GINKGOIFM-P300出货HBM客户端。GINKGOIFM-P300的成功推出，标志着我国在该领域实现了重大突破，打破了国外厂商的长期垄断，突破国内设备对超高翘曲晶圆、低反射率晶圆的量测限制，同时支持键合后晶圆、化合物半导体衬底（SiC/GaAs）的全参数检测。
《科创板日报》19日讯，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略，在DRAM价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型DRAM产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型DRAM的生产，以提高盈利能力。
《科创板日报》18日讯，在今日举行的小米三季度业绩媒体电话会上，小米集团合伙人、总裁卢伟冰就存储成本攀升问题作出回应。他指出，当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增，而非传统的手机、笔记本行业周期波动。面对这一行业趋势，卢伟冰透露小米已提前布局，与合作伙伴签订了2026年全年供应协议，确保全年供应不受影响，并表示未来可能通过涨价和产品结构升级来平滑成本压力。
《科创板日报》13日讯，三星电子和SK海力士已设定目标，力争在2026年上半年完成HBM4E的研发。据悉，HBM4E将应用于全球科技巨头的新型人工智能加速器中，包括英伟达Rubin平台的顶级版本R300。搭载HBM4E的AI加速器预计将于2027年发布，因此双方正在加速研发，争取在明年下半年完成质量验证。
《科创板日报》13日讯，根据TrendForce集邦咨询调查显示，随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。
《科创板日报》11日讯，随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，NOR Flash用量提升约50%，存储旺宏订单满手，将在明年第一季度调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成。
财联社11月6日电，中信证券研报指出，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%-50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。
①SK海力士已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判； ②其HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上，超出预期10%以上。
《科创板日报》5日讯，SK海力士5日表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。
