财联社10月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。展望2026年，预估Server整机出货量年增幅度将扩大至4%左右，且因各CSP积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算，Server单机DRAM搭载容量将随之提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续。由于Server需求维持强劲，预期DDR5合约价于2026全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。对比当前2026年HBM议价情况，随着三大原厂于HBM3e竞争的格局形成，且买方有一定库存水位，预计合约价将转为年减。TrendForce集邦咨询分析，2025年第二季时，HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，且前者能为供应商带来较佳的获利。然随着DDR5价格持续走扬，两者价差将于2026明显收敛，于2026年第一季起，DDR5的获利表现将优于HBM3e。

①SK海力士第三季度营收24.45万亿韩元，同比增长39%，营业利润11.38万亿韩元，同比增长62%；
②公司称其业绩增长主要得益于AI基础设施投资增加，以及高附加值产品如12层HBM3E和DDR5的销量增加。

《科创板日报》23日讯，SK海力士CEO郭鲁正表示，对明年存储器半导体市场持乐观态度，并宣布将为HBM4的顺利供应做好准备。他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。他表示：“我们已经满足了客户所需的所有性能、速度标准，已经确保了量产能力，我们正在顺利执行计划。”

①香农芯创2025年第三季度营收实现92.76亿元，同比增长6.58%，为单季度收入历史新高；归母净利润为2.02亿元，同比下降3.11%；
②香农芯创表示，与上年同期对比，今年市场需求提升、产品销售价格同比上涨及公司产品结构变化综合影响，导致收入增加。

《科创板日报》22日讯，力积电总经理朱宪国表示，在AI带动下，高阶存储器供不应求，第四季存储代工价格有望上涨，且能见度可达明年上半年，逻辑芯片代工预估第四季产能利用率约持平于第三季。AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬。

《科创板日报》20日讯，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。

①美光强调，预计半导体芯片、特别是HBM的供不应求情况将会加剧。
②存储需求陡增背后，AI推理飞速崛起。黄仁勋在最新采访中，再次强调，AI推理将迎来十亿倍增长。
③“HBM供不应求加剧”的另一面，是供应瓶颈下可能出现的“替代”——“以存代算”。

①根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据，三星电子Q2占据了全球HBM芯片市场17%的份额，低于美光科技的21%；
②而SK海力士以62%的市场占有率稳居第一；
③Counterpoint 预计，三星电子明年在HBM市场的份额将超过30%。

财联社9月24日电，美东时间周二盘后，美光科技CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上指出，预计全球存储芯片（尤其 HBM）供需不平衡将加剧，因DRAM 库存低于目标，而NAND 库存持续下降；同时，明年HBM产能已基本锁定，需求增长显著，2026 年HBM出货量增速预计超整体DRAM，成存储板块核心增长动力。

《科创板日报》24日讯，据TrendForce集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和。预估整体一般型DRAM (Conventional DRAM)价格将季增8-13%，若加计HBM，涨幅将扩大至13-18%。

《科创板日报》23日讯，SK海力士已在其位于清州的M15X工厂启动了一条试验生产线，该生产线将生产1b DRAM，以满足日益增长的HBM需求。该公司计划在11月前将设备投入使用，并在第四季度举行工厂落成典礼，初始产量目标为每月1万片晶圆。

①三星电子股价因12层HBM3E芯片通过英伟达认证测试而大涨5%，创一年新高；
②三星成为英伟达HBM芯片第三家供应商，但SK海力士仍领先，已完成HBM4芯片开发；
③富国银行分析师预测，三星芯片进展可能对HBM市场定价产生负面影响。

财联社9月20日电，中原证券研报表示，近期国内厂商一改在算力芯片领域低调的风格，阿里和华为算力进展及成果相继发布，集中对市场释放了积极的信号。对比年初DeepSeek-R1发布，中国不光在模型层对标海外厂商，在硬件层也通过集群计算方式补足了芯片上的差距，在超节点和集群层面的全球领先，而且还实现了HBM的自主和互联技术的重要突破。因此对中国AI和算力产业长期发展给予更加积极的预期，仍然继续看好近期行业市场表现，建议积极关注EDA企业华大九天，有大规模智算中心交付计划的润泽科技，在低空经济和商业航空领域积极开拓的中科星图。

《科创板日报》15日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。

《科创板日报》12日讯，三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。

财联社9月12日电，韩国芯片制造商SK海力士表示，该公司已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好准备。该公司股价一度涨逾5%。

《科创板日报》11日讯，日本铠侠计划到2027年实现AI SSD的商业化，其数据读取速度将比传统产品快近100倍。该SSD将与英伟达合作开发并用于处理生成式AI计算的服务器，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。